一,、研究背景

在當(dāng)今全球能源轉(zhuǎn)型的大背景下,，可再生能源的戰(zhàn)略意義日益凸顯。其中,，風(fēng)力發(fā)電以其資源豐富,、環(huán)境友好,、技術(shù)成熟度高等優(yōu)勢(shì)，在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用和快速發(fā)展,。

風(fēng)力發(fā)電作為可再生能源的重要組成部分,，其基本原理是利用風(fēng)力驅(qū)動(dòng)風(fēng)力發(fā)電機(jī)組的葉片旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而通過(guò)機(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能的過(guò)程,。

在這過(guò)程中,，電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊扮演著將風(fēng)能高效轉(zhuǎn)換為電能的橋梁角色。在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,，IGBT組件作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中的核心部件,，其性能直接關(guān)系到風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

多重角色

? 新能源汽車(chē)：IGBT用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和精確的電機(jī)控制,，從而提高車(chē)輛的加速性能和能效。

? 軌道交通：IGBT用于牽引傳動(dòng)系統(tǒng)和供電系統(tǒng),，確保列車(chē)的安全,、穩(wěn)定運(yùn)行。

? 風(fēng)力發(fā)電和太陽(yáng)能：IGBT用于風(fēng)力發(fā)電和太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng),，能夠?qū)L(fēng)能或太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能,，并輸送到電網(wǎng)中,。

二,、客戶情況

在涉及某一可再生能源項(xiàng)目，具體為風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,，當(dāng)前階段的核心任務(wù)需對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中內(nèi)置的IGBT組件進(jìn)行C-V特性分析,。

三、測(cè)試要求

1,、測(cè)試電壓：1300V

2,、要求測(cè)試電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部IGBT MOS管CV特性，確保其能滿足風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)對(duì)于高效能量轉(zhuǎn)換與精確控制的需求,。

四,、解決方案

根據(jù)上述測(cè)試要求，推薦TH513 半導(dǎo)體C-V特性分析儀,。

在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,，IGBT組件作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中的核心部件，其性能直接關(guān)系到風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性,。

C-V特性曲線是評(píng)估半導(dǎo)體材料和器件性能的重要方式,。通過(guò)對(duì)IGBT組件進(jìn)行C-V特性分析，可以深入了解其寄生電容,、損耗等關(guān)鍵參數(shù),，進(jìn)而優(yōu)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì),，提高風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的整體性能。

TH510系列是同惠根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì),，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器,。測(cè)試頻率為1kHz-2MHz，VGS電壓可達(dá)±40V,，VDS電壓可達(dá)±200V/±1500V/±3000V,，足以滿足大多數(shù)功率器件測(cè)試。具體型號(hào)如下：

1,、高壓適應(yīng)性

在風(fēng)力發(fā)電的初期階段,，尤其是在海上風(fēng)電領(lǐng)域，由于環(huán)境的特殊性,，往往伴隨著電壓挑戰(zhàn),。傳統(tǒng)設(shè)備受限于1200V的電壓輸出能力，難以滿足這些條件下的測(cè)試需求,。然而,，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，TH513應(yīng)運(yùn)而生,，它成功突破了這一傳統(tǒng)限制,，可覆蓋至3000V的高壓器件范圍，從而適配海上風(fēng)電等嚴(yán)苛且多變的場(chǎng)景,，為可再生能源的可靠利用開(kāi)辟了全新的道路,。

2、漏源高壓擊穿保護(hù)技術(shù)

在測(cè)試功率器件電容時(shí),，漏極D通常會(huì)加上高壓,，特別是第三代功率半導(dǎo)體器件，電壓甚至可高達(dá)1000V-3000V,，當(dāng)漏源瞬間擊穿時(shí),，常會(huì)導(dǎo)致電容器瞬間短路放電，在漏源電壓1500V時(shí),，放電電流可高達(dá)780A,，如此大的瞬間電流，會(huì)反沖至儀器內(nèi)部電路,，并導(dǎo)致?lián)p壞,。

同惠高壓擊穿保護(hù)技術(shù)，解決了此隱患,，避免經(jīng)常由于高壓沖擊損壞儀器,，降低了維修成本的同時(shí)提高了自動(dòng)化測(cè)試的效率。

3,、自動(dòng)化集成

TH513兼容 HANDLER 接口與 SCPI 等協(xié)議,，該設(shè)備能夠無(wú)縫對(duì)接各類(lèi)產(chǎn)線與先進(jìn)的智能測(cè)試系統(tǒng),，實(shí)現(xiàn)了測(cè)試流程的高度自動(dòng)化與集成化，從而顯著提升生產(chǎn)效率,，確保產(chǎn)品質(zhì)量的同時(shí),，縮短了測(cè)試周期，為制造流程帶來(lái)了更高效,、更靈活的解決方案,。

4、曲線掃描功能（選件）

在MOSFET的參數(shù)中,，CV特性曲線也是一個(gè)非常重要的指標(biāo),，如下圖：

TH510系列支持C-V特性曲線分析，可以以對(duì)數(shù),、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描,，可同時(shí)顯示多條曲線：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線,；同一Vg,、不同參數(shù)多條曲線。

TH510系列同時(shí)支持多種曲線掃描模型

曲線支持散點(diǎn)標(biāo)記及粗細(xì)調(diào)節(jié)

Ciss-Rg曲線掃描

5,、TH513-1測(cè)試夾具

TH513-1 是專用于TH513 半導(dǎo)體C-V特性分析儀的測(cè)試夾具之一,，專為實(shí)驗(yàn)室高精度測(cè)試設(shè)計(jì)。內(nèi)置Interlock安全聯(lián)鎖模塊,，符合安全標(biāo)準(zhǔn),。配合TH513-1A、TH513-247-4L（選配）治具工裝可以測(cè)試TO-220,、TO-247,、RO-247-4L等封裝類(lèi)型的直插功率器件。另外TH513-1還配備3根測(cè)試夾,，可以測(cè)試模組、非標(biāo)準(zhǔn)封裝的器件,。

艾克賽普公司是同惠湖南授權(quán)代理商,，如果您有TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀需求或任何疑問(wèn)，歡迎聯(lián)系我們,，將提供免費(fèi)樣機(jī)上門(mén)試用和更合適的測(cè)試解決方案,。