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復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司

復(fù)納科技亮相電催化會(huì)議,,干法納米顆粒合成與打印賦能催化研究,!

時(shí)間:2025-4-2 閱讀:78
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由中國(guó)化學(xué)會(huì)電化學(xué)專業(yè)委員會(huì)主辦,湘潭大學(xué),、湖南大學(xué)共同主辦,,湘潭大學(xué)承辦、湖南科陽(yáng)會(huì)展有限公司協(xié)辦的“2025 中國(guó)化學(xué)會(huì)電催化與電合成國(guó)際研討會(huì)暨電化學(xué)青年學(xué)者論壇"于 2025 年3 月 28-30 日在湖南省湘潭市順利召開(kāi),。

 

Part 1.  交流合作 推動(dòng)電催化研究創(chuàng)新

 

復(fù)納科技作為先進(jìn)可靠的科學(xué)儀器和解決方案提供者,,攜帶VSParticle-G1 納米粒子發(fā)生器樣機(jī)參加了本次會(huì)議。VSP-G1 采用火花燒蝕技術(shù)原理,,能夠生成尺寸范圍在 1-20 nm 的純金屬,、金屬氧化物、合金納米氣溶膠等材料,,吸引了參會(huì)人員的廣泛關(guān)注,。參會(huì)人員對(duì) VSParticle 技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域的潛在應(yīng)用表示高度關(guān)注,尤其是在電催化領(lǐng)域的應(yīng)用,。

 

來(lái)自 VSParticle 的技術(shù)銷售工程師 Vincent Mazzola 也出席了本次會(huì)議,。Vincent 在會(huì)議期間與多位與會(huì)者進(jìn)行了深入交流,詳細(xì)介紹了 VSParticle 干法合成與打印納米顆粒的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用案例,。

 

復(fù)納科技亮相電催化會(huì)議,,干法納米顆粒合成與打印賦能催化研究!

復(fù)納科技亮相電催化會(huì)議,,干法納米顆粒合成與打印賦能催化研究,!

Part.2. VSParticle 技術(shù)賦能催化研究

 

在電催化研究中,催化劑的微觀結(jié)構(gòu),、粒徑大小,、成分及分布直接決定其活性和穩(wěn)定性。因此,,如何精準(zhǔn),、可控地制備高性能納米催化劑,是研究人員關(guān)注的核心問(wèn)題,。VSParticle 技術(shù)以其火花燒蝕合成技術(shù),,提供了一種高效、可控且純凈的納米材料制備方式,,為電催化研究帶來(lái)了新的可能性,。

 

Spark Ablation(火花燒蝕)是一種先進(jìn)的納米材料合成技術(shù),,通過(guò)高精度的火花放電過(guò)程,將金屬或半導(dǎo)體材料瞬間氣化并快速冷卻,,形成納米顆粒。這些納米顆粒具有高度均勻的尺寸分布,、純凈無(wú)雜質(zhì)的特性,,并且可以在多種基底上直接沉積和圖案化,無(wú)需復(fù)雜的后處理步驟,。

 

復(fù)納科技亮相電催化會(huì)議,,干法納米顆粒合成與打印賦能催化研究!

復(fù)納科技亮相電催化會(huì)議,,干法納米顆粒合成與打印賦能催化研究,!

火花燒蝕技術(shù)原理圖

 

? 核心優(yōu)勢(shì)

 

  • 高精度合成:能夠調(diào)控納米顆粒的尺寸和分布。

  • 綠色環(huán)保:無(wú)需使用前驅(qū)體或溶劑,,減少了化學(xué)廢棄物的產(chǎn)生,,是一種環(huán)境友好的合成方法。

  • 多功能應(yīng)用:適用于多種材料(如金屬,、金屬氧化物,、合金等),并可與多種基底(如硅,、金屬,、聚合物、紙等)兼容,,廣泛應(yīng)用于催化,、傳感、能源存儲(chǔ)等領(lǐng)域,。

  • 可擴(kuò)展性強(qiáng):技術(shù)可擴(kuò)展性強(qiáng),,能夠滿足從實(shí)驗(yàn)室研究到工業(yè)生產(chǎn)的多樣化需求。

 

? VSParticle 技術(shù)在催化研究中的應(yīng)用

 

AI 高通量催化劑篩選

 

