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局部放電測(cè)試儀檢測(cè)缺陷部位和缺陷類型判斷依據(jù)
一,、缺陷部位判斷依據(jù)
(1)多傳感器定位
利用時(shí)延方法實(shí)現(xiàn)空間定位,。在疑似故障部位利用多個(gè)傳感器同時(shí)測(cè)量，并以信號(hào)首先到達(dá)的傳感器作為觸發(fā)信號(hào)源,，就可以得到超聲波從放電源至各個(gè)傳感器的傳播時(shí)間,，再根據(jù)超聲波在設(shè)備媒質(zhì)中的傳播速度和方向，就可以確定放電源的空間位置,。
(2)單傳感器定位
移動(dòng)傳感器,，測(cè)試氣室不同的部位，找到信號(hào)的大點(diǎn),，對(duì)應(yīng)的位置即為缺陷點(diǎn),。通過兩種方法判斷缺陷在罐體或中心導(dǎo)體上。
方法一，通過調(diào)整測(cè)量頻帶的方法,，將帶通濾波器測(cè)量頻率從100kHz減小到50kHz,，如果信號(hào)幅值明顯減小，則缺陷位置應(yīng)在殼體上;信號(hào)水平基本不變,，則缺陷位置應(yīng)在中心導(dǎo)體上,。
方法二，如果信號(hào)水平的大值在罐體表面周線方向的較大范圍出現(xiàn),，則缺陷位置應(yīng)在中心導(dǎo)體上;如果大值在一個(gè)特定點(diǎn)出現(xiàn),，則缺陷位置應(yīng)在殼體上。缺陷類型判斷依據(jù)見表C.1,。
二,、缺陷類型判斷依據(jù)
(1)自由金屬微粒
對(duì)于運(yùn)行中的設(shè)備，微粒信號(hào)的幅值：背景噪聲
注：這里的推薦參考值,，各地因設(shè)備狀況,、運(yùn)行條件和檢測(cè)儀器等因素的不同，推薦參考值可能不同,。各地可根據(jù)的歷史檢測(cè)數(shù)據(jù),、自身所能承受的系統(tǒng)風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，定期修訂完善推薦參考值,。
(2)電暈放電(數(shù)據(jù)參考帶電設(shè)備帶電檢測(cè)技術(shù)規(guī)范中規(guī)定)
毛刺一般在殼體上,，但導(dǎo)體上的毛刺危害更大。只要信號(hào)高于背景值,，都是有害的,，應(yīng)根據(jù)工況酌情處理。在耐壓過程中發(fā)現(xiàn)毛刺放電現(xiàn)象,，即便低于標(biāo)準(zhǔn)值,，也應(yīng)進(jìn)行處理。
(3)懸浮電位
電位懸浮一般發(fā)生在斷路器氣室的屏蔽松動(dòng),，PT/CT氣室絕緣支撐松動(dòng)或偏移,，母線氣室絕緣支撐松動(dòng)或偏移，氣室連接部位接插件偏離或螺栓松動(dòng)等,。設(shè)備內(nèi)部只要形成了電位懸浮,，就是危險(xiǎn)的，應(yīng)加強(qiáng)監(jiān)測(cè),，有條件就應(yīng)及時(shí)處理,。對(duì)于126kV GIS，如果100Hz信號(hào)幅值遠(yuǎn)大于50Hz信號(hào)幅值,，且Vpeak>10mV,，應(yīng)縮短檢測(cè)周期并密切監(jiān)測(cè)其增長量,，如果Vpeak>20mV，應(yīng)停電處理,。對(duì)于363kV和550kV及以上設(shè)備,，應(yīng)提高標(biāo)準(zhǔn)。
注：這里的推薦參考值,，各地因設(shè)備狀況,、運(yùn)行條件和檢測(cè)儀器等因素的不同，推薦參考值可能不同,。各地可根據(jù)的歷史檢測(cè)數(shù)據(jù),、自身所能承受的系統(tǒng)風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,，定期修訂完善推薦參考值,。其中，A(dBmV)=20lg(B mV /1mV),。
