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本標(biāo)準(zhǔn)是GB/T 5170 《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法》系列標(biāo)準(zhǔn)之一。

本標(biāo)準(zhǔn)是GB 5170.8-85的修訂本,，技術(shù)內(nèi)容主要有如下變化：

…明確本標(biāo)準(zhǔn)適用于環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備在使用期間的周期檢定,。以區(qū)別于產(chǎn)品的型式試驗(yàn)、出廠檢驗(yàn)等,。

…溫度測量點(diǎn)的數(shù)量及布放位置以設(shè)備工作室容積2cm³為界,，不大于2cm³時(shí)為9點(diǎn)，大于2 cm³時(shí)為15點(diǎn),。

…溫度偏差的測量時(shí)間由24h縮短為30min。

本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起,，代替GB 5170.8-85,。

△T_max= T_max- T_N

△T_min= T_min- T_N

式中：△T_max—溫度上偏差，℃,；

• T_min——溫度下偏差,，℃；

T_max—n次測量中測得的高溫度,，℃,；

T_max——n次測量中測得的低溫度，℃,；

T_N—標(biāo)稱溫度,。

8.2鹽霧沉降率

   按下式計(jì)算測點(diǎn)的鹽霧沉降率：

G=l/t V

式中：G—鹽霧沉降北，Ml/（h×80cm²）,；

V—鹽霧沉降量,，Ml/80cm²；

T—連續(xù)噴霧時(shí)間，h,。

8.3上述各項(xiàng)檢定結(jié)果應(yīng)符合GB/T 2423.17和GB 2423.18的有關(guān)要求,。

6.1.5若在某測量點(diǎn)上測得的數(shù)據(jù)不符合要求時(shí)，可適當(dāng)放寬該測量點(diǎn)到箱壁的距離,，并在檢定報(bào)告中予以記載,。

6.2 鹽霧沉降量測量點(diǎn)

6.2.1工作容積不大于2m³時(shí),測量點(diǎn)5個(gè),除中習(xí)點(diǎn)3外,其他各點(diǎn)與試驗(yàn)設(shè)備內(nèi)壁的距離約為150mm,如圖3.中心位置有噴霧塔時(shí),中心點(diǎn)可離噴霧塔適當(dāng)距離。

                      圖3

6.2.2工作室容積大于2m³時(shí),測量點(diǎn)為9個(gè),除中心點(diǎn)5外,其他各點(diǎn)懷內(nèi)壁距離均為170mm,如圖4.中心位置有噴霧塔時(shí),中心點(diǎn)可離噴霧塔適當(dāng)距離,。

圖4

6.2.3玻璃漏斗位于測量點(diǎn)上,其上平面與工作室底面的高度為工作室高度的1/3,。

7檢定步驟

7.1溫度偏差的測量

• 在各溫度測量點(diǎn)安裝溫度傳感器。
• 將檢定負(fù)載均勻地布放在工作空間內(nèi),。
• 使試驗(yàn)設(shè)備升溫至35℃并連續(xù)噴霧,。
• 在所有溫度傳感器達(dá)到35℃并保持在規(guī)定容差范圍內(nèi)后,在30min內(nèi),每2min測量全部測量點(diǎn)的溫度值1次,共測15次,并予以記錄。

7.2鹽霧沉降量的測量

• 將玻璃漏斗穿過橡皮塞固定在量筒上,布放在圖3,、圖4所示測量點(diǎn)的位置上,。
• 將試驗(yàn)設(shè)備的溫度升到35℃±2℃，連續(xù)噴霧16h,。
• 噴霧停止后立即取出量筒,，記錄收集到的溶液量。

8數(shù)據(jù)處理與檢定結(jié)果

8.1溫度差

• 對7.ld)的測量數(shù)據(jù)按測量儀器的修正值進(jìn)行修正,。
• 按下式計(jì)算溫度偏差:

----容量50ml的量筒,。

5檢定條件

5.1受檢設(shè)備的外觀和安全條件應(yīng)符合GB/T 5170.1-1995第8章的要求。

5.2檢定氣候環(huán)境條件,、電源條件,、用水條件應(yīng)滿足GB/T 5170.1-1995第4章的要求。

5.3檢定應(yīng)在受檢設(shè)備負(fù)載條件下進(jìn)行,。

   鹽霧試驗(yàn)設(shè)備的檢定負(fù)載為50mm×100mm×(1～2)mm的鋼板,，數(shù)量按工作空間水平橫截面積每平方米不少于160塊計(jì)。

6測量點(diǎn)的數(shù)量及位置

6.1溫度測量點(diǎn)

6.1.1在被檢定設(shè)備工作室內(nèi),定出上,、中,、下三個(gè)水平層面(簡稱上、中,、下三層);上層與工作室頂面的距離是工作室高度的1/10,中層通過工作室?guī)缀沃行狞c(diǎn),下層在底層樣品架上方10mm處.

6.1.2測量點(diǎn)位于上,、中、下三層,如圖1和圖2,用O,、A,、B、C,、D,、E、F、G,、H,、J、K,、L,、M、N,、U表示.

6.1.3工作室容積不大于2m³時(shí),測量點(diǎn)為9個(gè),位置如圖1.

    門                    門                      門

    上層                  中層                   下層

圖1

測量點(diǎn)O位于工作室的幾何中心(或離噴霧塔適當(dāng)距離)其他各測量點(diǎn)與試驗(yàn)設(shè)備內(nèi)壁的距離為各邊長的1/10,但不小于50mm.

6.1.4工作室容積大于2 m³時(shí),測量點(diǎn)為15個(gè),位置如圖2.

     門                   門                       門

     上層                 中層                     下層

測量點(diǎn)E,、O、U分別位于上,、中,、下層的幾何中心，其他各測量點(diǎn)與試驗(yàn)設(shè)備內(nèi)壁的距離為各自邊長的1/10,，但不小于50mm,。