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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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1.高性能,、免維護(hù)
2.工藝流程簡單
3.溫度控制精確,，操作簡便
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
主要特點
一,、智能型雙溫區(qū)等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負(fù)反饋控制系統(tǒng),，控溫儀表選用智能型程序溫度調(diào)節(jié)儀表控溫，電力調(diào)制器控制;負(fù)載采用小電壓大電流控制,，從而大大提高了發(fā)熱元件的壽命,，測溫元件采用 K 型熱偶。30段可編程控溫,，PID參數(shù)自整定,，操作界面為10寸工控電腦，內(nèi)置PLC控制程序，可將溫控系統(tǒng),、滑軌爐滑動(時間和距離)設(shè)定為程序控制,。同時系統(tǒng)設(shè)置了超溫、 欠溫,、斷偶報警保護(hù)功能,，大大降低了對操作人員經(jīng)驗的要求，關(guān)鍵電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進(jìn)口產(chǎn)品,，做到高性能,、免維護(hù)，提高了設(shè)備質(zhì)量的可靠性,。
二,、PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電,，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單,。
三,、智能型雙溫區(qū)等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)配有可加熱到400℃的前端預(yù)加熱爐，輔助固態(tài)源蒸發(fā),，后端為雙溫區(qū) ,，溫度控制精確，操作簡便,，對于氣相沉積,，二維材料，等離子處理生長工藝非常合適,，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗,。
技術(shù)參數(shù)
預(yù)熱器參數(shù)： | 工作溫度：400℃ zui高溫度：1100℃ zui快升溫速率：≤30℃/min *升溫速率：10℃/min 控溫方式：智能化30段可編程控制 工作電壓：AC220V 額定功率：800W 控溫精度：±1℃ 加熱元件：電阻絲 |
加熱區(qū)參數(shù)： | 加熱元件:電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） zui大升降溫速率：≤30℃/min 爐管：高純度石英管Φ25506080100150x2000mm (管徑可選) 標(biāo)準(zhǔn)配件：石英管1支,，莫來石管堵2對，不銹鋼法蘭1套,，氟膠密封圈2套,，高溫手套1副，坩堝鉤1支,； 尺寸約：2000×600×1500 mm（長,、寬,、高） 備注：可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū),、三溫區(qū)等加熱區(qū),。 |
氣路系統(tǒng)參數(shù)： | 質(zhì)量流量計參考量程（N2)：100sccm、200sccm,、500sccm （量程可選） 準(zhǔn)確度：±1.5% 線性：±0.5～1.5% 重復(fù)精度：±0.2% 響應(yīng)時間：氣特性：1～4 Sec,，電特性：10 Sec 工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa zui大壓力：3MPa 接口：Φ6,1/4'' 顯示：4位數(shù)字顯示 工作環(huán)境溫度:5~45高純氣體 內(nèi)外雙拋不銹鋼管：Φ6 壓力真空表：－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 截止閥：Φ6 連接頭類型：雙卡套不銹鋼接頭。 備注：可選配一路,、兩路,、三路、四路等以上質(zhì)量流量計,。 |
低真空系統(tǒng)參數(shù)： | 國產(chǎn)油泵型號：BSV-10 抽速：10m³/h 極限真空度：5*10-1pa 電源：220v 50hz 電機(jī)功率：0.4kw 進(jìn)排氣連接口：KF25 用油量：1.1L 電機(jī)轉(zhuǎn)速：1440rpm 工作環(huán)境溫度：5-40℃ 噪音：≤56db 電阻真空計參數(shù)： 1.配用規(guī)管：ZJ-52T電阻規(guī),， 2.測量范圍： 10 5 ～10 -1 Pa， 3.測量路數(shù)： 1路 4.控制范圍： 5×10 3 ～5×10 -1 Pa,， 5.控制方式：繼電器觸點輸出,，負(fù)載能力 AC220V/3A (或DC28V/3A)無感負(fù)載， 6.電源： 90-260V/50Hz或220V ± 10% 50Hz,， 7.功耗： 20W |
射頻源主要參數(shù)： | 信號頻率：13.56 MHz±0.005% 功率輸出范圍：0-500W zui大反射功率:100W 射頻輸出接口：50 Ω, N-type, female 功率穩(wěn)定性：≤5W 諧波分量：≤-50dbc 供電電壓：單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ 整機(jī)效率：>=70% 功率因素：>=90% 冷卻方式：強(qiáng)制風(fēng)冷 備注：可根據(jù)腔體大小選擇射頻源功率,。 |