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產(chǎn)品簡介
該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,，專用于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層,、外延層,、ITO導(dǎo)電箔膜,、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器
詳細(xì)介紹
| 測(cè)量范圍 | 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm； 方塊電阻：0.1～19999Ω/□,； |
| 恒流源 | 電流量程分為100μA,、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào) |
| 數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV,； 分辨力：10μV,； 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%,； 顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù),，直觀清晰；極性,、超量程自動(dòng)顯示； |
| 四探針探頭基本指標(biāo) | 間距：1±0.01mm,； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ,； 機(jī)械游移率：≤0.3%,； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓（總力）,； |
| 四探針探頭應(yīng)用參數(shù) | （見探頭附帶的合格證） |
| 模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 （ 按JJG508-87進(jìn)行） | 1Ω,、10Ω,、100Ω小于等于0.3%±1字 |
| 整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差 | （用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±5% |
| 整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 | ≤5% |
| 外型尺寸 | 185mm（長）*90mm（寬）*30mm（高） |
| 重量 | 350g |
| 電源 | 鋰電池,，一次充電可連續(xù)使用100小時(shí)； |
| 標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃,； 相對(duì)濕度：≤65%； 無高頻干擾,； 無強(qiáng)光直射； |