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最初,開(kāi)發(fā)的第一個(gè)掃描探針技術(shù)是用于處理導(dǎo)電探針:掃描隧道顯微鏡 (STM),,一種在表面上掃描鋒利的鎢絲技術(shù),同時(shí)控制 STM和表面之間的隧道電流。1986 年獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的主要缺點(diǎn)是,,掃描隧道顯微鏡僅限于導(dǎo)電表面。
為了將主要的 STM 樣品信息 - 形貌 - 從導(dǎo)電表面擴(kuò)展到任意表面,,開(kāi)發(fā)了掃描或原子力顯微鏡 (AFM),。為 AFM 開(kāi)發(fā)了一系列表征方法,并且表面的電特性也成為焦點(diǎn),。
由于標(biāo)準(zhǔn) AFM 探針材料不導(dǎo)電(它們要么是絕緣的,,要么是快速形成絕緣表面氧化層),因此 AFM和 AFM 懸臂必須涂有導(dǎo)電材料以允許電流流動(dòng),。
在原子力顯微鏡的短暫歷史中,,幾乎所有可用于半導(dǎo)體和 MEMS 制造技術(shù)的金屬或合金都已應(yīng)用于 AFM 探針。提供優(yōu)異導(dǎo)電性的金屬易于加工且相對(duì)便宜。然而,,只有少數(shù)材料占主導(dǎo)地位并繼續(xù)用于標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)電 AFM 探針:最初用于磁力顯微鏡的鈷鉻被用作導(dǎo)電層以及鉑,,一種貴金屬,沒(méi)有形成最終形成的缺點(diǎn)絕緣 - 金屬氧化物,。為了增加鉑層的硬度,,添加了少量(更硬的)銥。因此,,通常,,所有鍍鉑 AFM 探頭均由 95% 的鉑和 5% 的銥組成,通常表示為 PtIr,。金通常用于提高 AFM 懸臂對(duì)功能化的適用性,,將生物材料連接到 AFM。與鉑金一樣,,金是一種不會(huì)形成氧化物的貴金屬,,但它比鉑金柔軟得多,并且比鉑金更容易從 AFM擦掉,。通常,,由于 AFM磨損效應(yīng),所有金屬涂層都不適合在接觸模式 AFM 中使用更長(zhǎng)的時(shí)間,。金屬涂層通常應(yīng)用于提升模式 AFM 技術(shù),,如靜電力顯微鏡或開(kāi)爾文探針力顯微鏡。由于 AFM磨損效應(yīng),,所有金屬涂層都不適合在接觸模式 AFM 中長(zhǎng)時(shí)間使用,。金屬涂層通常應(yīng)用于提升模式 AFM 技術(shù),如靜電力顯微鏡或開(kāi)爾文探針力顯微鏡,。由于 AFM磨損效應(yīng),,所有金屬涂層都不適合在接觸模式 AFM 中長(zhǎng)時(shí)間使用。金屬涂層通常應(yīng)用于提升模式 AFM 技術(shù),,如靜電力顯微鏡或開(kāi)爾文探針力顯微鏡,。
為了克服相對(duì)較軟的金屬涂層的磨損問(wèn)題,正在使用許多其他更耐用的涂層:用 極硬的金剛石涂層涂覆 AFM 探針需要一定的厚度,,這導(dǎo)致 AFM半徑通常在 100 nm 范圍內(nèi). 此外,,與金屬相比,金剛石的電導(dǎo)率大約小 10 倍,。在電導(dǎo)率,、硬度和分辨率方面的折衷方案是硅化鉑 AFM 探針。
鉆石,,堅(jiān)硬的材料,,一種極其持久的涂層,。
半徑小,導(dǎo)電性好,。
半徑小,,導(dǎo)電性好,耐磨性能好,。
使用導(dǎo)電 AFM 探針的 AFM 應(yīng)用主要分為兩個(gè)領(lǐng)域:首先,,AFM 探針與表面接觸并發(fā)生電流的方法。其次,,靜電或升降模式技術(shù),。
導(dǎo)電 AFM (c-AFM)在接觸模式下進(jìn)行?;旧?,導(dǎo)電涂層的 AFM 探針與樣品表面接觸,并在 AFM 和樣品之間施加偏置電壓,。測(cè)得的電流提供有關(guān)掃描區(qū)域的電氣特性的信息,。根據(jù)方法,明確定義的力施加到 AFM ,。因此,,用于這些應(yīng)用的導(dǎo)電涂層必須表現(xiàn)出良好的耐磨性
掃描電容顯微鏡 (SCM)用于繪制半導(dǎo)體樣品中的載流子濃度圖。其原理是形成金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS) 電容器結(jié)構(gòu),,其中導(dǎo)電 AFM 充當(dāng)電容器的“金屬"部分,。通過(guò)施加疊加的直流和交流電壓,可以分析摻雜原子的類(lèi)型和數(shù)量,。通常,,此處使用具有中等剛度的 AFM 懸臂梁,其剛度足以確保穩(wěn)定的接觸,,從而保證一致的電容器面積,。金剛石或硅化鉑等耐磨涂層可用于任何類(lèi)型的 AFM 懸臂上的 SCM 應(yīng)用。我們推薦 CDT-CONTR或PtSi-CONT,、 CDT-FMR或PtSi-FM,、 CDT-NCHR或 PtSi-NCH以及 用于掃描電容顯微鏡的多合一 DD AFM 探針。
