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半導(dǎo)體材料-基體材料
點擊次數(shù)：295 發(fā)布時間：2024-12-20
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié),，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用,。根據(jù)芯片制造過程劃分,，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料,、制造材料和封裝材料,。其中,，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體,；制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導(dǎo)體加工成芯片所需的各類材料；封裝材料則是將制得的芯片封裝切割過程中所用到的材料,。
基體材料
根據(jù)芯片材質(zhì)不同,，基體材料主要分為硅晶圓和化合物半導(dǎo)體，其中硅晶圓的使用范圍zui廣,，是集成電路制造過程中最為重要的原材料,。
1,、硅晶圓
硅晶圓片全部采用單晶硅片，對硅料的純度要求較高,，因此其制造壁壘較高,。一般而言，硅片尺寸越大,，硅片切割的邊緣損失就越小,，每片晶圓能切割的芯片數(shù)量就越多，半導(dǎo)體生產(chǎn)效率越高,，相應(yīng)成本越低,。
2、化合物半導(dǎo)體
主要是指砷化鎵（GaAs）,、氮化鎵（GaN）,、碳化硅（SiC）等第二、三代半導(dǎo)體,。在化合物半導(dǎo)體中,，砷化鎵（GaAs）具備高功率密度、低能耗,、抗高溫,、高發(fā)光效率、抗輻射,、擊穿電壓高等特性,，廣泛應(yīng)用于射頻、功率器件,、微電子,、光電子及guo 防jun工等領(lǐng)域。氮化鎵（GaN）能夠承載更高的能量密度,，且可靠性更高,，其在手機(jī)、衛(wèi)星,、航天等通信領(lǐng)域,，以及光電子、微電子,、高溫大功率器件和高頻微波器件等非通信領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,；碳化硅（SiC）具有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度,、高熱導(dǎo)率等特性,，主要作為高功率半導(dǎo)體材料，通常應(yīng)用于汽車及工業(yè)電力電子等領(lǐng)域,，在大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域應(yīng)用較為廣泛,。