為了加速電催化劑的發(fā)現(xiàn),,Meta 的 FAIR 團(tuán)隊(duì)一直在開(kāi)發(fā)人工智能模型,,以便在數(shù)小時(shí)而不是數(shù)月內(nèi)識(shí)別候選催化劑。然而,,將這些預(yù)測(cè)轉(zhuǎn)化為可擴(kuò)展的商業(yè)化應(yīng)用仍然是一項(xiàng)復(fù)雜的挑戰(zhàn),,通常需要長(zhǎng)達(dá) 15 年的時(shí)間。與此同時(shí),,訓(xùn)練人工智能模型來(lái)預(yù)測(cè)最佳電催化劑材料需要大量且多樣化的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)集,,而這依靠傳統(tǒng)方法很難實(shí)現(xiàn)。

 

VSP,、Meta(原 Facebook) 和 UOT 攜手在實(shí)驗(yàn)室中測(cè)試數(shù)百種且多樣化材料的數(shù)據(jù)集—?jiǎng)?chuàng)建開(kāi)源催化數(shù)據(jù)庫(kù),。VSP-P1 納米打印沉積系統(tǒng)使用一種稱為火花燒蝕的氣相沉積工藝,,通過(guò)將每種材料汽化成納米顆粒,得到了傳統(tǒng)方法較難合成的 525 種催化劑,,人工智能模型預(yù)測(cè)這些材料是二氧化碳還原反應(yīng) (CO2RR) 的最佳候選材料,。

 

 

2.干法膜電極打印納米催化劑

 

先進(jìn)的 PEM 電解槽方案依賴于鉑基陰極和銥基陽(yáng)催化劑,雖然部分文獻(xiàn)已經(jīng)報(bào)道了鉑催化劑的替代品(Mo,,Ag,,CoP 等),以及降低 Pt 的負(fù)載量的方案,。但對(duì)于陽(yáng)極 Ir 催化劑,,依然沒(méi)有較好的替代品或降低負(fù)載量的方案。由于 Ir 仍是地球上最稀缺的金屬元素,,催化劑的使用量限制電解水制氫發(fā)展,。

VSParticle 公司提出一種新型的工藝采用干法電極技術(shù),直接將催化劑顆粒進(jìn)行涂布,,從而避免引入液體溶劑和大量粘結(jié)劑,。該工藝通過(guò)放電等離子體在流動(dòng)的氣氛中形成 1-20nm 的初始?xì)馊苣z顆粒,再利用沖壓沉積原理配合打印模塊進(jìn)行氣溶膠直寫沉積,。

 

復(fù)納科技亮相電催化會(huì)議,,干法納米顆粒合成與打印賦能催化研究!

商業(yè) Ir 催化劑尺寸較大,,而氣溶膠沉積可制備出更小的團(tuán)簇 Ir 顆粒

 

  

型號(hào)推薦——VSParticle 納米氣溶膠沉積系統(tǒng)

 

VSP-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)

VSP-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)是 VSParticle 產(chǎn)品線中的設(shè)備,,專為材料開(kāi)發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)測(cè)試而設(shè)計(jì)。利用火花燒蝕材料的沖壓沉積技術(shù),,能夠?qū)崿F(xiàn)從稀疏團(tuán)聚體到厚達(dá)幾微米的連續(xù)層的不同層厚度印刷沉積,。它的圖案化打印功能使得研究人員能夠在非半導(dǎo)體類的納米薄膜應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)精細(xì)的厚度控制。VSP-P1 在高效催化劑涂層膜的開(kāi)發(fā),、電催化劑篩選和氣體傳感器研究中展現(xiàn)了其性能和靈活性,。

 

VSP-G1 納米粒子發(fā)生器

VSP-G1 納米粒子發(fā)生器是一臺(tái)桌面式儀器,可生成尺寸范圍為 1 – 20 nm 的純金屬,、金屬氧化物,、碳、半導(dǎo)體,、合金納米氣溶膠材料,。納米顆粒的生產(chǎn)采用純物理火花燒蝕技術(shù)制備,在氣相中進(jìn)行,,無(wú)需真空,,無(wú)需使用表面活性劑或前驅(qū)體。用于納米粒子生產(chǎn)的源材料僅需材料制成所需的兩根靶材(電極),,使用時(shí)只需安裝電極并設(shè)置參數(shù),,按下按鈕即可開(kāi)始生成納米顆粒,。

 

VSP-S1 納米粒徑篩選沉積系統(tǒng)

VSP-S1 是 VSP-G1 的理想伴侶,它是一款用戶友好的納米粒子尺寸選擇器,,能夠輕松篩選出 1-10nm 范圍內(nèi)的單一尺寸顆粒,。VSP-S1 納米粒徑篩選沉積系統(tǒng)提供 0.1nm 分辨率的精準(zhǔn)控制;適用于原位 TEM 研究和尺寸依賴的效應(yīng)研究,;具備實(shí)時(shí)跟蹤功能,,確保樣品一致性和可靠性。



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