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定制-立方相碳化硅量子點半導體納米球
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定制-立方相碳化硅量子點半導體納米球
立方相碳化硅(3C-SiC)具有許多的力,熱,光和電學性能,這使它在溫,大功率,壓,頻等條件下的應用.納米3C-SiC具有多體相所沒有的性能,如藍光發(fā)射和場發(fā)射性能,光催化,氫存儲,彈性模量等,已成為當前半導體納米材料研究的之一,。
1.以顆粒尺寸在微米量級的3C-SiC粉末為,，通過與硝酸化學腐蝕、聲振蕩,，在乙醇中制備出了3C-SiC納米小顆粒,。
2.將硅片蓋在裝有硫化鋅(ZnS)和活性碳混合粉末的坩鍋上,，在常壓、氬氣保護下,，1150℃加熱4小時,，在硅片下表面得到的3C-SiC納米球。
3.用一種簡單,、的方法,，以活性碳、Si和ZnS粉末為,，制備了的3C-SiC納米線,。這些納米線的直徑為8-60 nm，長度為幾μm,。一些納米線的彎曲處,，存在非晶區(qū)域，其中包裹有直徑為幾納米,、晶化的小晶粒,。
4.將Si粉球磨減小尺寸后，與活性碳混合,，在常壓下1250℃加熱4小時,，制備了針狀與Y形的3C-SiC納米須。同樣的條件下,，用未球磨過的Si粉,，生成物是直徑、表面光滑程度都不同的3C-SiC納米棒和納米竹節(jié)結(jié)構(gòu),，并伴有一定量的未反應完的Si顆粒,。反應中殘留的氧氣在3C-SiC成核與生成過程起關(guān)鍵作用,。
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