導(dǎo)電 AFM (c-AFM),、隧道 AFM (TUNA),、IV 光譜:只需將偏置電壓施加到 AFM 或樣品,就可以觀察到局部電導(dǎo)率或其變化,。c-AFM 和 TUNA 的原理是相同的,c-AFM 是更一般的描述,,而 TUNA 通常與絕緣層的表征有關(guān),。在 c-AFM 中,,通常只能觀察到幾個(gè)數(shù)量級(jí)的電流,而 TUNA 電流的范圍可以從極低的隧穿電流變化到絕緣層的高擊穿電流,。此外,,絕緣層的表征可以以不同的方式進(jìn)行。通過(guò)施加恒定的偏置電壓或通過(guò)在掃描的固定位置增加電壓,。這種技術(shù)稱(chēng)為 IV 光譜法,。同樣,耐磨涂層如 根據(jù)應(yīng)用的不同,,在各種 AFM 懸臂梁上摻雜金剛石或 硅化鉑是 c-AFM 和 TUNA 應(yīng)用的選擇,。
掃描擴(kuò)散電阻 (SSRM):獲得半導(dǎo)體摻雜劑和 pn 結(jié)位置信息的第二種方法是 SSRM。在其宏觀版本中,,具有定義半徑和間距的 2 根針通過(guò)原生氧化物壓入半導(dǎo)體,。施加定義的電壓并測(cè)量電流。通常,,表面以非常淺的角度傾斜,,因此可以獲得高空間分辨率。在 SSRM 中,,由于 AFM 的小半徑,,不需要樣品制備(斜切)。對(duì)樣品的橫截面進(jìn)行掃描擴(kuò)散阻力,。為了穿透原生氧化物,,需要具有非常高的力常數(shù)的 AFM 懸臂。只有金剛石作為導(dǎo)電涂層能夠承受 SSRM 的高強(qiáng)度,。通常CDT-NCHR , DDESP或 All-In-One-DD用于 SSRM,。
與與樣品接觸執(zhí)行的 c-AFM 應(yīng)用相反,所謂的提升模式技術(shù)是在第一行掃描中記錄形貌的應(yīng)用,,并且在樣品上方明確定義的高度回溯期間,,記錄樣品上帶有電荷的帶電 AFM 探針。對(duì)于這些應(yīng)用,,使用中等硬度的 AFM 懸臂:足夠堅(jiān)硬以確保適當(dāng)?shù)慕涣骰蜉p敲模式形貌成像,,并且足夠柔軟以檢測(cè) AFM 和樣品之間的電場(chǎng)變化。由于這些模式的磨損較低,,因此此處使用具有高導(dǎo)電材料(如鉑或硅化鉑)的薄涂層,。
在靜電力顯微鏡(EFM)中。在掃描的一個(gè)方向期間以 AC 或輕敲模式 AFM 對(duì)形貌進(jìn)行成像后,,AFM 被抬起并在表面上方以定義的高度回溯,。偏置導(dǎo)電涂層 AFM 探針上的電荷通過(guò)靜電力與樣品上的電荷相互作用。如果電荷分布發(fā)生變化,,則電力梯度會(huì)發(fā)生變化,,并且 AFM 懸臂會(huì)彎曲,,這通過(guò)激光偏轉(zhuǎn)來(lái)檢測(cè)。
開(kāi)爾文探針力顯微鏡(KPFM),。KPFM 的工作原理與 EFM 類(lèi)似,。此外,在提升的掃描軌跡中,,AC 電壓被施加到 AFM,,從而產(chǎn)生電容力。通過(guò)添加和映射另一個(gè)直流電壓來(lái)補(bǔ)償這種電容力,,可以提供有關(guān)所研究材料的功函數(shù)的信息,。
對(duì)于所有提升模式技術(shù)、靜電力顯微鏡和開(kāi)爾文探針力顯微鏡,,建議在中等硬度軟攻絲或力調(diào)制 AFM 懸臂上涂有低電阻率材料(如鉑或硅化鉑)的 AFM 探針(PtSi-FM,、PPP- EFM,EFM,,ElectriMulti75-G),。
nanoandmore PtSi-CONT-10說(shuō)明書(shū)
10 個(gè) AFM 探針盒
NANOSENSORS PtSi-CONT專(zhuān)為接觸模式(排斥模式)AFM 成像而設(shè)計(jì),。此外,,該探頭可用于力-距離光譜或脈沖力模式 (PFM)。由于力常數(shù)低,,CONT 類(lèi)型針對(duì)高靈敏度進(jìn)行了優(yōu)化,。對(duì)于需要耐磨且導(dǎo)電的 AFM的應(yīng)用,我們推薦這種類(lèi)型,。NANOSENSORS PtSi-CONT 適用于 C-AFM,、隧道 AFM (TUNA) 和掃描電容顯微鏡 (SCM)。
該 AFM 探頭具有*的功能:
具有優(yōu)異導(dǎo)電性和良好磨損性能的硅化鉑涂層
化學(xué)惰性
高機(jī)械品質(zhì)因數(shù),,高靈敏度
本產(chǎn)品在支架芯片的背面設(shè)有對(duì)齊槽,。
光束
0.2 牛/米 (0.02 - 0.77 牛/米)*
13 kHz (6 - 21 kHz)*
450 微米 (440 - 460 微米)*
50 微米 (42.5 - 57.5 微米)*
2 微米 (1 - 3 微米)*
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