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產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
產(chǎn)品簡介
GS2690B 智能化抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是一種*的測量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器,，用于工頻高壓下,，測量各種絕緣材料、絕緣套管,、電力電纜,、電容器、互感器,、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）測量,。儀器具有操作簡單、無需數(shù)據(jù)換算,、中文菜單顯示,、并自帶打印功能、抗*力強,、測試速度在國內(nèi)同類產(chǎn)品中zui快的優(yōu)點,。
工作原理
儀器測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測試回路：
1、標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高壓穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,，由計算機實時采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差,，并由之算出被測試品電容容值（CX）和其介質(zhì)損耗（tgδ）。
2,、數(shù)據(jù)采集電路全部采用高壓穩(wěn)定器件,，采集板和采集計算機被鐵盒*浮空屏蔽，儀器外殼地屏蔽,；另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù),、浮空地,、大面積地、單點地,、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù),，加之計算機對數(shù)百個電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，使測量結(jié)果穩(wěn)定,、精確,、可靠。
技術(shù)指標(biāo)
1,、環(huán)境溫度：0 ～40℃
2,、相對濕度：30% ～70%
3,、供電電源：電壓：220V±10%,、頻率：50±1Hz
4、外形尺寸：500mm×300mm×400mm
5,、重量： 約18Kg
6,、輸出功率：0.6KVA
7、顯示分辯率：3位,、4位（內(nèi)部全是6位）
8,、測量范圍及輸出電壓選擇：
介質(zhì)損耗（tgδ）：±0.00～±999%
試品電容容量（Cx）和加載電壓：
2.5KV檔:≤300nF（300000pF） 3KV檔:≤200nF（200000pF）
5KV檔:≤76nF（76000pF） 7.5KV檔:≤34nF（34000pF）
10KV檔:≤20nF（20000pF）
9、基本測量誤差：
介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±7個字（加載電流20uA～500mA）
介質(zhì)損耗（tgδ）：2%±9個字（加載電流5uA～20uA）
電容容量（Cx）：1.5%±1.5pF
GS2690B 智能化抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是一種*的測量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器,，用于工頻高壓下,，測量各種絕緣材料、絕緣套管,、電力電纜,、電容器、互感器,、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）測量,。儀器具有操作簡單、無需數(shù)據(jù)換算,、中文菜單顯示,、并自帶打印功能、抗*力強,、測試速度在國內(nèi)同類產(chǎn)品中zui快的優(yōu)點,。
工作原理
儀器測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測試回路：
1、標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高壓穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,，由計算機實時采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差,，并由之算出被測試品電容容值（CX）和其介質(zhì)損耗（tgδ）。
2,、數(shù)據(jù)采集電路全部采用高壓穩(wěn)定器件,，采集板和采集計算機被鐵盒*浮空屏蔽，儀器外殼地屏蔽,；另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù),、浮空地,、大面積地、單點地,、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù),，加之計算機對數(shù)百個電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，使測量結(jié)果穩(wěn)定,、精確,、可靠。
技術(shù)指標(biāo)
1,、環(huán)境溫度：0 ～40℃
2,、相對濕度：30% ～70%
3,、供電電源：電壓：220V±10%,、頻率：50±1Hz
4、外形尺寸：500mm×300mm×400mm
5,、重量： 約18Kg
6,、輸出功率：0.6KVA
7、顯示分辯率：3位,、4位（內(nèi)部全是6位）
8,、測量范圍及輸出電壓選擇：
介質(zhì)損耗（tgδ）：±0.00～±999%
試品電容容量（Cx）和加載電壓：
2.5KV檔:≤300nF（300000pF） 3KV檔:≤200nF（200000pF）
5KV檔:≤76nF（76000pF） 7.5KV檔:≤34nF（34000pF）
10KV檔:≤20nF（20000pF）
9、基本測量誤差：
介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±7個字（加載電流20uA～500mA）
介質(zhì)損耗（tgδ）：2%±9個字（加載電流5uA～20uA）
電容容量（Cx）：1.5%±1.5pF