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[供應(yīng)]DS/RTS-4-數(shù)字式四探針測試儀
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  • DS/RTS-4-數(shù)字式四探針測試儀
貨物所在地:
北京北京市
更新時(shí)間:
2021-10-27 17:48:05
有效期:
2021年10月27日 -- 2022年4月28日
已獲點(diǎn)擊:
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產(chǎn)品簡介

該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,,專用于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。

詳細(xì)介紹

DS/RTS-4型數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備,。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,,于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
    儀器由主機(jī),、測試臺(tái),、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,,測量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,,亦可由計(jì)算機(jī)控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測試結(jié)果,。
    儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配,。具有功能選擇直觀,、測量取數(shù)快、精度高,、測量范圍寬,、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊,、易操作等特點(diǎn),。
    本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠,、科研單位,、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
 
 
 
   DS/ RTS-4型四探針軟件測試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測試界面的用戶程序,,通過此測試程序輔助使用戶簡便地進(jìn)行各項(xiàng)測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,。
    測試程序控制四探針測試儀進(jìn)行測量并采集測試數(shù)據(jù),把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析,,然后把測試數(shù)據(jù)以表格,,圖形直觀地記錄、顯示出來,。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看,,還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中,讓用戶對數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析
 
 
 
技 術(shù) 指 標(biāo)
 
 測量范圍
 電阻率:0.001~200Ω.cm(可擴(kuò)展),;  
 方塊電阻:0.01~2000Ω/□(可擴(kuò)展),;
 電導(dǎo)率:0.005~1000 s/cm
 電阻:0.001~200Ω.cm,;
可測晶片直徑
 140mmX150mm(配S-2A型測試臺(tái)),;
 200mmX200mm(配S-2B型測試臺(tái)),;
 400mmX500mm(配S-2C型測試臺(tái));
恒流源
 電流量程分為0.1mA,、1mA,、10mA、100mA四檔,,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表
 量程及表示形式:000.00~199.99mV,;    
 分辨力:10μV;
 輸入阻抗:>1000MΩ,;
 精度:±0.1% ,;
 顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性,、超量程自動(dòng)顯示,;
四探針探頭基本指標(biāo)
 間距:1±0.01mm;
 針間絕緣電阻:≥1000MΩ,;
 機(jī)械游移率:≤0.3%,;
 探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
 探針壓力:5~16 牛頓(總力),;
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)
 (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)
 0.1Ω,、1Ω、10Ω,、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測量zui大相對誤差
(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度
 ≤5%
計(jì)算機(jī)通訊接口
 并口,,高速并行采集數(shù)據(jù),連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5  秒,。連接電腦使用時(shí)帶自動(dòng)測量功能,,自動(dòng)選擇適合樣品測試電流量程;
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境
 溫度:23±2℃,;
 相對濕度:≤65%,;
 無高頻干擾;
 無強(qiáng)光直射,;
 

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