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但是在實(shí)際測(cè)試體系情況下,，由于電解液存在一定的電阻 Ru,，Ru 是參比電極到工作電極表面電雙層（double layer）一邊的溶液電阻,。根據(jù)歐姆定律，這個(gè) Ru 就會(huì)產(chǎn)生一定壓降,，壓降的大小為 Vir= I*Ru,。這樣就造成工作電極上的實(shí)際電壓和相對(duì)參比電極而施加的電壓有所不同。如圖二所示,。
 

在大多數(shù)情況下此電壓降是不予考慮的,。但是當(dāng)實(shí)驗(yàn)時(shí)使用了低電導(dǎo)性的電解液，這個(gè)壓差比較大時(shí),，就需要考慮對(duì)此Vir降進(jìn)行補(bǔ)償,。通常可以使用微電極,，或者改變電解液的電導(dǎo)率來(lái)消除,，也可以采用自動(dòng)實(shí)時(shí)壓降補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)進(jìn)行補(bǔ)償。

 

補(bǔ)償電阻 Ru 的大小可以通過(guò)直流電流快速遮斷法或者采用 EIS 方法進(jìn)行測(cè)試,。EIS 要比直流電流快速折斷法更精確,。電流快速折斷方法是早期沒(méi)有 AC 技術(shù)的時(shí)候出現(xiàn)的。自從有 AC 技術(shù)之后,，EIS 成為選擇的測(cè)試技術(shù),。使用 EIS 技術(shù)時(shí)，測(cè)試 1K-100KHz 頻率范圍內(nèi)的交流阻抗譜,。在高頻區(qū),，相位為零時(shí)的阻值就是要補(bǔ)償?shù)碾娊庖弘娮?Ru，如圖三所示,。
 

獲得補(bǔ)償?shù)淖柚抵螅梢允褂谜答伒姆椒ㄟM(jìn)行實(shí)時(shí)補(bǔ)償,。通過(guò)不斷調(diào)節(jié)補(bǔ)償量（0%-*）直到出現(xiàn)振蕩為止,。例如 Ru 為 100? ，推薦補(bǔ)償值為 70 ? 到 90 ? ,。如果是 100 ? 全值補(bǔ)償,，有可能會(huì)出現(xiàn)自激震蕩現(xiàn)象。

 

下面使用 Zahner 的 Zennium 系列電化學(xué)工作站做一些實(shí)際測(cè)試,。測(cè)試時(shí)使用圖四所示的模擬元件電路,。
 

使用 EIS 測(cè)試技術(shù)，頻率范圍設(shè)定為 1Hz-100KHz,，得到的 EIS 譜圖后再進(jìn)行擬合,。擬合結(jié)

果和實(shí)際電路*一樣（考慮元件誤差）。Ru=100?,，Rp=1995 ?,電容為 993.8nF. 如圖五所示,。
 

當(dāng)進(jìn)行 CV 和 I/E 測(cè)試時(shí),，若果需要，點(diǎn)擊溶液補(bǔ)償 Ohnic drop 測(cè)試,，軟件可以自動(dòng)采用上面描述的交流阻抗的測(cè)試方法快速獲得 Ru 的值（圖六）,，然后就可以進(jìn)行溶液阻抗補(bǔ)償?shù)难h(huán)伏安測(cè)試。測(cè)試過(guò)程中電化學(xué)工作站進(jìn)行實(shí)時(shí)電壓補(bǔ)償,。補(bǔ)償前后的 CV 曲線(xiàn)如圖七和圖八所示,。自動(dòng)獲取溶液電阻Ru
 

圖七，紅色為未補(bǔ)償?shù)牡?CV 曲線(xiàn)藍(lán)色為 IR 補(bǔ)償后的 CV 曲線(xiàn)通過(guò)計(jì)算,，兩者之間的電阻差為 100 ? 左右,。這個(gè)正是電解液阻值 Ru。此時(shí)說(shuō)明 IR 的實(shí)時(shí)補(bǔ)償效果有效,。
 

圖八,，改變不同的補(bǔ)償電阻值，就會(huì)得到不同的 CV 曲線(xiàn),。在掃描電壓一樣時(shí),，電流值會(huì)依次增加，用以補(bǔ)償設(shè)置的 Ru,。
 

綜合以上測(cè)試結(jié)果,，Zahner 電化學(xué)工作站采用自動(dòng) EIS 方法測(cè)試補(bǔ)償電阻之 Ru，然后在CV或者 I/E 測(cè)試方法中進(jìn)行實(shí)時(shí)的自動(dòng)補(bǔ)償,。在實(shí)際體系測(cè)試時(shí),，可能由于體系的性質(zhì)不同，補(bǔ)償電阻的大小需要調(diào)整來(lái)實(shí)現(xiàn)*補(bǔ)償效果,。