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耗散型石英晶體微天平Q-sense E4

閱讀:39      發(fā)布時(shí)間:2015-09-09
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    Q-Sense E4是一種檢測(cè)吸附在表面上的分子反應(yīng)機(jī)制的實(shí)時(shí)分析儀器。當(dāng)分子層在傳感器表面質(zhì)量發(fā)生變化或者結(jié)構(gòu)發(fā)生改變時(shí),,E4可以測(cè)量分子層的變化,。在材料、蛋白質(zhì)和表面活性劑等領(lǐng)域的研究中,,Q-Sense E4設(shè)備起到了關(guān)鍵作用,。

    從快速儀器入門(mén)使用,到高質(zhì)量數(shù)據(jù)分析,,Q-Sense E4提供了一套完整的解決方案,。儀器有四個(gè)流動(dòng)模塊,每一個(gè)模塊都配備一個(gè)傳感器,,可以進(jìn)行四個(gè)平行測(cè)試,。多種可選模塊,例如電化學(xué)QCM-D,,可以進(jìn)行聯(lián)用測(cè)試,。我們的產(chǎn)品提供包括硬件、軟件,、和讓您可以快速開(kāi)始研究所需的介紹,、培訓(xùn)以及實(shí)驗(yàn)結(jié)果解析。

    Q-Sense E4設(shè)備基于極其靈敏和快捷的技術(shù),,帶耗散因子檢測(cè)的石英晶體微天平(QCM-D)。該設(shè)備的核心是傳感器在加載電壓的作用下以特定頻率下振蕩,。當(dāng)傳感器上的質(zhì)量發(fā)生變化時(shí),,其振蕩頻率會(huì)隨之變化(1)。斷開(kāi)電路會(huì)導(dǎo)致振蕩衰減,。衰減速率或者耗散因子與傳感器上的分子層粘彈性有關(guān)(2),。通過(guò)測(cè)定頻率和耗散,QCM-D可以分析吸附在傳感器表面的分子層狀態(tài),,包括質(zhì)量,、厚度和結(jié)構(gòu)性質(zhì)(粘彈性)。

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