所謂的半導體,,是指在某些情況下,,能夠?qū)娏鳎谀承l件下,,又具有絕緣體效用的物質(zhì),;而至于所謂的IC,則是指在一半導體基板上,,利用氧化,、蝕刻、擴散等方法,將眾多電子電路組成各式二極管,、晶體管等電子組件,,作在一微小面積上,以完成某一特定邏輯功能(例如:AND,、OR,、NAND等),進而達成預先設定好的電路功能,。自1947年12月23日*個晶體管在美國的貝爾實驗室(Bell Lab)被發(fā)明出來,,結(jié)束了真空管的時代,到1958年TI開發(fā)出*顆IC成功,,又意謂宣告晶體管的時代結(jié)束,,IC的時代正式開始。從此開始各式IC不斷被開發(fā)出來,,集積度也不斷提升,。從小型集成電路(SSI),每顆IC包含10顆晶體管的時代,;一路發(fā)展MSI,、LSI、VLSI,、ULSI,;再到今天,短短50年時間,,包含千萬個以上晶體管的集成電路已經(jīng)被大量生產(chǎn),,并應用到我們的生活的各領域中來,為我們的生活帶來飛速的發(fā)展,。不能想象離開半導體產(chǎn)業(yè)我們的生活將會怎樣,,半導體技術(shù)的發(fā)展狀況已成為一個國家的技術(shù)狀況的重要指針,電子技術(shù)也成為一個國家提高國防能力的重要途徑,。 半導產(chǎn)品類別 目前的半導體產(chǎn)品可分為集成電路、分離式組件,、光電半導體等三種,。 集成電路(IC),是將一電路設計,,包括線路及電子組件,,做在一片硅芯片上,使其具有處理信息的功能,,有體積小,、處理信息功能強的特性,。依功能可將IC分為四類產(chǎn)品:內(nèi)存IC、微組件,、邏輯IC,、模擬IC。 分離式半導體組件,,指一般電路設計中與半導體有關的組件,。常見的分離式半導體組件有晶體管、二極管,、閘流體等。 光電式半導體,,指利用半導體中電子與光子的轉(zhuǎn)換效應所設計出之材料與組件,。主要產(chǎn)品包括發(fā)光組件、受光組件,、復合組件和光伏特組件等,。 IC產(chǎn)品介紹 IC產(chǎn)品可分為四個種類,,這些產(chǎn)品可細分為許多子產(chǎn)品,分述如下: 內(nèi)存IC:顧名思義,,內(nèi)存IC是用來儲存資料的組件,通常用在計算機,、電視游樂器,、電子詞典上。依照其資料的持久性(電源關閉后資料是否消失)可再分為揮發(fā)性,、非揮發(fā)性內(nèi)存,;揮發(fā)性內(nèi)存包括DRAM、SRAM,,非揮發(fā)性內(nèi)存則大致分為Mask ROM,、EPROM、EEPROM,、Flash Memory四種,。 微組件IC:指有特殊的資料運算處理功能的組件;有三種主要產(chǎn)品:微處理器指微電子計算器中的操作數(shù)件,,如計算機的CPU,;微控制器是計算機中主機與接口中的控制系統(tǒng),如聲卡,、影視卡...等的控制組件,;數(shù)字訊號處理IC可將模擬訊號轉(zhuǎn)為數(shù)字訊號,,通常用于語音及通訊系統(tǒng)。 模擬IC:低復雜性,、應用面積大、整合性低,、流通性高是此類產(chǎn)品的特色,通常用來作為語言及音樂IC,、電源管理與處理的組件。 邏輯IC:為了特殊信息處理功能(不同于其它IC用在某些固定的范疇)而設計的IC,,目前較常用在電子相機、3D Game,、 IC產(chǎn)業(yè) IC的制造可由上游至下游分為三種工業(yè),,一是與IC的制造有直接關系的工業(yè),、包括晶圓制造業(yè)、IC制造業(yè),、IC封裝業(yè),;二是輔助IC制造的工業(yè),,包括IC設計,、光罩制造,、IC測試,、化學品,、導線架工業(yè),;三是提供IC制造支持的產(chǎn)業(yè),,如設備,、儀器,、計算機輔助設計工具工業(yè)...等。 IC(集成電路)制作過程簡介 集成電路的生產(chǎn)過程極其復雜,,習慣上將其分為前置作業(yè),,電路的制作,晶圓及晶粒測試和后段的封裝測試等,。因為IC是由很多的電路集合而成的,,而這些電路組件和線路是以晶圓為基礎并以層狀分布的,制造過程也是一層層的建造出來的,,類似于建樓房的過程,。 其中前置作業(yè)類似于樓房的設計和建造地基,包括電路的設計,、光罩設計和晶圓的制作,,電路設計即是根據(jù)使用的要求設計出各層的線路和架夠,光罩設計則類似于照像底片,,依靠其將設計好的電路印到芯片上,,而制作硅晶圓就是將硅晶體通過加熱熔化,再用一定的方法拉成晶棒,,并切片,、研磨成符合要求的芯片的過程。 