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E+H電導(dǎo)率傳感器/電極0-200us主要選型
閱讀:490 發(fā)布時(shí)間:2023-12-22E+H電導(dǎo)率傳感器/電極0-200us主要選型
WQ-Cond 電導(dǎo)率傳感器使用4級(jí)電極測(cè)量,,提供大量程的電導(dǎo)率和溫度讀數(shù)。由于離子溶液的電導(dǎo)率隨溫度升高而增加,,因此內(nèi)置溫度傳感器,,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)25oC,,提供2%/oC的自動(dòng)溫度補(bǔ)償。內(nèi)置接口模塊把數(shù)字電導(dǎo)率和溫度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)為2股獨(dú)立的4-20mA信號(hào),,分別連接數(shù)據(jù)記錄器和可編程邏輯控制器(PLC)設(shè)備,。
產(chǎn)品特點(diǎn):
0.5%的讀數(shù)精度
電導(dǎo)率和溫度4-20mA信號(hào)雙輸出
測(cè)量量程為0-20西門(mén)子/厘米
堅(jiān)固外殼,適用于惡劣環(huán)境
可測(cè)量至30米深度處的電導(dǎo)率
電極封裝傳感器的特點(diǎn)包括:微型化,、數(shù)字化,、智能化、多功能化,、系統(tǒng)化,、網(wǎng)絡(luò)化,它不僅促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造和更新?lián)Q代,,而且還可能建立新型工業(yè),,從而成為21世紀(jì)新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。微型化是建立在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基礎(chǔ)上的,,已成功應(yīng)用在硅器件上做成硅壓力傳感器,。
玻璃封裝連接器優(yōu)點(diǎn):廣泛應(yīng)用于露點(diǎn)儀、電力設(shè)備,、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,、航空航天連接器,煤炭開(kāi)采和石油勘探設(shè)備,,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的采集和傳輸,。
技術(shù)性能:
1.常溫常壓下,泄漏率≤1*10 -9 Pa.m 3 /s(He),;
2.絕緣電阻大于1000MΩ/500VDC(500伏,,1000兆歐);
3.玻璃絕緣子與底座間耐壓強(qiáng)度大于300MPa
4.良好的焊接性能。電阻式
電阻式傳感器是將被測(cè)量,,如位移,、形變、力,、加速度,、濕度、溫度等這些物理量轉(zhuǎn)換式成電阻值這樣的一種器件,。主要有電阻應(yīng)變式,、壓阻式、熱電阻,、熱敏,、氣敏、濕敏等電阻式傳感器件,。
電阻應(yīng)變式
傳感器中的電阻應(yīng)變片具有金屬的應(yīng)變效應(yīng),,即在外力作用下產(chǎn)生機(jī)械形變,,從而使電阻值隨之發(fā)生相應(yīng)的變化。電阻應(yīng)變片主要有金屬和半導(dǎo)體兩類(lèi),,金屬應(yīng)變片有金屬絲式,、箔式、薄膜式之分,。半導(dǎo)體應(yīng)變片具有靈敏度高(通常是絲式,、箔式的幾十倍)、E+H橫向效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn),。
壓阻式
壓阻式傳感器是根據(jù)半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)在半導(dǎo)體材料的基片上經(jīng)擴(kuò)散電阻而制成的器件,。其基片可直接作為測(cè)量傳感元件,擴(kuò)散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式,。當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時(shí),,各電阻值將發(fā)生變化,電橋就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出,。
用作壓阻式傳感器的基片(或稱(chēng)膜片)材料主要為硅片和鍺片,,硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來(lái)越受到人們的重視,尤其是以測(cè)量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用最為普遍,。
熱電阻
熱電阻測(cè)溫是基于金屬導(dǎo)體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來(lái)進(jìn)行溫度測(cè)量的,。熱電阻大都由純金屬材料制成,應(yīng)用最多的是鉑和銅,,此外,,已開(kāi)始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻,。
