冰箱系統(tǒng)測(cè)水儀CD/USI-3

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
    以干燥載氣將被測(cè)樣件內(nèi)的殘留水載入儀器內(nèi)的電解池進(jìn)行吸收和電解,，通過(guò)所消耗的電量積分測(cè)知被測(cè)系統(tǒng)殘留水總量，并以mg為單位顯示,。
    該儀器適用于測(cè)定電冰箱或空調(diào)蒸發(fā)器,、冷凝器及其它封閉系統(tǒng)內(nèi)的殘留水總量，具有準(zhǔn)確,、快速,、操作方便等優(yōu)點(diǎn)，而且用戶可隨時(shí)很方便地用標(biāo)樣（一定量的蒸餾水）檢定儀器的可靠性,。
    
主要技術(shù)指標(biāo)：
測(cè)量范圍：0～100mg  （必要時(shí)可擴(kuò)大）
冰箱系統(tǒng)測(cè)水儀CD/USI-3準(zhǔn)確度：不大于±3%  （含水量大于1mg時(shí)）
        或不大于±0.030mg  （含水量小于或等于1mg時(shí)）
工作條件：電源：交流220±22V, 50～60Hz   直流：10～45V（僅供干燥時(shí)選用）
          環(huán)境溫度：5～40℃
          載氣（鋼瓶氮?dú)猓汉浚?00μL/L
                          流量 70±20 mL/min
外型尺寸：360mm（W）×160mm（H）×340mm（D） 
輸出信號(hào)：0～10mV ,，可選配RS232接口及軟件,，以保存數(shù)據(jù)和打印報(bào)告。
重 量：約5kg

電測(cè)水位計(jì) 型號(hào)：DP68BS

DP68BS系列便攜式電測(cè)水位計(jì)適用于地質(zhì),、礦山,、水文等部門的水文觀測(cè)孔、地質(zhì)鉆孔,、水井,、水庫(kù)大壩及江河湖海的直接測(cè)量zui后計(jì)算讀數(shù)之差得出zui后結(jié)果，以替代目前常用的測(cè)繩,、測(cè)鐘,、電線、萬(wàn)用表等原始落后的簡(jiǎn)易測(cè)水方法,。
DP68BS系列便攜式電測(cè)水位計(jì)由測(cè)線,、探頭、水位檢測(cè)器,、卷線輪,、支架、導(dǎo)電機(jī)構(gòu),、搖把,、皮背包等組成，其主要特點(diǎn)是體積小,、重量輕,、價(jià)格便宜、攜帶方便,。
測(cè)量方法：
技術(shù)特點(diǎn)：
① zui大測(cè)量深度：700m
② zui大測(cè)量誤差：≤±0.1%F.S（zui大±0.1
m/100m）,，達(dá)到ISO規(guī)定的三級(jí)水位計(jì)精度標(biāo)準(zhǔn)。
③ 探頭直徑：14mm,，探頭敏感區(qū)域≤±5mm,。
④ 重復(fù)測(cè)量精度：≤±10mm。
⑤ 測(cè)線技術(shù)條件：外徑2.0,，7/0.25鍍鋅鋼芯,，高密度聚乙烯緣，破斷拉≥25 kgf,。
⑥ 水位檢測(cè)器靈敏度：外接大地電阻≥500KΩ,。
⑦ 水位檢測(cè)器功耗：≤15mA。
⑧ 水位檢測(cè)器電源：6F22,、9V疊層電池,。
⑨ 使用環(huán)境：-20℃～+40℃，相對(duì)濕度85%,。
外形尺寸（mm）:330x86x220
探頭:Φ14

雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì) 遙測(cè)水位計(jì) 型號(hào)：XD2206-LD

雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì)多用于淤積非常嚴(yán)重的引黃灌區(qū)渠道或河道的水位監(jiān)測(cè),。雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì)為一體化水位遙測(cè)設(shè)備,，安裝在渠道邊上的安裝桿上，由于雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì),，利用電磁波作為傳輸介質(zhì),，因此測(cè)量精度不受溫度、潮濕,、風(fēng)速的影響,，是一款高精度、高可靠的水位測(cè)量設(shè)備,。 
雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì)特點(diǎn)： 
●雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì)采用一體化結(jié)構(gòu),，用于多淤積渠道或河道的高精度、高穩(wěn)定,、高可靠的水位測(cè)量,； 
●設(shè)備構(gòu)成：將雷達(dá)水位計(jì)、智能電路,、GPRS遠(yuǎn)程通訊電路,、現(xiàn)地?zé)o線射頻電路、密封殼,、太陽(yáng)能電池板及充電控制電路,、喇叭口雷達(dá)天線高度集成，一體化設(shè)計(jì),； 
●正常情況下,，水位上報(bào)次數(shù)每天1-24次，可由上位軟件設(shè)定,； 
●當(dāng)水位變化率過(guò)設(shè)定值時(shí)（即水位跳變）,，水位值立即上報(bào),，水位跳變值由上位軟件設(shè)定,； 
●水位上限可預(yù)設(shè)，水位過(guò)此值,， GPRS上報(bào)時(shí)間間隔可以任意由上位軟件設(shè)定,； 
●用無(wú)線手操器在10米范圍內(nèi)，可進(jìn)行水位校準(zhǔn),； 
●通過(guò)GPRS無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與遠(yuǎn)程上位計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,。

 相關(guān)產(chǎn)品：水位監(jiān)測(cè)軟件 XD-2C00

產(chǎn)品名稱：氣固相流化床催化反應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置 產(chǎn)品型號(hào)：TH-CHLHC

氣固相流化床催化反應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置 型號(hào)：TH-CHLHC
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?nbsp;
1、了解流化床反應(yīng)器的工作原理及結(jié)構(gòu),。 
2,、加氫、脫氫,、氧化,、烴化,、芳構(gòu)化、氨化等有機(jī)催化反應(yīng),。 
主要配置： 
流化床反應(yīng)器,、預(yù)熱器、計(jì)量泵,、風(fēng)機(jī),、氣體轉(zhuǎn)子流量計(jì)、濕式氣體流量計(jì),、溫控儀表,、壓力儀表、不銹鋼框架及控制屏,。 
技術(shù)參數(shù)： 
1,、不銹鋼反應(yīng)器：φ25×650mm。三段加熱,，總功率：3KW,，使用溫度：6000C。 
2,、預(yù)熱器：φ10×250mm,，加熱功率：1KW。 
3,、催化劑裝載量：10-150ml,。 
4、氣體轉(zhuǎn)子流量計(jì)量程：0.05-0.5L/min,。 
5,、風(fēng)機(jī)：采用HG-370W型空氣旋渦泵；功率：370W,；風(fēng)壓：11.76kPa,；風(fēng)量：48m3/h。 
6,、泵的型號(hào)微型隔膜計(jì)量泵,；功率：30W；流量：9L/h,；沖程頻率：120/minute,；吸程：2m。 
7,、濕式氣體流量計(jì)：型號(hào)：LML-2,，額定流量：0.5m3/h,容積：5L/轉(zhuǎn)，精度：±1%。 
8,、冷凝器：φ40×400mm,；氣液分離器：φ50×150mm。 
9,、各項(xiàng)操作及壓力,、流量的顯示、調(diào)節(jié),、控制全在控制屏板面進(jìn)行,。 
10、框架為不銹鋼材質(zhì),，結(jié)構(gòu)緊湊,，外形美觀，流程簡(jiǎn)單,、操作方便,。 
11、外形尺寸：1600×600×1800mm,。 
數(shù)據(jù)采集  配計(jì)算機(jī),、微機(jī)接口和數(shù)據(jù)處理軟件、溫度傳感器,、溫度巡檢儀,。能在線監(jiān)測(cè)溫度實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。

產(chǎn)品名稱：數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀/少子壽命測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：DZ-LT-100C

數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：ZD-LT-100C 
為解決太陽(yáng)能單晶,、多晶少子壽命測(cè)量,，特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。                                                        
      該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造,。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路,、晶體管、整流器件,、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),，證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法,，特別適合于硅塊,、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量,；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值,。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,，制樣簡(jiǎn)便。 

DZ-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn)： 
1、 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊,、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命,。表面無(wú)需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量,。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路,、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命,。 
2,、  可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無(wú)需拋光,、鈍化,。 
3、配備軟件的數(shù)字示波器,，液晶屏上直接顯示少子壽命值,，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī),。 
4,、配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源： 
a、紅外光源,，光穿透硅晶體深度較深≥500μm,，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。 
b,、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器,，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng),，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體,。 
5、測(cè)量范圍寬廣 
測(cè)試儀可直接測(cè)量： 
a,、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒,、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命,。 
b,、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片,。 
壽命可測(cè)范圍     0.25μS—10ms