數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 型號:DP-LT-100C
為解決太陽能單晶,、多晶少子壽命測量,,特按照標GB/T1553及SEMI MF-1535用頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。
該設(shè)備是按照家標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的頻光電導(dǎo)衰減法”,。頻光電導(dǎo)衰減法在我半導(dǎo)體集成電路,、晶體管、整流器件,、核探測器行業(yè)已運用了三十多年,,積累了豐富的使用經(jīng)驗,經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗,,證明是種成熟可靠的測試方法,,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量,;也可對硅片行測量,,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,,制樣簡便,。
DP-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點:
1、 可測量太陽能級多晶硅塊,、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命,。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面行測量,。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路,、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。
2,、 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,,表面無需拋光、鈍化,。
3,、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,,同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,,并可聯(lián)用打印機及計算機。
4,、配置兩種波長的紅外光源:
a,、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,,有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命,。
b、短波長紅外脈沖激光器,,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體,。
5,、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒,、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命,。
b,、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片,。
壽命可測范圍 0.25μS—10ms