產(chǎn)品名稱：金屬薄膜方塊電阻測試儀
產(chǎn)品型號(hào)：KDB-2B

KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡單,，測量,。  
儀器特點(diǎn)如下：  
1,、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時(shí),，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測全過程中的電流變化,，使操作更簡便,，測量更,。  
數(shù)字電壓表量程：0—19.999mV  靈敏度：1μV  輸入阻抗：1000ΜΩ  
 基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ,；  
2、方塊電阻測量范圍：1×10-5～1.9Ω/□,；  
3,、電流量程分兩檔：100mA和1000mA。