穿透式電子顯微鏡簡介:1930年*臺商用電子顯微鏡于英國建立
穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy:TEM)
A.TEM簡介
自1930年代*臺商用電子顯微鏡于英國建立以來,,由于影像解析度受限于所供輸電子能量,,隨著高壓設備之成熟技術發(fā)展與建立,穿透式電子顯微鏡不斷地進步與突破,。1938年,,穿透式電子顯微鏡,解析度約20~30埃,,到1963年,,解析度提升至2~3埃;到目前為止,,一百萬電子伏特(eV)以上之超高電壓穿透式電子顯微鏡也已問世(HRTEM),。
因此原子級的影像解析度早已不再是遙不可及之夢想。 對于近十年來迅速發(fā)展的半導體制程,,以及奈米尺度的*材料,,材料的研究已進入原子尺度大小,為了觀察如此微小的尺度,,新的研究工具也陸續(xù)出現(xiàn),。在這些新的研究工具當中,穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy,;TEM )可提供材料內(nèi)部的形態(tài),、晶體原子結構…由于TEM具備高解像能力,比一般影像觀察及分析工具*許多,,而廣泛地用于材料分析,。表一為比較常用顯微鏡的解析度與放大倍率。
附注:解析度與波長的關系式
Raleigh‘s Criterion:解析度 S=0.61l/(n×sinq)=0.61l/NA