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關于開關電源不同頻段干擾原因及抑制辦法

閱讀:991        發(fā)布時間:2014-7-29

開關電源EMI整改中,,關于開關電源不同頻段干擾原因及抑制辦法:

1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主

1.增大X電容量;

2.添加差模電感;

3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些),。

1MHZ---5MHZ---差模共?;旌?/em>

采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決,,

1.對于差模干擾超標可調(diào)整X電容量,添加差模電感器,,調(diào)差模電感量;

2.對于共模干擾超標可添加共模電感,,選用合理的電感量來抑制;

3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主,,采用抑制共摸的方法,。

對于外殼接地的,在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;

可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,, 銅箔閉環(huán),。

處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

對于20--30MHZ

1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;

3.在變壓器外面包銅箔;變壓器zui里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布,。

4.改變PCB LAYOUT;

5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感;

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容,。

9. 可以用增大MOS驅(qū)動電阻。

30---50MHZ 普遍是MOS管高速開通關斷引起

1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻;

2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管;

3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決;

4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感;

5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路;

6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容;

8.PCB心LAYOUT時大電解電容,,變壓器,,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

9.變壓器,輸出二極管,,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小,。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起

1.可以在整流管上串磁珠;

2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當?shù)碾娮?

4.也可改變MOSFET,,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,,改變散熱器的接地點)。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射,。

200MHZ以上開關電源已基本輻射量很小,,一般可過EMI標準

于EMI我只知道盡量將有高頻電流流過的銅箔做在線路板內(nèi)側(cè),將流過直流電的銅箔或是低頻電流的銅箔放在外側(cè),,高頻大電流銅箔盡量短,,自己用EMC的儀器測試都沒有什么問題,當然低端的用Pai型濾波就可以,,20W以上則要變壓器屏敝+共模電感,,當有Y電容時,后級紋波的大小對EMI影響較大,。另外變壓器用銅箔屏敝比繞線效果要好很多,。成本也低。反饋電路有諧振時EMI也很難過,,特別是從變壓器中出來的一串串高頻尖峰電壓,,會使該頻段的MEI數(shù)值上升10甚至20DB以上,這在恒流開關電源中比較常見,。單是怎樣把環(huán)路面積做到zui少,,就是很難的問題,共模濾波部分跟初級怎樣布局,,大電解電容怎樣放置,,散熱器器怎么做,接地應該怎么樣接,,都需要考慮,,X電容與Y電容的排法,都很有講究,。如:共模電感下面不要走初級的任何銅線,,但濾波電路可以通過,如果有PFC電感,,這個電感離共模電感要遠,,而且這個電感下面不要放置控制IC,特別是CRM模式的PFC.

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