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　為使濺射系統(tǒng)所用靶的數(shù)量減少,，盡量用一個靶就能濺射沉積制取符合成分及性能要求的合金薄膜，可以采用合金靶,、復(fù)合鑲嵌靶、以及采用多靶濺射等,。

　　一般說來,，在放電穩(wěn)定狀態(tài)下,，按照靶的成分，各種構(gòu)成原子分別受到濺射作用,，濺射鍍膜比真空蒸鍍和離子鍍的一個*之處在于:膜層的組分和靶的組分差別較小,，而且鍍層組分穩(wěn)定。不過,，在有些情況下,，由于不同組成元素的選擇濺射現(xiàn)象、膜層的反濺射率以及附著力不同,，會引起膜層和靶的成分有較大的差別,。使用這種合金靶，為了制取確定組分的膜,，除了根據(jù)實驗配制特定配比的靶并盡量降低靶的溫度之外,，還要盡可以降低基片溫度以便減少附著率的差別，并選擇合適的工藝條件盡量減少對膜層的反濺射作用,。

　　在有些情況下,，不易制備大面積的均勻合金靶、化合物靶,，這時可以采用由單元素組成的復(fù)合鑲嵌靶,，靶表面的構(gòu)成如圖1所示。其中圖d所示的扇形鑲嵌結(jié)構(gòu)效果更好,，易于控制膜的成分,，重復(fù)性也好。從原理上講,，不僅二元合金,，三元、四元等合金膜都可以用這種方法制取,。

圖1 各種不同結(jié)構(gòu)的復(fù)合靶

(a) 方塊鑲嵌靶,；(b) 圓塊鑲嵌靶；(c) 小方塊鑲嵌靶,；(d) 扇形鑲嵌靶

　　為在濺射膜中做出相應(yīng)的成分分布,，可采用如圖2所示的鑲嵌靶材。圖中是在一塊Ti基體靶材的刻蝕區(qū)上鉆孔鑲嵌Al材料的復(fù)合靶,，用來制取Ti Al N合金膜或化合物膜,。由圖中可以看出，在基片的不同位置上,，膜成分是不同的,，Al材料的鑲嵌位置和數(shù)量對應(yīng)著確定的合金成分，因此用這種方法制取各種成分的合金或化合物膜是十分方便的,。

圖2 Ti-Al鑲嵌復(fù)合靶

　　多靶濺射的結(jié)構(gòu)如圖3所示,。使基片在兩個以上靶的上方轉(zhuǎn)動,，控制每種膜的沉積厚度為一個或幾個原子層，輪翻沉積,，這樣就能制取化合物膜,。例如，有人使用InSb和GaSb靶,，制得了In1-xGax Sb單晶膜,。雖然這種裝置復(fù)雜一些，但是通過控制基片的轉(zhuǎn)動速度和改變各個靶上所加的電壓,，可以得到任意組分的膜,；按照鍍膜的時間，控制這些參數(shù),，可以在膜厚的方向上任意改變膜的組分,，而且能獲得超晶格結(jié)構(gòu)。

圖3 多靶濺射結(jié)構(gòu)示意圖

　　當(dāng)要求合金膜各成分之間相差很大時,，一般要采用輔助陰極法,。主陰極靶由合金的主要成分制成，輔助陰極靶由合金的添加成分制成,。對各個靶同時進(jìn)行濺射,，以形成合金膜。通過調(diào)節(jié)輔助陰極靶的電流,，可以任意改變合金膜中添加成分的數(shù)量,。