北京大學(xué)周歡萍再發(fā)Nature,!
編者薦語(yǔ):
本文借助QSense耗散型石英晶體微天平技術(shù)對(duì)HFB延緩 FAI 和 PbI2之間的反應(yīng)進(jìn)行了定量研究。結(jié)果表明,,HFB可以有效地延緩FAI和PbI2之間的反應(yīng)速率,。
陰離子-π相互作用抑制 FAPbI3 太陽(yáng)能電池中的相雜質(zhì)
金屬鹵化物鈣鈦礦(ABX3)已經(jīng)成為各種應(yīng)用領(lǐng)域,尤其是在光伏領(lǐng)域中備受期待的材料,。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSC)的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)已迅速提高至26.1%,。然而,要在長(zhǎng)期運(yùn)行過(guò)程中維持其性能,,特別是在加速老化過(guò)程中保持其性能仍然是一項(xiàng)挑戰(zhàn),。因?yàn)殁}鈦礦中的成分和相位具有復(fù)雜的化學(xué)性質(zhì),這導(dǎo)致薄膜存在多尺度缺陷,,如點(diǎn)缺陷,、成分異質(zhì)性、不良?xì)埩粑锖投喑叨却紊嗟?。這些缺陷可能導(dǎo)致光帶隙不理想,、光電響應(yīng)不佳,,甚至材料的降解,。因此,,迫切需要通過(guò)盡可能地減少多尺度雜質(zhì),特別是那些關(guān)注度有限的納米級(jí)相雜質(zhì),,以進(jìn)一步提高鈣鈦礦材料的質(zhì)量,。
鈣鈦礦的形成依賴于 AX 和 BX2 之間的反應(yīng),而大多數(shù)傳統(tǒng)的薄膜生長(zhǎng)調(diào)節(jié)方法僅基于與 BX2 成分的相互作用,。在此,,北京大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院周歡萍教授課題組展示了另一種通過(guò)AX與六氟苯(HFB)之間的陰離子-π 相互作用來(lái)調(diào)節(jié)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的方法。值得注意的是,,這兩種方法是獨(dú)立的,,但共同建立了 "雙位點(diǎn)調(diào)節(jié)",從而實(shí)現(xiàn)了對(duì) AX 和 BX2之間反應(yīng)的微妙控制,,而不會(huì)產(chǎn)生不必要的中間產(chǎn)物,。由此產(chǎn)生的甲脒鹵化鉛(FAPbI3)薄膜具有缺陷少、紅移吸收和相純度高等特點(diǎn),。因此實(shí)現(xiàn)了功率轉(zhuǎn)換效率高達(dá) 26.07%的 PSC,。在 50 ± 5 °C 的 AM 1.5 G 全光譜太陽(yáng)光下,該裝置在功率點(diǎn) (MPP) 跟蹤 1258 小時(shí)后,,其初始 PCE 仍保持 94%,。該方法通過(guò)探索陰離子-π的相互作用,擴(kuò)大了發(fā)生在過(guò)氧化物前驅(qū)體中的化學(xué)相互作用的范圍,,并強(qiáng)調(diào)了 AX 成分作為一種新的有效工作場(chǎng)所對(duì)于改進(jìn)具有高質(zhì)量和相純度的光伏器件的重要性,。相關(guān)成果以“Anion–π interactions suppress phase impurities in FAPbI3 solar cells"為題發(fā)表在《Nature》上。作者為黃子健,。
FAI 和 HFB 之間的陰離子-π 相互作用
作者以FAPbI3 為示例,,研究薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中陰離子與π的相互作用。密度泛函理論(DFT)計(jì)算(圖 1a)表明,,碘陰離子與具有重疊電子云的HFB有良好的相互作用,,其中碘和碳之間的距離(3.58 ?)比它們的范德華半徑之和還要短。HFB 和 FAI/ 異丙醇(IPA)溶液在 500-560 納米波長(zhǎng)處均未顯示熒光(圖 1b),。然而,,當(dāng)將 HFB 加入到 FAI/IPA 溶液中時(shí),在 545 納米波長(zhǎng)處出現(xiàn)了一個(gè)新的發(fā)射峰,,這表明可能形成了一種復(fù)合物,。作者進(jìn)一步進(jìn)行了紫外可見吸收測(cè)量(圖 1c)。FAI 和 HFB 分別在 260 納米和 280 納米處顯示出吸收邊緣,,但 HFB 和 FAI 的混合物在 325 納米處顯示出一個(gè)更遠(yuǎn)的紅移吸收邊緣,,這表明碘化物和 HFB 之間發(fā)生了電荷轉(zhuǎn)移。HFB可以與 FAI 反應(yīng)生成 [FAI?HFB],,并延緩 FAI 和 PbI2之間的反應(yīng),。
