半導體芯片冷熱沖擊試驗方法高低溫沖擊試驗箱：
目的：
芯片在生產(chǎn)過程中,，需要對其進行冷熱沖擊試驗,。一般情況下，民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃,，其他芯片性能更高,，正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍,，當芯片不工作時,，可以承受超過 200℃ 的焊接溫度。
試件：
將試件芯片通電置于置物架上;
根據(jù)要求設(shè)定試驗溫度:
首先對試件進行低溫試驗,，再進行高溫試驗,，循環(huán)次數(shù)依要求進行:記錄半導體芯片工作狀態(tài)下，在設(shè)定溫度下的相關(guān)參數(shù),，對產(chǎn)品分析,，工藝改進以及批次的定向品質(zhì)追溯提供確實的數(shù)據(jù)依據(jù)。
試件從低溫或是高溫試驗開始,，不同標準有不同的解析,。若試驗從低溫段開始，試驗結(jié)束在高溫段,，若試驗從高溫段開始,，結(jié)束在低溫段。為防止試件在試驗結(jié)束后表面產(chǎn)品凝露,，試驗結(jié)束在低溫段時需要增加烘干恢復的過程,，這樣就增加了試驗周期，建議試驗從低溫段開始,，結(jié)束在高溫段,。
溫度范圍：-65℃～150℃
低溫沖擊：-40℃，-55℃，-65℃
高溫沖擊：65℃,，85℃,，125℃
溫度沖擊時間小于3min，1min
溫度保持時間30min,，60min
測試時間不能少于1000個循環(huán)
熱壓器/無偏壓 HAST測試 參考標準：JESD22-A118
溫度范圍：100℃～143℃
濕度范圍：70%RH～100%RH
壓力范圍：0.5kg～3.5kg
測試時間不能少于200小時,，具體根據(jù)用戶實際要求，有些需要達到500小時到1000小時等不同時間
其他測試標準：GB/T 2423.1-2001 試驗A：低溫試驗方法,，試驗B：高溫試驗方法,，GJB 150.3-1986 高溫試驗， 低溫試驗,， GB 11158《高溫試驗箱技術(shù)條件》,， IEC60068-2-14 等測試標準。
