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技術(shù)文章

霍爾效應(yīng)實驗儀—高低溫磁場型

點擊次數(shù):474 發(fā)布時間:2023-12-4

產(chǎn)品概述:

本儀器系統(tǒng)由:電磁鐵,、電磁鐵電源,、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計,、霍爾效應(yīng)樣品支架,、標準樣品、高低溫杜瓦,,控溫儀,,系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源,,六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體,,大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源,、微伏表使用,。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率,、電阻率,、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預(yù)先掌控的,,因此霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具,。 實驗結(jié)果由軟件自動計算得到,可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration),、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration),、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity),、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient),、磁致電阻(Magnetoresistance)等。

可測試材料

半導體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等,;

低阻抗材料:石墨烯,、金屬、透明氧化物,、弱磁性半導體材料,、TMR 材料等;

高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等,。

技術(shù)指標:

電磁鐵磁場:10mm間距為2T ,、 30mm間距為1T

*  樣品電流:0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

*  測量電壓:0.1uV~30V

*  提供各類測試標準材料,各級別硅與砷化鎵(靈敏度與精度不同)

*  分辨率極小值:0.1GS

*  磁場范圍:0-1T

* 配合高斯計或數(shù)采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

*  霍爾系數(shù),、載流子濃度等參數(shù)隨溫度的變化曲線

* 電阻率范圍:5*10-55*102Ω.cm

*  電阻范圍:10 m Ohms~ 6MOhms

*  載流子濃度:5*101251*1020cm-3

* 霍爾系數(shù):±1*10-2±1*106cm3/C

*  遷移率:0.1~108cm2/volt*sec

*  溫度調(diào)節(jié) 0.1K

*  溫區(qū):78K-475K,室溫-773K(選配)

*  測試全自動化,,一鍵處理

*  可實現(xiàn)相同溫差間的連續(xù)測量


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