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該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專用于測(cè)量硅晶塊,、晶片電阻率及擴(kuò)散層,、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜,、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器,。

詳細(xì)介紹

RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,，于測(cè)量硅晶塊,、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層,、ITO導(dǎo)電箔膜,、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),、裝配,。具有功能選擇直觀,、測(cè)量取數(shù)快、精度高,、測(cè)量范圍寬,、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊,、易操作等特點(diǎn),。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
本儀器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶（多晶）生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測(cè)試,，半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠,、科研單位,、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

技　術(shù)　指　標(biāo) ：

便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配DS/RTS-2型或DS/RTS-2A型,，區(qū)別：測(cè)量范圍不一樣,。

DS/RTS-2測(cè)量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；方塊電阻：0.1～19999Ω/□,；
DS/ RTS-2A測(cè)量范圍	電阻率：0.001～199.99Ω.cm,；方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；
DS/RTS-2恒流源	電流量程分為100μA,、1mA兩檔,，各檔電流連續(xù)可調(diào)
DS/RTS-2A恒流源	電流量程分為1mA、10mA兩檔,，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV,；　　　　分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ,；精度：±0.1% ,；顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性,、超量程自動(dòng)顯示,；
四探針探頭基本指標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ,；機(jī)械游移率：≤0.3%,；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓（總力）,；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	（見(jiàn)探頭附帶的合格證）
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差（按JJG508-87進(jìn)行）	1Ω,、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差	（用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
外型尺寸	125mm（寬）145mm（高）245mm（深）
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃,；相對(duì)濕度：≤65%,；無(wú)高頻干擾,；無(wú)強(qiáng)光直射；

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