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發(fā)明涉及半導體核輻射探測器使用的光電二極管和*級前置放大器的場效應管?，F(xiàn)有的核輻射探測器使用的光電二極管和場效應管為兩個部件，固定在同一基板上,，彼此連接采用金絲點焊,。由于金絲有大約10mm長，其分布電容大約在0.2pf左右,。
    本發(fā)明將光電二極管和場效應管光刻在同一片硅片上,，這樣場效應管柵極和光電二極管之間幾乎是直接相連，大大降低分布電容,，其分布電容大約在0.01~0.02pf,。因此該系統(tǒng)因分布電容產(chǎn)生的噪聲遠小于現(xiàn)有的核輻射探測器。