二維材料由于其出色的性能,，在汽車,、半導(dǎo)體、石油化學(xué)和飛機發(fā)動機等多個行業(yè)中至關(guān)重要,。理解二維材料的微觀結(jié)構(gòu),、缺陷以及機械或電學(xué)特性對于其在先進(jìn)技術(shù)中的應(yīng)用至關(guān)重要，而有效制造和質(zhì)量控制是發(fā)揮其潛力的關(guān)鍵,。

Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機,，同時獲取掃描電鏡 SEM 和 原子力顯微鏡 AFM 數(shù)據(jù)，并且實現(xiàn)自動關(guān)聯(lián),?？梢詫崿F(xiàn)對薄片的精確位置定位和表面分析，在單次采集中檢測多個薄片特征,，能夠?qū)ΧS材料的機械,、電學(xué)、壓電,、磁學(xué),、化學(xué)等多種性質(zhì)進(jìn)行表征和對比。

"低維材料基礎(chǔ)研究：適用于石墨烯,、六方氮化硼（BNNSs）,、過渡金屬二硫化物（TMDCs）、MXenes 等低維材料的基礎(chǔ)研究,，包括新材料,、功能化材料和異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,。

制備工藝：在二維材料制備過程中用于質(zhì)量控制和診斷，確保制造過程的可重復(fù)性和可靠性,，同時進(jìn)行缺陷表征,。"

案例一  ：

TMDC 材料，由于其優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),，在光電子器件,、傳感器、催化劑和電化學(xué)能源存儲領(lǐng)域有巨大潛力,。其單層的制造條件需要深入理解,，以確保可靠和可重復(fù)的性能,，如柔韌性,、電學(xué)或機械性能。常見的 TMDC 材料包括二硫化鉬（MoS2）,、二硒化鎢（WSe2）等,，它們在二維材料領(lǐng)域具有重要地位。

使用 Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機,，可以對通過化學(xué)氣相沉積（CVD）在厚 SiO2/Si 上生長的 MoS2 薄片進(jìn)行精確和復(fù)雜分析,。對兩組不同制備條件的樣品同時進(jìn)行了掃描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）,、靜電力顯微鏡（EFM）和相位成像測量,，以比較結(jié)果并確定實現(xiàn)所需樣品特征的最佳制備參數(shù)。

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• SEM：利用成分襯度差異,，快速定位薄片,。

• AFM：可精確獲取二維材料表面粗糙度及高度。

• EFM：用于觀察表面電荷分布和施加偏壓時的電響應(yīng),。

• 相位成像：能夠識別更硬的薄片和更軟的基底,，還可以檢測額外生長層的邊緣。

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案例二：

TBLG 因其能夠創(chuàng)造新的可調(diào)電子行為而被研究,。扭曲影響帶隙的大小和形狀,，導(dǎo)致原子結(jié)構(gòu)的周期性調(diào)制，這在電學(xué)屬性中以莫爾圖案的形式可見,。這些結(jié)構(gòu)在傳感器,、光子學(xué)和電子設(shè)備中很有前景。

使用 SEM,，導(dǎo)電原子力顯微鏡（C-AFM）和壓電力顯微鏡（PFM）分析獲取扭曲雙層石墨烯（TBLG）的莫爾圖案,。

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使用 Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機，對在碳化硅（SiC）上的石墨烯雙層進(jìn)行電學(xué)性質(zhì)測量,，樣品上的不同 PFM 和 C-AFM 對比表明,，扭曲和未扭曲的石墨烯雙層都存在,。重點關(guān)注扭曲部分，可以觀察到以 45 納米周期性的莫爾圖案的調(diào)制,。"