電路制作是在硅片的基礎上制成一層層的電路的過程,,因為線路極其細微,,其制造過程也就有很高的難度,,生產(chǎn)上是使用類似照相技術(shù)的報光,,顯影,蝕刻,,沖洗的方法來實現(xiàn)的(下面將做詳細的介紹),。晶圓及晶粒測試是對各制造流程的結(jié)果的測試,目的是對各流程有很好的控制,,并能及時的發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)中的不良產(chǎn)品,,盡早進行修部或剔除,以減少不良成本,,經(jīng)過各道測試并zui終生產(chǎn)出來的芯片才能進入到下一道封裝測試的過程,。封裝和測試是將功能測試良好的晶粒切割開,并封裝,,拉出聯(lián)線再進行全面測試的過程,,要經(jīng)過芯片切割,粘晶,,焊線,,封料,,切割/成形,印字,,電鍍,,及檢驗等過程。直到這里,,一個合格的集成電路才算制造完成,。 IC制造業(yè)特性 IC制造業(yè)中,有幾個不同于其它制造業(yè)的特性,,分列如下: 機器的折舊占成本大部分:制造IC所用的機器設備價格高,,而且汰舊快,通常采二至四年加速折舊(此為實際作法,;大多數(shù)股市上市說明書則宣稱四至八年平均折舊),,因此機器折舊的費用很高;一般說來,,機器的折舊占制造成本的20%以上,。 良率影響產(chǎn)品單位成本:晶圓上可劃分為許多方塊,而一個IC的線路就都做在這個方塊上,,再送至封裝廠中切割包裝,,就可將這些方塊制成一片片的IC;而包裝好經(jīng)測試可使用的IC占晶圓割下IC總數(shù)的比率稱為良率,。 IC的制造過程非常精密,,只要在其中一步驟稍有不慎,就會使IC毀損,,而成為不能使用的產(chǎn)品,,不像其它制造業(yè)的產(chǎn)品,有制造過程的錯誤,,大多只會成為品質(zhì)不良的產(chǎn)品,,非不能使用的產(chǎn)品;因此IC制造業(yè)的良率要較傳統(tǒng)的工業(yè)制造良率來的低,,而且變異大,,不論是在品質(zhì)管制及成本控制上都是一大問題;通常IC的制造中,,影響良率的原因有兩種: (a)晶圓的大?。涸诰A上做IC,通常邊緣的部分都因晶圓的圓弧而無法做出完整的方塊,;晶圓的直徑愈大,,則其圓弧的曲度愈小,邊緣要舍棄的面積占晶圓的比率也就愈小,,良率就愈高,;因此IC廠都在努力提升自己的制程能在更大的晶圓上做出產(chǎn)品,。 (b)線上的管制:集成電路制造是極精密的工業(yè),且制造環(huán)境特殊(無塵室),;在制造過程中所犯的一個小過失,,影響良率的程度就很大,通??蛇_20%以上,,因此線上的管制在集成電路制造中是很重要的?!?br /> 制程復雜影響機器使用率:IC制造廠中,,由于制程重復且步驟多,若制造排程不良,,容易造成某些工作站忙線,、有些站閑置,而使得機器設備無法充分利用,;機器設備的折舊又是占了IC制造成本中的大部分,,若機器使用率不高,那幺便會耗費大量的折舊成本,;充分的利用機器,,是IC制造廠管理中重要的一環(huán)。 晶圓代工 因為IC的生產(chǎn)過程復雜,,從設計到生產(chǎn)的生產(chǎn)線長,,而且生產(chǎn)過程的主要成本是機臺的成本,固定成本高,,且產(chǎn)品多樣化,,批量小,更新速度快,,因此很少有廠家能從前到后的整條線生產(chǎn)自己的產(chǎn)品,,而很多廠商都只是加工整個制程中的一段,,再形成供應鏈式的組合,,聯(lián)合制造產(chǎn)品,以實現(xiàn)規(guī)模效應,。晶圓代工就是基于此而產(chǎn)生的,,這種企業(yè)只負責生產(chǎn)不進行設計,因此也可以說晶圓代工廠并沒有自己的產(chǎn)品,,傳統(tǒng)上講只是指wafer(晶圓)的制作過程,,即是在wafer 上做出一層層的電路而現(xiàn)在逐漸延伸出廣義的晶圓代工,其除了原來晶圓制造的功能外,,還包括了上游的光罩制作和下游的切割,、封裝,、測試等過程,因此一個IC設計企業(yè)只要將自己的設計交給晶圓代工廠,,便可以得到符合自己要求的IC成品,, 模塊制程 wafer生產(chǎn)的基本原理 集成電路盡管種類不同,其制程相似,;差別在不同的光罩會有不同的電路圖樣,;CVD、離子植入時投入的材料不同,,會產(chǎn)生不同的組件,,而使制造出來的IC有所差異。IC制程中,,制造作業(yè)種類通常只有十多種,,但由于不斷重復這些作業(yè),使得一片IC從晶圓投入到可以切割包裝,,要經(jīng)過百次以上的制造步驟,。 