射頻磁控濺射鍍膜裝置
型號,;KY-HRM-1
產(chǎn)品編號:TC-003271
可開設的實驗
1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理,;
2,、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍;
3,、磁控濺射法制備金屬膜,、半導體膜、化合物膜,、介質(zhì)膜等薄膜,。
主要技術參數(shù)
1、濺射鍍膜室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成;有效尺寸:Φ220×H230mm3,;
2,、濺射鍍膜室本底真空:≤1Pa;濺射腔限真空:6×10-1Pa,;
3,、濺射靶:Φ50mm,,濺射靶臺和濺射靶可調(diào)距離:20~60mm,;
4、基片加熱溫度可控范圍:室溫~300℃,;
5,、射頻源功率:500W,13.56MHz,;
6,、氣路系統(tǒng):由兩路轉(zhuǎn)子流量計控制(可選配質(zhì)量流量計);
7,、真空系統(tǒng):2XZ-4型旋片真空泵,,抽氣速率:4L/S,單相220V交流電源供電,;
8,、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警,,并執(zhí)行相應保護措施,;
9、供電電源:AC220V,,50Hz,,整機功率2KW。
射頻磁控濺射鍍膜裝置 型號:RT-RM-1
主要用途:本設備主要用于大專院校研究和開發(fā)納米級單層膜,;如各種硬質(zhì)膜,、金屬膜;也可以是非金屬,、化合物等薄膜材料,。可以進行直接濺射,,亦可以實現(xiàn)反應濺射,。
主要特點:結構簡捷、操作簡便,,真空度維護高,,安全可靠。
鍍膜機應安裝在干凈無塵埃、無腐蝕性氣體的室內(nèi),,并具備清潔水源,、及220V的穩(wěn)定電壓等條件的地方。
1,、地面的基本水平度要經(jīng)過調(diào)整,,不得高低不平;
2,、環(huán)境溫度:10℃~30℃,;
3、相對濕度:不大于75%,;
4,、耗水量(進水溫度≤25℃,2.5Kg≥水壓≥1.5Kg):約0.2T/h,;
5,、水質(zhì)要求:
矽酸硬度<6度,PH值:7-8,,電導率:200us/cm,沉積率:<200mg/L,。
6、電壓: 220V,,50HZ,,
電壓波動范圍: 198~231V;
頻率波動范圍:49~51Hz;
7,、水壓:0.3~1Kg/cm2或0.03~0.1MPa/cm2;
8,、充入氣體純度99.9%或以上;
9、鍍膜用耗材純度99.9%或以上,。
設備規(guī)格參數(shù)
1.1,、濺射處理室:
1、鐘罩:內(nèi)徑225mm×高度260mm,;
2,、試樣臺:直徑80mm(zui大);
3,、試樣旋轉(zhuǎn):靜止,;
4、擋板:手動,;
5,、襯底加熱器:不銹鋼加熱器(DC24V);
6,、襯底溫度范圍:室溫~200℃,;
7,、襯底可調(diào)距離:20mm~60mm;
8,、濺射室限真空:0.5Pa
1.2,、真空系統(tǒng):
1、抽氣系統(tǒng):由機械泵組成的一級真空系統(tǒng),;抽氣速率:4升/S
2,、真空檢測:電阻真空計、電阻規(guī),;
3,、常用真空度:1~20Pa
4、操作:手動
1.3,、濺射電源:
1,、射頻電源:頻率13.560MHZ,功率:500W,用表指示,;
2、阻抗匹配器范圍:(2.7~45)Ω-j(0~70)Ω,;
3,、供電:AC 220V;
4,、冷卻方式:風冷,;
1.4、 磁控靶:
1,、靶材直徑:Ф50mm,、 一個永磁靶;
2,、靶材厚度:3~6mm,;
1.5、進氣系統(tǒng):2路轉(zhuǎn)子流量計進氣,,
1.6,、電源要求:AC 220V 50Hz 10A
1.7、氣體要求:氬氣--純度99.9%(樣品有特殊要求時使用高純)
1.8,、冷卻要求:靶體水冷,,濺射電源風冷
1.9、體積重量:體積:L550mm×W680mm×H1480mm,;約120kg
![]() | 產(chǎn)品名稱:基本型電解雙噴儀 產(chǎn)品型號:TJ100-BE |
基本型電解雙噴儀 型號:TJ100-BE
TJ100-BE型電解雙噴儀是一款簡單實用的基本型電解雙噴減薄設備,。采購磁子驅(qū)動電解液涌流進行噴射拋光,拋光電壓,、破孔感光值,、泵流速度旋扭可調(diào),,具有穿孔自動報警功能。能夠使用少量電解液,,液氮冷卻方式,,簡單快速方便地進行金屬的電鏡樣品制備。
產(chǎn)品性能特點:
加液氮制冷方式,,控制盒與電解槽分開控制,,拋光破孔自動報警
拋光電壓、電流值液晶數(shù)字顯示
拋光電壓,、破孔感光值及泵流速度旋鈕可調(diào)
磁力涌流式噴射拋光,,進口PVC材料整體成型加工,無泄漏風險
直流無刷驅(qū)動電機封閉隔離式設計,,電機使用壽命長,,穩(wěn)定性好
電解電壓范圍:0-110V,電解電流:0-2A