日置發(fā)布了電壓偏置測試系統(tǒng)CN010,，通過日置LCR測試儀,、電壓偏置單元搭配定制的測試軟件，幫助半導(dǎo)體行業(yè)的用戶快速完成SiC,、GaN,、MLCC的偏壓測試，輕松把握半導(dǎo)體器件的直流偏置特性研究,。

一,、測試原理

C-V測量被廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)。研發(fā)端的工程師通常使用C-V測量技術(shù)來評估新材料,，并在開發(fā)前進行驗證和評估,。測試端工程師將對供應(yīng)商的一些無源元件和電源裝置及材料進行資格檢查，以檢測工藝參數(shù),。

HIOKI日置C-V測試系統(tǒng)的回路結(jié)構(gòu)圖如下所示,，使用LCR表的四端測試方法，將電壓源的負端連接到LCR的保護端,，并通過偏置單元將其應(yīng)用到被測對象的兩端,。采用交流信號注入法獲得了不同偏置電壓下的阻抗、相位,、電容,、損耗因子等相關(guān)電參數(shù)，并用PC軟件繪制了特性曲線,。

直流電壓偏置電路

二,、測試應(yīng)用

1、薄膜電容MLCC(Multi-layor ceramic capacitor)

MLCC貼片電容自身的直流偏壓特性（DC Bias Characteristics）—— 在MLCC兩端施加直流電壓時,，直流偏置對極化機制的箝位效應(yīng)使偶極子的自由翻轉(zhuǎn)更加困難,。與不施加直流電壓時相比,，電壓的增加使其介電常數(shù)逐漸變小，導(dǎo)致兩端直流電壓增加過程中呈下降趨勢,。

大容量的陶瓷電容的標稱容值隨著外部直流工作點的變化而明顯地變化（例如DCDC的輸出濾波電容等）,，因此，在設(shè)計電路時需要考慮,、計算和驗證,。

2、二極管結(jié)電容

結(jié)電容是二極管的寄生參數(shù),。由內(nèi)部載流子的物理特性形成的電容效應(yīng)可以看作是與二極管并聯(lián)的等效電容,。結(jié)電容分為勢壘電容和擴散電容。在PN結(jié)外施加正偏壓時,，結(jié)電容主要是擴散電容,。反向偏置電壓作用于PN結(jié)時，結(jié)電容主要是勢壘電容,。在高頻電路設(shè)計中,，應(yīng)根據(jù)實際情況考慮結(jié)電容的影響,。

3,、MOSFET的寄生電容&米勒效應(yīng)

一般MOSFET的Datasheet中與寄生電容相關(guān)的參數(shù)為表中的Ciss、Coss,、Crss,，這三項是影響開關(guān)特性的重要參數(shù)，制造商將開關(guān)特性分為動態(tài)特性（Dynamic Characteristic）,，應(yīng)標記相關(guān)試驗條件,，以供工程師參考。上述寄生電容取決于漏源極電壓VDS,。當VDS增大時,，C值趨于減小。HIOKI日置的C-V解決方案可以描繪出各寄生參數(shù)關(guān)于VDS的特性曲線,。

下面簡單介紹MOSFET的一般動作過程：可以簡單地理解為MOSFET的輸入電容（主要是柵源電容CGS）通過驅(qū)動源的充放電過程,；當CGS達到閾值電壓時，MOS管逐漸開啟,。然后VDS開始下降,，Id開始上升，MOS管進入飽和區(qū),。然而,，由于米勒效應(yīng)，VGS在一段時間內(nèi)不會上升,。雖然ID已達到峰值,，但VDS繼續(xù)下降，直到米勒電容器充電，VGS恢復(fù)到驅(qū)動電壓值,。此時,，VDS歸零，開口結(jié)束,。

上述動態(tài)過程影響MOS的許多特性,，如動作時間、驅(qū)動容量和開關(guān)損耗,，在驅(qū)動電路的設(shè)計中經(jīng)常對這些特性進行評估和考慮,。

（圖1）電容等效電路

（圖2）電容與 VDS

三、系統(tǒng)構(gòu)成

CN010電壓偏置測試系統(tǒng)由HIOKI日置LCR測試儀/阻抗分析儀,、電壓偏置單元,、電源及通訊設(shè)備構(gòu)成。具體可參考下文的參數(shù)規(guī)格,。

四,、參數(shù)規(guī)格

1、主機規(guī)格

2,、產(chǎn)品參數(shù)

五,、結(jié)語

電壓偏置測試系統(tǒng)CN010擁有豐富的選件，硬件系統(tǒng)涵蓋了廣泛的測試需求,，通過全面的性能評估和預(yù)驗證,，為客戶提供可靠、準確的測試方案,。同時,，其友好的圖標顯示界面和實時數(shù)據(jù)保存可以幫助用戶提高開發(fā)效率。

艾克賽普公司（Accexp）是日置HIOKI湖南授權(quán)代理商,，如果您對電壓偏置測試系統(tǒng)有需求,，歡迎聯(lián)系我們，將提供免費樣機試用和更合適的測試解決方案,。