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當前位置:北京京百卓顯科技有限公司>>公司動態(tài)>>顯微鏡光源LED燈的特性及原理
LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學特性:I-V特性、C-V特性和光學特性:光譜響應(yīng)特性,、發(fā)光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。 r^9.aE9F
1,、LED電學特性 ,-M^hA$4`[1]
1.1 I-V特性表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線性,、整流性質(zhì):單向?qū)щ娦?,即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻,反之為高接觸電阻,。=0 如左圖: \'f^2hP K
(1) 正向死區(qū):(圖oa或oa′段)a點對于V0 為開啟電壓,,當V<Va,外加電場尚克服不少因載流子擴散而形成勢壘電場,,此時R很大,;開啟電壓對于不同LED其值不同,,GaAs為1V,紅色GaAsP為1.2V,,GaP為1.8V,,GaN為2.5V。
(2)正向工作區(qū):電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系N# Vu6"yD
IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 為反向飽和電流,。 CUJn7{7
V>0時,,V>VF的正向工作區(qū)IF 隨VF指數(shù)上升 IF = IS e qVF/KT K~oA j //
(3)反向死區(qū):V<0時pn結(jié)加反偏壓k L_<7'Cw
V= - VR 時,反向漏電流IR(V= -5V)時,,GaP為0V,,GaN為10uA。 ="|l0 W\
(4)反向擊穿區(qū) V<- VR ,,VR 稱為反向擊穿電壓,;VR 電壓對應(yīng)IR為反向漏電流。當反向偏壓一直增加使V<- VR時,,則出現(xiàn)IR突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,。由于所用化合物材料種類不同,各種LED的反向擊穿電壓VR也不同,。 |t!Pms'D7
1.2 C-V特性 6?JW?.Ap
鑒于LED的芯片有9×9mil (250×250um),,10×10mil,11×11mil (280×280um),,12×12mil (300×300um),,故pn結(jié)面積大小不一,使其結(jié)電容(零偏壓)C≈n+pf左右,。 Er,R?sBJ.
C-V特性呈二次函數(shù)關(guān)系(如圖2),。由1MHZ交流信號用C-V特性測試儀測得。 -O#&'lhe{
1.3 zui大允許功耗PF m .lfE`LX K
當流過LED的電流為IF,、管壓降為UF則功率消耗為P=UF×IF A>0"6%
LED工作時,,外加偏壓、偏流一定促使載流子復(fù)合發(fā)出光,,還有一部分變?yōu)闊?,使結(jié)溫升高。若結(jié)溫為Tj,、外部環(huán)境溫度為Ta,,則當Tj>Ta時,內(nèi)部熱量借助管座向外傳熱,,散逸熱量(功率),,可表示為P = KT(Tj – Ta)。 ;tP$p9*z
1.4 響應(yīng)時間 g].j'S6
響應(yīng)時間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢?,F(xiàn)有幾種顯示LCD(液晶顯示)約10-3~10-5S,,CRT,、PDP、LED都達到10-6~10-7S(us級),。 2_eDgr *{
①響應(yīng)時間從使用角度來看,,就是LED點亮與熄滅所延遲的時間,即圖中tr ,、tf ,。圖中t0值很小,可忽略,。 ^W%k>+d+
②響應(yīng)時間主要取決于載流子壽命,、器件的結(jié)電容及電路阻抗。 J,xl4- gi
LED的點亮時間——上升時間tr是指接通電源使發(fā)光亮度達到正常的10%開始,,一直到發(fā)光亮度達到正常值的90%所經(jīng)歷的時間,。 N3mC
LED 熄滅時間——下降時間tf是指正常發(fā)光減弱至原來的10%所經(jīng)歷的時間。
不同材料制得的LED響應(yīng)時間各不相同,;如GaAs,、GaAsP、GaAlAs其響應(yīng)時間<10-9S,,GaP為10-7 S。因此它們可用在10~100MHZ高頻系統(tǒng),。 gB -
2 LED光學特性 Q+ wAH,=_
發(fā)光二極管有紅外(非可見)與可見光兩個系列,,前者可用輻射度,后者可用光度學來量度其光學特性,。 xig53v
2.1 發(fā)光法向光強及其角分布Iθ f9?&SVg^`
2.1.1 發(fā)光強度(法向光強)是表征發(fā)光器件發(fā)光強弱的重要性能,。LED大量應(yīng)用要求是圓柱、圓球封裝,,由于凸透鏡的作用,,故都具有很強指向性:位于法向方向光強zui大,其與水平面交角為90°,。當偏離正法向不同θ角度,,光強也隨之變化。發(fā)光強度隨著不同封裝形狀而強度依賴角方向,。 V7_)lHp~
2.1.2 發(fā)光強度的角分布Iθ是描述LED發(fā)光在空間各個方向上光強分布,。它主要取決于封裝的工藝(包括支架、模粒頭,、環(huán)氧樹脂中添加散射劑與否) t+F< n6@R
⑴為獲得高指向性的角分布(如圖1) %rAK\OQN2
① LED管芯位置離模粒頭遠些,; !b`p;|Qt
②使用圓錐狀的模粒頭; TpEY1
③封裝的環(huán)氧樹脂中勿加散射劑,。 \
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采取上述措施可使LED 2θ1/2 = 6°左右,,大大提高了指向性,。 VpuPO\VQ
⑵當前幾種常用封裝的散射角(2θ1/2角)圓形LED:5°、10°,、30°,、45° 2[1]SJ 2MFl
2.2 發(fā)光峰值波長及其光譜分布
⑴ LED發(fā)光強度或光功率輸出隨著波長變化而不同,繪成一條分布曲線——光譜分布曲線,。當此曲線確定之后,,器件的有關(guān)主波長、純度等相關(guān)色度學參數(shù)亦隨之而定,。 !>;`
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