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JESD22高溫高壓蒸煮試驗(yàn)可靠性評(píng)估分析的意義：

可靠性（Reliability）則是對(duì)產(chǎn)品耐久力的測(cè)量, 我們主要 典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線（Bathtub Curve）來表示。

 集成電路得失效原因大致分為三個(gè)階段：
Region （I） 被稱為早夭期（Infancy period）, 這個(gè)階段產(chǎn)品的失效率快速下降,，造成失效的原因在于IC設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中的缺陷,；
Region （II） 被稱為使用期（Useful life period）, 這個(gè)階段產(chǎn)品的失效率保持穩(wěn)定，失效的原因往往是隨機(jī)的,，比如溫度變化等等,；
Region （III） 被稱為磨耗期（Wear-Out period） 這個(gè)階段產(chǎn)品的失效率會(huì)快速升高，失效的原因就是產(chǎn)品的長期使用所造成的老化等,。 
軍工級(jí)器件老化篩選,；
元器件壽命試驗(yàn)；
ESD等級(jí),、Latch_up測(cè)試評(píng)價(jià),；
高低溫性能分析試驗(yàn)；
集成電路微缺陷分析,；
封裝缺陷無損檢測(cè)及分析,；
電遷移、熱載流子評(píng)價(jià)分析,；
根據(jù)試驗(yàn)等級(jí)分為如下幾類：
一,、使用壽命測(cè)試項(xiàng)目（Life test items）：EFR, OLT （HTOL）, LTOL 
①EFR:早期失效等級(jí)測(cè)試（ Early fail Rate Test ）
目的: 評(píng)估工藝的穩(wěn)定性，加速缺陷失效率,，去除由于天生原因失效的產(chǎn)品,。 
測(cè)試條件: 在特定時(shí)間內(nèi)動(dòng)態(tài)提升溫度和電壓對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試 
失效機(jī)制：材料或工藝的缺陷，包括諸如氧化層缺陷,，金屬刻鍍,，離子玷污等由于生產(chǎn)造成的  失效。
參考標(biāo)準(zhǔn)：
JESD22-A108-A 
EIAJED- 4701-D101 
②HTOL/ LTOL：高/低溫操作生命期試驗(yàn)（High/ Low Temperature Operating Life ）
目的: 評(píng)估器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力 
測(cè)試條件: 125℃,，1.1VCC, 動(dòng)態(tài)測(cè)試 
失效機(jī)制：電子遷移,，氧化層破裂，相互擴(kuò)散,，不穩(wěn)定性,，離子玷污等 
參考數(shù)據(jù)： 
125℃條件下1000小時(shí)測(cè)試通過IC可以保證持續(xù)使用4年，2000小時(shí)測(cè)試持續(xù)使用8年,；150℃ 1000小時(shí)測(cè)試通過保證使用8年,，2000小時(shí)保證使用28年,。
參考標(biāo)準(zhǔn):
MIT-STD-883E Method 1005.8 
JESD22-A108-A 
EIAJED- 4701-D101 
二,、環(huán)境測(cè)試項(xiàng)目（Environmental test items） 
PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test, Solder Heat Test 
①PRE-CON:預(yù)處理測(cè)試（ Precondition Test ）
目的: 模擬IC在使用之前在一定濕度，溫度條件下存儲(chǔ)的耐久力,，也就是IC從生產(chǎn)到使用之間存儲(chǔ)的可靠性,。 
②THB: 加速式溫濕度及偏壓測(cè)試（Temperature Humidity Bias Test ）
目的: 評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫，高濕,，偏壓條件下對(duì)濕氣的抵抗能力,，加速其失效進(jìn)程 
測(cè)試條件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias 
失效機(jī)制：電解腐蝕 
參考標(biāo)準(zhǔn): 
JESD22-A101-D 
EIAJED- 4701-D122 
③高加速溫濕度及偏壓測(cè)試（HAST: Highly Accelerated Stress Test ）
目的: 評(píng)估IC產(chǎn)品在偏壓下高溫,，高濕,，高氣壓條件下對(duì)濕度的抵抗能力，加速其失效過程 
測(cè)試條件: 130℃,， 85%RH, 1.1 VCC, Static bias,，2.3 atm 
失效機(jī)制：電離腐蝕，封裝密封性 
參考標(biāo)準(zhǔn):
JESD22-A110 
④PCT:高壓蒸煮試驗(yàn) Pressure Cook Test （Autoclave Test） 
目的: 評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫，高濕,，高氣壓條件下對(duì)濕度的抵抗能力,，加速其失效過程 
測(cè)試條件: 130℃， 85%RH, Static bias,，15PSIG（2 atm） 
