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超聲波探傷儀探頭介紹
點(diǎn)擊次數(shù)：1587 發(fā)布時(shí)間：2016-3-24
超聲波探傷儀探頭主要由壓電晶片組成,。探頭可發(fā)射及接收超聲波,。探頭由于其結(jié)構(gòu)的不同可分為直探頭（縱波）、斜探頭（橫波）,、表面波探頭（表面波）,、蘭姆波探頭（蘭姆波）、可變角探頭（縱波,、橫波,、表面波、蘭姆波）,、雙探頭（一個(gè)探頭發(fā)射,，另一個(gè)探頭接收）、聚焦探頭（將聲波聚集為一細(xì)束）,、水浸探頭（可浸在液體中）以及其它探頭（如探高壓瓷瓶的S型或扁平探頭或探人體用的醫(yī)用探頭）等,。
直探頭 直探頭也稱(chēng)平探頭，可發(fā)射及接受縱波,。直探頭主要由壓電晶片,、阻尼塊（吸收塊）及保護(hù)膜組成。（1）壓電晶片 壓電晶片的厚度與超聲頻率成反比,。例如鋯鈦酸鉛（PZT-5）的頻率厚度常數(shù)為1890千赫/毫米,，晶片厚度為1毫米時(shí)，自然頻率為1.89兆赫,，厚度為0.7毫米時(shí),，自然頻率約2.5兆赫。電壓晶片的直徑與擴(kuò)散角成反比,。電壓晶片兩面敷有銀層,，作為導(dǎo)電的極板，晶片底面接地線,，晶片上面接導(dǎo)線引至電路上,。（2）保護(hù)膜 直探頭為避免晶片與工件直接接觸而磨損晶片，在晶片下粘合一層保護(hù)膜,，有軟性保護(hù)和硬性保護(hù)兩種,。軟性的可用塑料薄膜（厚約0.3毫米）,，與表面粗糙的工件接觸較好。硬性可用不銹鋼片或陶瓷片,。保護(hù)膜的厚度為二分之一波長(zhǎng)的整數(shù)倍,，聲波穿透率zui大。厚度為四分之一波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí),，穿透率zui小,。晶片與保護(hù)膜粘合后，探頭的諧振頻率將降低,。保護(hù)膜與晶片粘合時(shí),，粘合層應(yīng)盡可能的薄，不得滲入空氣,。粘合劑的配方為 618環(huán)氧樹(shù)脂：二乙烯三胺：鄰苯二甲酸二丁酯=100：8：10 粘合后加一定的壓力,，放置24小時(shí)，再在60℃~80℃溫度下烘干4小時(shí),。（3）阻尼塊 阻尼塊又名吸收塊,，其作用為降低降低晶片的機(jī)械品質(zhì)系數(shù)，吸收聲能量,。如果沒(méi)有阻尼塊,，電振蕩脈沖停止時(shí)，壓電晶片因慣性作用,，仍繼續(xù)振動(dòng),，加長(zhǎng)了超聲波的脈沖寬度,，使盲區(qū)增大,，分辨力差。吸收塊的聲阻抗等于晶片的聲阻抗時(shí),，效果*,，常用的吸收快配方如下 鎢粉：環(huán)氧樹(shù)脂：二乙烯三胺（硬化劑）：鄰苯二甲酸二丁酯（增塑劑）=35克：10克：0.5克：1克 為使晶片和阻尼塊粘合良好，在灌澆前先用丙酮清洗晶片和晶片座表面,，并加熱至60℃~80℃再行灌澆,。環(huán)氧樹(shù)脂和鎢粉應(yīng)充分混合均勻。灌澆后把探頭傾斜,，使阻尼塊上表面傾斜20°左右,，這樣可消除聲波在吸收塊上的發(fā)射，使熒光屏上雜波減少,。
斜探頭 超聲波探傷儀斜探頭可發(fā)射及接收橫波,。斜探頭主要由壓電晶片、阻尼塊和斜楔塊組成,。晶片產(chǎn)生縱波,，經(jīng)斜楔傾斜入射到被測(cè)工件中,，轉(zhuǎn)換為橫波。斜楔為有機(jī)玻璃,，被測(cè)工件為鋼,，斜探頭的角度（即入射角）在28°~61°之間時(shí)，在鋼中可產(chǎn)生橫波,。斜楔的形狀應(yīng)使聲波在斜楔中傳播時(shí)不得返回晶片,，以免出現(xiàn)雜波。直探頭在液體中傾斜入射工件時(shí),，也能產(chǎn)生橫波,。
表面探頭波 可發(fā)射和接收表面波。表面波探頭是斜探頭的一個(gè)特例,。當(dāng)入射角增大到某一角度,，使在工件中橫波的折射角為90°時(shí)，在工件中可產(chǎn)生表面波,，直探頭在液體中傾斜入射工件時(shí),，也能產(chǎn)生表面波。
蘭姆波探頭 可發(fā)射和接收蘭姆波,，也是斜探頭的一個(gè)特例,。當(dāng)入射角達(dá)到一定角度時(shí)，在工件中產(chǎn)生蘭姆波,，直探頭在液體中傾斜入射工件時(shí),，也能產(chǎn)生蘭姆波。
可變角探頭 可變角探頭可連續(xù)改變?nèi)肷浣?，以產(chǎn)生縱波,，橫波，表面波和蘭姆波,。壓電晶片固定在半圓楔塊上,，半圓楔快又置于大楔塊的圓洞內(nèi)，空隙處注有油,，以作導(dǎo)聲耦合劑,。半圓楔塊轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，入射角即改變,。
雙探頭 超聲波探傷儀雙探頭又稱(chēng)組合探頭,，兩塊壓電晶片裝在一個(gè)探頭架內(nèi)，一個(gè)晶片發(fā)射,，另一個(gè)接收,。雙探頭發(fā)射及接收縱波，晶片下的延遲塊使聲波延遲一段時(shí)間后射入工件,，這樣可探測(cè)近表面的缺陷并可提高分辨力,。兩塊晶片有一傾角（一般約3°~18°）,，兩晶片聲場(chǎng)重合部分（陰影部分），是探傷靈敏度較高的部位,。
水浸探頭 可在水中探傷,，其結(jié)構(gòu)與直探頭相似，只是探頭較長(zhǎng),，以便浸在水中,，保護(hù)膜也可去掉。
聚焦探頭 可將超聲波聚集成一細(xì)束（線狀或點(diǎn)狀）,，在焦點(diǎn)處聲能集中,，可提高探傷靈敏度及分辨力。聚焦探頭多用于液浸法自動(dòng)化探傷,。探頭發(fā)射縱波,，但在液體中傾斜入射到工件時(shí)，由于入射角的不同,，在工件中可產(chǎn)生橫波,、表面波或蘭姆波，根據(jù)需要而定,。超聲聚焦有二種方法：一種是將壓電晶片做成凹面,，發(fā)射的聲波直接聚焦，另一種是用聲透鏡的方法將聲波聚焦,。前者因燒結(jié)成型較困難且曲率半徑不易保證,，目前多用后者。