圖 1:陰離子-π 相互作用的示意圖和實(shí)驗(yàn)研究,。借助耗散型石英晶體微天平對(duì)這種延緩效應(yīng)進(jìn)行了定量研究。浸泡在FAI/IPA中的PbI2膜一開始質(zhì)量就快速增加,,而且很快達(dá)到飽和(圖1f,,上圖),這可能是因?yàn)?/span>δ-FAPbI3的形成阻礙了FAI的進(jìn)一步擴(kuò)散,。相比之下,,FAI–HFB/IPA溶液中的PbI2在開始時(shí)質(zhì)量增加幅度更小,而且一直沒(méi)有達(dá)到飽和,。此外,,電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測(cè)量結(jié)果顯示,前30秒內(nèi),,有3.6%的FAI在FAI/IPA溶液中消耗,,而在FAI–HFB/IPA溶液中僅消耗1.2%的FAI(圖1f,下圖),。這些結(jié)果表明,,HFB可以有效地延緩FAI和PbI2之間的反應(yīng)速率。
HFB對(duì)鈣鈦礦薄膜生長(zhǎng)的影響
原位紫外-可見吸收測(cè)量用于研究 FAPbI3 的形成過(guò)程,。作者將不含 HFB 和含 HFB 的鈣鈦礦樣品分別稱為 "對(duì)照 "樣品和 "HFB "樣品,。圖 2a 和 b 分別顯示了在 (FAI + MACl)/IPA 溶液和 (FAI + MACl)/(IPA + HFB) 溶液中浸泡 1 小時(shí)的 PbI2-DMSO 薄膜的原位吸收差異。對(duì)照樣品的吸收閾值為 470 納米,,差值為 450 納米(圖 2a,c),,對(duì)應(yīng)于 HFB 樣品中不存在的 δ-FAPbI3(圖 2b,c)。
結(jié)果表明,,添加 HFB 可以延緩 FAI 和 PbI2 在室溫下的反應(yīng),,從而抑制 δ-FAPbI3 或其他結(jié)晶中間相的形成。加熱時(shí),,HFB 會(huì)從薄膜中逸出,,這樣就能更直接地從濕膜中形成結(jié)晶的 α-FAPbI3,同時(shí)大大減少了副反應(yīng),。這種雙位調(diào)節(jié)不同于以往通過(guò)形成另一種穩(wěn)定的中間相來(lái)抑制 δ-FAPbI3 或加速 δ-FAPbI3 向 α-FAPbI3 的充分轉(zhuǎn)化的方法,。
圖2:陰離子-π相互作用對(duì)成膜的影響
HFB 對(duì)最終鈣鈦礦薄膜的影響
最終薄膜的變化可能源于結(jié)晶過(guò)程。通過(guò) X 射線衍射(XRD)和 GIWAXS(圖 3a,b)測(cè)量,,HFB 樣品顯示出更窄的α-FAPbI3 衍射峰,。此外,從掃描電子顯微鏡(SEM)圖像(圖 3c,、d)中可以清楚地觀察到,,加入 HFB 后,晶粒尺寸從約 200 nm 增加到 1 μm 以上。此外,,結(jié)果證實(shí)了在用傳統(tǒng)前驅(qū)體(FAPbI3 + MACl)制造的 FAPbI3鈣鈦礦中存在納米級(jí)雜質(zhì),,并且可以通過(guò)添加 HFB 而得到抑制。
圖3:陰離子-π相互作用對(duì)最終FAPbI3鈣鈦礦薄膜的影響
HFB 鈣鈦礦器件的性能
然后,,作者制成鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,。 HFB 器件的正向掃描 PCE 為 26.07%,,反向掃描 PCE 為 26.01%,,平均 PCE 為 26.04%(圖 4a)。穩(wěn)定功率輸出為 25.9%,。對(duì)100 個(gè)帶或不帶 HFB 的器件進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析,。HFB的PCE平均達(dá)到 25.65%,而對(duì)照組為 24.53%(圖 4b),。根據(jù)外部量子效率和電致發(fā)光光譜(EQE-EQEEL)(圖 4c),,HFB 樣品和對(duì)照樣品的開路電壓分別為 1.236 V 和 1.254 V,因此計(jì)算出每種樣品的非輻射 VOC 損失分別為 0.043 V 和 0.076 V,。如圖 4g 所示,,對(duì)照 PSC 的 PCE 在 600 小時(shí)后下降了 30%,而 HFB 器件在 1258 小時(shí)后仍保持了 94% 的初始效率,。在 12 個(gè)器件中,,對(duì)照 PSC 在 1255 小時(shí)后平均保持了 88.3% 的初始效率。使用 HFB 的器件在 12 個(gè)器件中平均保持了其初始效率的 91.8%,。耐熱性增強(qiáng)的原因可能是 HFB 包鈦礦中的 MA 陽(yáng)離子殘留減少,。
圖4:陰離子-π相互作用對(duì)PCE和PSC穩(wěn)定性的影響
小結(jié)
總之,作者已經(jīng)證明,,鹵化物鈣鈦礦的生長(zhǎng)可以通過(guò) AX 成分中陰離子-π 與鹵化物的相互作用進(jìn)行實(shí)質(zhì)性調(diào)控,,這種作用是獨(dú)立進(jìn)行的,但與 BX2 的調(diào)控共同起著良好的作用,,從而形成雙位點(diǎn)調(diào)控,。特別是它能抑制δ-FAPbI3的形成,減少α-FAPbI3鈣鈦礦中的組分殘留,,從而提高組分和相的純度,,尤其是不會(huì)檢測(cè)到納米級(jí)的相雜質(zhì)。此外,,由于陰離子-π相互作用廣泛存在于缺電子系統(tǒng)和陰離子之間,,這些發(fā)現(xiàn)和方法可擴(kuò)展到其他具有電子供體陰離子的溶液加工化合物材料。
論文原文鏈接:
articles/s41586-023-06637-w
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