graphene-supermarket 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-4P 在SiO 2 / Si晶片上的CVD石墨烯/ CVD六方氮化硼異質結構 CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 4 Pack石墨烯/ h-BN薄膜的性質：單層h-BN膜上的單層石墨烯膜 轉移到285nm（p摻雜）SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 4包 每個薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％ 薄膜是連續(xù)的,，有小孔和有機殘留物 高結晶質量 石墨烯薄膜預先單層（超過95％）,，偶爾有小的多層島（低于5％的雙層） 薄層電阻：430-800Ω/平方 
石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長，然后轉移到SiO 2 / Si晶片上,。 要在轉移前查看薄膜的特性,，請參閱我們的相關產(chǎn)品銅箔上的石墨烯和銅箔上的h-BN。 硅/二氧化硅晶片的特性：氧化層厚度：285nm 顏色：紫羅蘭色 晶圓厚度：525微米 電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米 型號/摻雜劑：P /硼 方向：<100> 前表面：拋光 背面：蝕刻 應用：石墨烯/ hBN界面用于需要精確門控石墨烯,，增加遷移率和減少散射的場合,。 h-BN作為基于石墨烯的電子器件的基底具有吸引力，因為其表面原子級光滑,，沒有懸空鍵,，并且具有與石墨烯類似的結構,。 在石墨烯上使用我們的SiO2 / Si晶片上的h-BN將鼓勵您探索用于晶體管應用的石墨烯異質結構 我們的石墨烯/ h-BN薄膜使用PMMA輔助轉移方法制造。 我們可以在4“晶圓上提供定制尺寸的石墨烯/ h-BN薄膜 學術參考石墨烯生長 在銅箔上大面積合成高質量和均勻的石墨烯薄膜科學2009年6月5日：Vol,。324.沒有,。5932，pp.1312 - 1314 石墨烯轉移 用于高性能透明導電電極的大面積石墨烯薄膜的轉移,，Li et.al.,，Nano Lett。,，2009,9（12）,，pp 4359-4363 走向清潔和無裂縫轉移石墨烯Liang et.al.，ACS Nano,，2011,5（11）,，pp 9144-9153 石墨烯/ h-BN異質結構 石墨烯，六方氮化硼（h-BN）和石墨烯/ h-BN異質結構的電學性質和應用 Materials Today Physics,，Science Direct：Vol 2,，September 2017，pp 6-34 第2卷,，2017年9月,，第6-34頁作者鏈接打開覆蓋面板 | 
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