熱電阻傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來(lái)測(cè)量溫度及與溫度有關(guān)的參數(shù),。在溫度檢測(cè)精度要求比較高的場(chǎng)合,這種傳感器比較適用,。較為廣泛的熱電阻材料為鉑,、銅、鎳等,,它們具有電阻溫度系數(shù)大,、線性好、性能穩(wěn)定,、使用溫度范圍寬,、加工容易等特點(diǎn)。用于測(cè)量-200℃~+500℃范圍內(nèi)的溫度,。
熱電阻傳感器分類(lèi):
1,、NTC熱電阻傳感器:
該類(lèi)傳感器為負(fù)溫度系數(shù)傳感器,即傳感器阻值隨溫度的升高而減小。
2,、PTC熱電阻傳感器:
該類(lèi)傳感器為正溫度系數(shù)傳感器,,即傳感器阻值隨溫度的升高而增大,。
激光
利用激光技術(shù)進(jìn)行測(cè)量的傳感器,。它由激光器、激光檢測(cè)器和測(cè)量電路組成,。激光傳感器是新型測(cè)量?jī)x表,,它的優(yōu)點(diǎn)是能實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸遠(yuǎn)距離測(cè)量,速度快,,精度高,,量程大,抗光,、電干擾能力強(qiáng)等,。
激光傳感器工作時(shí),先由激光發(fā)射二極管對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)發(fā)射激光脈沖,。經(jīng)目標(biāo)反射后激光向各方向散射,。部分散射光返回到傳感器接收器,被光學(xué)系統(tǒng)接收后成像到雪崩光電二極管上,。雪崩光電二極管是一種內(nèi)部具有放大功能的光學(xué)傳感器,,因此它能檢測(cè)極其微弱的光信號(hào),并將其轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的電信號(hào),。
利用激光的高方向性,、高單色性和高亮度等特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸遠(yuǎn)距離測(cè)量。激光傳感器常用于長(zhǎng)度(ZLS-Px),、距離(LDM4x),、振動(dòng)(ZLDS10X)、速度(LDM30x),、方位等物理量的測(cè)量,,還可用于探傷和大氣污染物的監(jiān)測(cè)等。
霍爾
霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場(chǎng)傳感器,,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù),、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面?;魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法,。通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)定的霍爾系數(shù),能夠判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型,、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù),。
霍爾傳感器分為線性型霍爾傳感器和開(kāi)關(guān)型霍爾傳感器兩種。
1、線性型霍爾傳感器由霍爾元件,、線性放大器和射極跟隨器組成,,它輸出模擬量。
2,、開(kāi)關(guān)型霍爾傳感器由穩(wěn)壓器,、霍爾元件、差分放大器,,斯密特觸發(fā)器和輸出級(jí)組成,,它輸出數(shù)字量。
霍爾電壓隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而變化,,磁場(chǎng)越強(qiáng),,電壓越高,磁場(chǎng)越弱,,電壓越低,。霍爾電壓值很小,,通常只有幾個(gè)毫伏,,但經(jīng)集成電路中的放大器放大,就能使該電壓放大到足以輸出較強(qiáng)的信號(hào),。若使霍爾集成電路起傳感作用,,需要用機(jī)械的方法來(lái)改變磁場(chǎng)強(qiáng)度。下圖所示的方法是用一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)的葉輪作為控制磁通量的開(kāi)關(guān),,當(dāng)葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時(shí),,磁場(chǎng)偏離集成片,霍爾電壓消失,。這樣,,霍爾集成電路的輸出電壓的變化,就能表示出葉輪驅(qū)動(dòng)軸的某一位置,,利用這一工作原理,,可將霍爾集成電路片用作用點(diǎn)火正時(shí)傳感器?;魻栃?yīng)傳感器屬于被動(dòng)型傳感器,,它要有外加電源才能工作,這一特點(diǎn)使它能檢測(cè)轉(zhuǎn)速低的運(yùn)轉(zhuǎn)情況,。