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　　1.朗伯-比爾定律

　　因此,，TDLAS技術是一種高分辨率的光譜吸收技術，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾(Lambert-Beer)定律表述式中,，IV,，0和IV 分別表示頻率V的激光入射時和經過壓力P，濃度X和光程L的氣體后的光強;S(T)表示氣體吸收譜線的強度;線性函數g(v-v0)表征該吸收譜線的形狀,。通常情況下氣體的吸收較小,，可用式(4-2)來近似表達氣體的吸收。這些關系式表明氣體濃度越高,，對光的衰減也越大,。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度,。

　　2.光譜線的線強

　　氣體分子的吸收總是和分子內部從低能態(tài)到高能態(tài)的能級躍遷相的,。線強S(T)反映了躍遷過程中受激吸收、受激輻射和自發(fā)輻射之間強度的凈效果,，是吸收光譜譜線基本的屬性,，由能級間躍遷概率經及處于上下能級的分子數目決定,。分子在不同能級之間的分布受溫度的影響，因此光譜線的線強也與溫度相關,。如果知道參考線強S(T0),，其他溫度下的線強可以由下式求出式中，Q(T)為分子的配分函數;h為普朗克常數;c為光速;k為波爾茲曼常數;En為下能級能量,。各種氣體的吸收譜線的線強S(T0)可以查閱相關的光譜數據庫,。