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壓力傳感器的分為四個(gè)階段：
1發(fā)明階段（1945-1960年）
這個(gè)階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志。此后,，半導(dǎo)體材料的這一特性得到較廣泛應(yīng)用,。史密斯（C.S.Smith）與1945發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應(yīng)，即當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí),，其電阻將明顯發(fā)生變化,。依據(jù)此原理制成的壓力傳感器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號轉(zhuǎn)化為電信號進(jìn)行測量,。此階段zui小尺寸大約為1cm,。
2發(fā)展階段（1960-1970年）
隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展，技術(shù)人員在硅的（001）或（110）晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上,，然后在背面加工成凹形,，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小,、重量輕,、靈敏度高、穩(wěn)定性好,、成本低,、便于集成化的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了金屬-硅共晶體,，為商業(yè)化發(fā)展提供了可能,。
3商業(yè)化階段（1970-1980年）
在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù)，擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主,，發(fā)展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù),，主要有V形槽法、濃硼自動中止法,、陽極氧化法自動中止法和微機(jī)控制自動中止法,。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕，數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí)生產(chǎn),，實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式,，成本進(jìn)一步降低。
4微機(jī)械加工階段（1980年-）
上世紀(jì)末出現(xiàn)的納米技術(shù),，使得微機(jī)械加工工藝成為可能,。通過微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力傳感器，其線度可以控制在微米級范圍內(nèi),。利用這一技術(shù)可以加工,、蝕刻微米級的溝、條,、膜,，使得壓力傳感器進(jìn)入了微米階段。

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