一個IC產(chǎn)品制作電路后的結(jié)構(gòu),是以芯片為基礎逐層的建造起來的,,上面已經(jīng)提到,,每一層的生產(chǎn)都是使用類似照相技術(shù)的報光,顯影,,蝕刻,,沖洗的方法來實現(xiàn)的,因此生產(chǎn)過程中,,每一層的制造都是幾個類似的過程,,而整個晶圓的制造就是這幾個過程的重復循環(huán),每個過程的生產(chǎn)都在特定的區(qū)域來完成,,這些區(qū)域有:薄膜(thin-film),黃光( photo),蝕刻(etch),擴散(diffusion). 薄膜(thin-film) 薄膜區(qū)間是塵積介電質(zhì)或金屬層的地方,,介電質(zhì)是用于隔離開各層金屬的多為玻璃層,而金屬層是集成電路中的導線,,多采用鋁或銅或鋁銅合金,,因此介電質(zhì)和金屬沉積也是集成電路的制程中的重要制程。薄膜技術(shù)有物理氣象沉積(包括蒸鍍既借著對被蒸鍍物體加熱,利用被蒸鍍物在高溫時所具備的飽和蒸氣壓,來進行薄膜的沉積.和濺鍍既利用電漿所產(chǎn)生的離子,借著離子對被濺鍍物體電極的轟擊,使電漿的氣相內(nèi)具有被鍍物的粒子,來產(chǎn)生沈積薄膜的.)和化學氣象沈積既利用化學反應的方式,在反應器內(nèi)將反應物( 通常為氣體)生成固態(tài)的生成物,并沉積在芯片表面的一種薄膜沉積技術(shù),。 黃光(Photo) 微影技術(shù)是制造集成電路的重要之一,,通過暴光和顯影的程序它可以將光罩上設計的圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面的光阻上,其主要過程包括光阻涂抹,,烘拷,,對準,暴光及顯影等程序,由于光學上的需要,,此段制程之照明采用偏黃的可見光,,因此習慣上將此區(qū)稱為黃光區(qū)。在黃光區(qū)內(nèi),,利用整合型的晶圓軌道機——步進機系統(tǒng)來完成這個過程,,其利用紫外光線或深紫外光線來照射光阻,以引起化學反應,,將設計的光罩上的圖形印到晶圓或光阻上,,這也是集成電路廠中zui昂貴的工具,每臺的價格都可達到數(shù)百萬美元,,因此也常成為生產(chǎn)中的瓶頸,。 蝕刻(Etch) Etch作為IC制程中的主要環(huán)節(jié)之一,其目的是化學物質(zhì)的反應來去除wafer表面多余的物質(zhì),,根據(jù)各stedp的目的不同有多種具體方式,,但從其基本的原來可將其分為兩種,既Wet Etching(濕蝕刻)和Dry Etching(干蝕刻),,Wet Etching 是用將wafer放入化學溶液中,,通過化學反應將要蝕刻掉的物質(zhì)腐蝕掉,而干蝕刻是將化學氣體吹到weafer 表面上,,與其發(fā)生反應,,以實現(xiàn)蝕刻的目的。兩者相比,,后者的過程中的關鍵參數(shù)容易控制,,用物理或化學的方法均可實現(xiàn),且對圖形的控制能力較強,,而前者只能通過化學的方法實現(xiàn),,且對關鍵參數(shù)的控制能力較差,尤其是當線寬越來越細時,,濕蝕刻將無法使用,,但對于不同的蝕刻對象和環(huán)境,兩者各有各自適合的范圍,,兩種方法要根據(jù)工藝的要求不同來選擇,。 在濕蝕刻的過程中還有一個重要的技術(shù)過程是wafer drying ,因為濕的wafer是無法進入到下一道工序的,必須通過一些方法使其干燥,,常用的方法有:Down-Flow Spin Dryer 既是利用高速旋轉(zhuǎn)的方法,,靠離心力的作用干燥;和IPA Vapor Dryer ,,Marangoni Dryer 等,其中Down-Flow Spin Dryer因為力的作用,易形成water mark,且增加wafer 的應力,,轉(zhuǎn)動過程中還會形成摩擦,,而IPA Vapor Dryer 和Marangoni Dryer可防止water mark但時間較長,且化學用量多,。 擴散( Diffusion) 擴散區(qū)間是進行加熱制程的區(qū)域,,這些制程可能是用來添加制程或者是用來加熱制程,如在晶圓表面生成氧化層,,擴散摻雜等是添加制程,,而離子植入后用于恢復晶體結(jié)構(gòu)的熱處理是加熱制程。高溫爐是這區(qū)域的批量制程工具,,它能夠同時處理150片的wafer,,可以將這些預置在硅芯片表面上的摻質(zhì),藉高溫擴散的原理,把他們趨進芯片表面的材質(zhì)內(nèi)。 |
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