失效機(jī)制：化學(xué)金屬腐蝕,，封裝密封性 
參考標(biāo)準(zhǔn):
JESD22-A102 
EIAJED- 4701-B123 
*HAST與THB的區(qū)別在于溫度更高,，并且考慮到壓力因素，實(shí)驗(yàn)時(shí)間可以縮短,，而PCT則不加偏壓，但濕度增大,。 
⑤TCT: 高低溫循環(huán)試驗(yàn)（Temperature Cycling Test ）
目的: 評(píng)估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環(huán)流動(dòng)的空氣從高溫到低溫重復(fù)變化,。 
測(cè)試條件: 
Condition B:-55℃ to 125℃ 
Condition C: -65℃ to 150℃ 
失效機(jī)制：電介質(zhì)的斷裂，導(dǎo)體和絕緣體的斷裂,，不同界面的分層 
參考標(biāo)準(zhǔn):
MIT-STD-883E Method 1010.7 
JESD22-A104-A 
EIAJED- 4701-B-131 
⑥TST: 高低溫沖擊試驗(yàn)（Thermal Shock Test ）
目的: 評(píng)估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環(huán)流動(dòng)的液體從高溫到低溫重復(fù)變化,。
測(cè)試條件: 
Condition B: - 55℃ to 125℃ 
Condition C: - 65℃ to 150℃ 
失效機(jī)制：電介質(zhì)的斷裂，材料的老化（如bond wires）, 導(dǎo)體機(jī)械變形 
參考標(biāo)準(zhǔn)： 
MIT-STD-883E Method 1011.9 
JESD22-B106
EIAJED- 4701-B-141 
* TCT與TST的區(qū)別在于TCT偏重于package 的測(cè)試,，而TST偏重于晶園的測(cè)試 
⑦HTST: 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)（High Temperature Storage Life Test ）
目的: 評(píng)估IC產(chǎn)品在實(shí)際使用之前在高溫條件下保持幾年不工作條件下的生命時(shí)間。 
測(cè)試條件: 150℃ 
失效機(jī)制：化學(xué)和擴(kuò)散效應(yīng),，Au-Al 共金效應(yīng) 
參考標(biāo)準(zhǔn): 
MIT-STD-883E Method 1008.2 
JESD22-A103-A 
EIAJED- 4701-B111 
⑧可焊性試驗(yàn)（Solderability Test ）
目的: 評(píng)估IC leads在粘錫過程中的可靠度 
測(cè)試方法: 
Step1：蒸汽老化8 小時(shí) 
Step2：浸入245℃錫盆中 5秒 
失效標(biāo)準(zhǔn)（Failure Criterion）：至少95％良率 
具體的測(cè)試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn) 
MIT-STD-883E Method 2003.7 
JESD22-B102 
⑨SHT Test:焊接熱量耐久測(cè)試（ Solder Heat Resistivity Test ）
目的: 評(píng)估IC 對(duì)瞬間高溫的敏感度 
測(cè)試方法: 侵入260℃ 錫盆中10秒 
失效標(biāo)準(zhǔn)（Failure Criterion）：根據(jù)電測(cè)試結(jié)果 
具體的測(cè)試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn) 
MIT-STD-883E Method 2003.7 
EIAJED- 4701-B106

三,、耐久性測(cè)試項(xiàng)目（Endurance test items ）
Endurance cycling test, Data retention test 
①周期耐久性測(cè)試（Endurance Cycling Test ）
目的: 評(píng)估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫算后的持久性能 
Test Method: 將數(shù)據(jù)寫入memory的存儲(chǔ)單元,，在擦除數(shù)據(jù)，重復(fù)這個(gè)過程多次 
測(cè)試條件: 室溫,，或者更高,，每個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達(dá)到100k~1000k 
參考標(biāo)準(zhǔn):
MIT-STD-883E Method 1033 
②數(shù)據(jù)保持力測(cè)試（Data Retention Test）
目的: 在重復(fù)讀寫之后加速非揮發(fā)性memory器件存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電荷損失 
測(cè)試條件: 在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫入memory存儲(chǔ)單元后，多次讀取驗(yàn)證單元中的數(shù)據(jù) 
失效機(jī)制：150℃ 
參考標(biāo)準(zhǔn)： 
MIT-STD-883E Method 1008.2 
MIT-STD-883E Method 1033