一,、研究背景

隨著我國加快實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和"的目標(biāo),，電氣化替代已成為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的關(guān)鍵,。近年來新能源呈爆發(fā)式增長，充電樁作為新能源汽車的基礎(chǔ)配套設(shè)備,，其數(shù)量與質(zhì)量也是消費(fèi)者選擇電動(dòng)汽車的重要影響因素,。當(dāng)前，MOSFET在國內(nèi)充電樁企業(yè)批量應(yīng)用,，是新能源汽車充電樁的“心臟",。

MOSFET即金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱MOS管，主要有三個(gè)引腳：漏極,、源極和柵極,，屬于絕緣柵型，其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻,。

二、為什么要測試MOSFET的好壞,？

在充電樁中,，開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，MOS管可以利用電場效應(yīng)來控制其電流大小,，當(dāng)使用有故障的MOS管時(shí),，會(huì)發(fā)生漏極到柵極的短路，對電路有害,，而MOS管是實(shí)現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換,，確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關(guān)鍵器件。

具體測試方案如下：

1,、測試對象

（為保護(hù)客戶信息安全,，圖片來源于網(wǎng)絡(luò)，僅供參考）

2,、測試要求

VGS:20V左右,，VDS：0-1000V，做來料檢測,，需要能呈現(xiàn)MOS產(chǎn)品規(guī)格書里的C-V特性曲線,，測試輸入、輸出,、反向傳輸電容,。

3,、測試過程

MOSFET或IGBT最重要的四個(gè)寄生參數(shù)：Ciss,、Coss、Crss,、Rg,，Cies、Coes,、Cres,、Rg均可一鍵測試，TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀10.1寸大屏可同時(shí)將測量結(jié)果,、等效電路圖,、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時(shí)顯示，一目了然。

一鍵測試單管器件器件時(shí),，無需頻繁切換測試腳位,、測量參數(shù)、測量結(jié)果,，大大提高了測試效率,。

三、TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀

1,、列表測試,，多個(gè)、多芯,、模組器件測量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)單管器件,、6芯器件或6模組器件測試，所有測量參數(shù)通過列表掃描模式同時(shí)顯示測試結(jié)果及判斷結(jié)果,。

2,、曲線掃描功能（選件）

在MOSFET的參數(shù)中，CV特性曲線也是一個(gè)非常重要的指標(biāo),，如下圖

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析,，可以以對數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描,，可同時(shí)顯示多條曲線：同一參數(shù),、不同Vg的多條曲線；同一Vg,、不同參數(shù)多條曲線,。

3、接觸檢查（Contact）功能,，提前排除自動(dòng)化測試隱患

在高速測試特別是自動(dòng)化測試中,，經(jīng)常會(huì)由于快速插拔或閉合，造成測試治具或工裝表面磨損而接觸不良,，接觸不良造成的最直接后果是誤判測試結(jié)果而難以發(fā)現(xiàn),，在廢品率突然增加或發(fā)出產(chǎn)品故障原因退回時(shí)才會(huì)發(fā)現(xiàn)，因此是一個(gè)極大的隱患,。

同惠TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀采用了硬件測試方法,，可及時(shí)發(fā)現(xiàn)接觸不良故障，出現(xiàn)故障之后自動(dòng)停止測試并在測試界面提供接觸不良點(diǎn)提示,。

保障了結(jié)果的準(zhǔn)確性,，同時(shí)利于客戶及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題，避免了不良品率提高及故障品退回等帶來的損失,。

4,、快速通斷測試（OP_SH）,，排除損壞器件

在半導(dǎo)體器件特性測試時(shí)，由于半器件本身是損壞件,，特別是多芯器件其中一個(gè)芯已經(jīng)損壞的情況下,，測試雜散電容仍有可能被為合格，而半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通特性才是最重要的特性,。

因此,，對于本身導(dǎo)通特性不良的產(chǎn)品進(jìn)行C-V特性測試是沒有必要的，不僅僅浪費(fèi)了測量時(shí)間,，同時(shí)會(huì)由于C-V合格而混雜在良品里,，導(dǎo)致成品出貨后被退回帶來損失。

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試（OP_SH）功能,，可用于直接判斷器件本身導(dǎo)通性能,。

5、模組式器件設(shè)置,，支持定制

針對模組式器件如雙路（Dual）MOSFET,、多組式IGBT，有些器件會(huì)有不同類型芯片混合式封裝,；TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優(yōu)化,，常見模組式芯片Demo已內(nèi)置，特殊芯片支持定制,。