HIOKI這次將發(fā)售阻抗分析儀IM7583和IM7585,。

在信息化的現(xiàn)在社會(huì)中,，智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備通過(guò)LTE,、Wi-Fi,、GPS等,，向高頻化發(fā)展,，而且該帶寬達(dá)到了數(shù)GHz,。隨之，移動(dòng)設(shè)備中所使用的高頻感應(yīng)器和鐵氧體磁珠等電子元件也向高頻化發(fā)展。這些電子元件從按照數(shù)百M(fèi)Hz到1GHz的高頻來(lái)進(jìn)行出廠檢查,，所以對(duì)于高頻測(cè)量?jī)x器的需求也日益增加,。

這次將發(fā)售的2種機(jī)型，可以測(cè)量超過(guò)去年發(fā)售的IM7580（zui高300MHz的高頻測(cè)量）進(jìn)行高的頻率測(cè)量,。IM7583的測(cè)量頻率是1MHz~600MHz,，而IM7585是1MHz~1.3GHz，可以滿足高頻化的各種電子元件產(chǎn)品,。

而且,，IM7583、IM7585兩種機(jī)型通過(guò)zui短0.5ms（0.0005秒）的高速測(cè)量,，能夠快速的檢查大量電子元件,，從而提高電子元件廠商的生產(chǎn)效率。

日本日置IM7583/IM7585阻抗分析儀主要用途

電子元件廠商的電子元件的出貨檢查

電子儀器廠家的電子元件的入庫(kù)檢查和特性評(píng)估

日本日置IM7583/IM7585阻抗分析儀產(chǎn)品特點(diǎn)

1.IM7583zui高600MHz,、IM7585zui高1.3GHz的高頻測(cè)量

IM7583的測(cè)量頻率是1MHz~600MHz,，而IM7585是1MHz~1.3GHz。這大大的高于去年發(fā)售的IM7580的測(cè)量頻率（1MHz~300MHz）,。

單一頻率測(cè)量的LCR測(cè)試儀的模式的話,，可用于判斷出貨檢查的合格與否，頻率變化同時(shí)進(jìn)行測(cè)量的阻抗分析儀的模式的話 ,，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的特性評(píng)估和其他領(lǐng)域中,。

2.zui快0.5ms的高速測(cè)量和高穩(wěn)定性的測(cè)量，有助于提高生產(chǎn)效率

zui快0.5ms（0.0005秒）的高速測(cè)量,。這樣,，對(duì)于需要快速檢查大量電子元件的電子元件廠商來(lái)說(shuō)可以大幅提高生產(chǎn)效率。

而且,，IM7585的反復(fù)測(cè)量精度是0.07%（1GHz時(shí)的代表值）,，因此實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定測(cè)量，提高生產(chǎn)的成品率,，從而提高生產(chǎn)效率,。

3.主機(jī)尺寸小巧化，有助于降低生產(chǎn)成本

在電子元件廠商的生產(chǎn)線中,，各種設(shè)備安裝在機(jī)架中組成檢查系統(tǒng),，并進(jìn)行自動(dòng)檢查。因此,，和去年發(fā)售的IM7580相同通過(guò)將將主機(jī)大小小型化，縮小檢查系統(tǒng)的體積,，并通過(guò)多臺(tái)組合能夠縮短檢查時(shí)間,，并降低生產(chǎn)成本。

4.各種各樣的判斷功能，判斷合格與否

單一的頻率測(cè)量的LCR測(cè)試儀的模式的話,，具備判斷電子元件的合格與否的比較器功能以及將電子元件排序的BIN功能,。比較其功能克設(shè)置上下限值，并以此為判斷標(biāo)準(zhǔn)來(lái)判斷是否合格,。相對(duì)于比較器功能的按照判斷標(biāo)準(zhǔn)判斷是否合格,，BIN功能則能設(shè)置zui多10種判斷標(biāo)準(zhǔn)，并進(jìn)行排名,。

在多種頻率下測(cè)量的分析儀的模式的話,，包括從電子元件的頻率特性中可判斷合格與否的區(qū)間判斷、峰值判斷,。區(qū)間判斷是為了確認(rèn)測(cè)量值是否進(jìn)入任意設(shè)置的判斷區(qū)域內(nèi)的功能,。峰值判斷是判斷共振點(diǎn)的功能。

另外,，還全新搭載了任意設(shè)置多種頻率,，并按照這個(gè)設(shè)置值判斷合格與否的目標(biāo)判斷功能。

日本日置IM7583/IM7585阻抗分析儀基本參數(shù)

基本精度 Z：0.65%rdg.θ：0.38（代表值）

測(cè)量時(shí)間 zui短0.5ms（模擬測(cè)量時(shí)間）

測(cè)量范圍 100mΩ～5kΩ

測(cè)量頻率 IM7583：1MHz～600MHz　　IM7585：1MHz～1.3GHz

測(cè)量信號(hào)電平 -40.0dBm～+1.0dBm（4mV～502mV）