作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,，開關(guān)電源的電壓,、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),，主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,，具有更大的隨意性,，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估計的難度。

1MHz以內(nèi)

以差模干擾為主,，增大X電容就可解決,。

1MHz～5MHz

差模共模混合,，采用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決,。

5MHz～10MHz

以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法,。

10MHz～25MHz

對于外殼接地的,，在地線上用一個磁環(huán)繞2圈會對10MHz以上干擾有較大的衰減,。

25～30MHz

可以采用加大對地Y電容、在變壓器外面包銅皮,、改變 PCBLAYOUT,、輸出線前面接一個雙線并繞的小磁環(huán)，最少繞10圈,，在輸出整流管兩端并RC濾波器,。

30MHz～50MHz

普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動電阻,，RCD緩沖電路采用1N4007 慢管,，VCC供電電壓用1N4007慢管來解決。

100～200MHz

普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,，可以在整流管上串磁珠,。

100MHz～200MHz

大部分出于PFCMOSFET及PFC二極管，現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,，水平方向基本可以解決問題,，但垂直方向就很無奈了。

開關(guān)電源的輻射一般只會影響到100MHz以下的頻段,。也可以在MOS二極管上加相應(yīng)吸收回路,，但效率會有所降低。

設(shè)計開關(guān)電源時防止EMI的措施：

1,、把噪音電路節(jié)點(diǎn)的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開關(guān)管的漏極,、集電極、初次級繞組的節(jié)點(diǎn)等,。

2,、使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件，如變壓器線包,、變壓器磁芯,、開關(guān)管的散熱片等。

3,、使噪音元件(如未遮蔽的變壓器線包,、未遮蔽的變壓器磁芯、開關(guān)管等)遠(yuǎn)離外殼邊緣,，因為在正常操作下外殼邊緣很可能靠近外面的接地線,。

4、如果變壓器沒有使用電場屏蔽,，要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器,。

5、盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級(輸出)整流器、初級開關(guān)功率器件,、柵極(基極)驅(qū)動線路,、輔助整流器等。

6,、不要將門極(基極)的驅(qū)動返饋環(huán)路和初級開關(guān)電路或輔助整流電路混在一起,。

7、調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值,，使它在開關(guān)的死區(qū)時間里不產(chǎn)生振鈴響聲,。

8、防止EMI濾波電感飽和,。

9,、使拐彎節(jié)點(diǎn)和次級電路的元件遠(yuǎn)離初級電路的屏蔽體或者開關(guān)管的散熱片。

10,、保持初級電路的擺動的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片,。

11、使高頻輸入的 EMI 濾波器靠近輸入電纜或者連接器端,。

12,、保持高頻輸出的 EMI 濾波器靠近輸出電線端子。

13,、使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離,。

14、在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻,。

15,、在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

16,、在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻,。

17、在PCB設(shè)計時允許放1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻,，跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間,。

18、保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器,，尤其是避免定位在繞包的端部,。

19、在PCB面積足夠的情況下,，可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置,，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

20,、空間允許的話在開關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個小徑向引線電容器(米勒電容，10皮法/1千伏電容)。

21,、空間允許的話放一個小的RC阻尼器在直流輸出端,。

22、不要把AC插座與初級開關(guān)管的散熱片靠在一起,。