掃描電子顯微鏡（SEM）是依靠電子束與樣品相互作用產(chǎn)生俄歇電子,、特征 X 射線和連續(xù)譜 X 射線、背散射電子等信號(hào),，對(duì)樣品進(jìn)行分析研究。

掃描電鏡在表征樣品時(shí)，受諸多參數(shù)的影響,，不同類型樣品應(yīng)選用合適的參數(shù)，才能呈現(xiàn)出樣品更真實(shí)的表面信息,。如在不同的加速電壓下,，電子束與樣品作用所獲得的信號(hào)會(huì)有很大的差別。從理論上說,，入射電子在樣品中的散射軌跡可用 Monte Carlo 的方法模擬（如圖 1 所示）,，并且推導(dǎo)得到入射電子大穿透深度 Z_max。

Z_max=0.0019(A / Z)^1.63E₀^1.71/ρ

圖1 電子在鈦（Ti）金屬中的運(yùn)動(dòng)軌跡

隨著加速電壓的增加,，入射電子激發(fā)深度越深,，探頭接受的信號(hào)包含大量材料內(nèi)部的信息。

2000x@15kV (BSD)                                               2000x@5kV (BSD)

2000x@15kV (BSD)                                               2000x@5kV (BSD)

圖2

對(duì)比圖 2 背散射電鏡（BSD）圖片可以看出同一樣品位置在不同加速電壓下,，樣品表面成分襯度,、形貌發(fā)生了明顯的變化。

1,、2 區(qū)域在 5kv 成像時(shí),，樣品表面有白色襯度相，在 15kv 成像時(shí)表面主要為灰色襯度相+少量白色襯度像,。

對(duì)此樣品 1 區(qū)域成分分析結(jié)果如圖 3 所示,，白色襯度相主要由 Zr 組成，灰色襯度相主要由 O,、Si,、Mg,、Al 組成。

由此看以看出,，15kv 成像時(shí),，高能電子束穿透了表面含 Zr 層，呈現(xiàn)出了下部的主要由 O,、Si,、Mg、Al 組成相,。在 5kv 成像時(shí),，電子束未穿透表面含 Zr 層，呈現(xiàn)出更接近于真實(shí)的樣品表面的成分襯度相,。

3 區(qū)域在 5kv 下表面細(xì)節(jié)清晰有立體感,，15kv 下由于電子穿透深，表面細(xì)節(jié)丟失且無立體感,。因此對(duì)于此類樣品,，低電壓下對(duì)于表面形貌的呈現(xiàn)更真實(shí)。

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圖3

在使用掃描電鏡時(shí),，可以嘗試不同的加速電壓,、真空度等參數(shù)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)隨著參數(shù)的調(diào)節(jié),，樣品表面形貌會(huì)發(fā)生（微小或者巨大）變化,，找到適合自己樣品的參數(shù)，才能拍攝出“更真實(shí)”的 SEM 圖片,。