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北京海富達科技有限公司

主營產(chǎn)品: 臭氧檢測儀,環(huán)境檢測儀器,水質(zhì)分析儀/ORP測定儀/溶解氧

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THZ24-CV-5000電容電壓特性測定儀報價
電容電壓特性測定儀報價
參考價 45000
訂貨量 1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號 THZ24-CV-5000
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 北京市

更新時間:2025-04-09 13:14:06瀏覽次數(shù):1670

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【簡單介紹】
產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 化工
電容電壓特性測定儀報價型號:THZ24-CV-5000庫號:M408361 MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù),,MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性)。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度,、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有關(guān)系,。 利用實際測量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較,可求得氧化硅層厚度,、襯底摻雜濃度
【詳細說明】

電容電壓特性測定儀報價電容電壓特性測定儀報價 型號:THZ24-CV-5000庫號:M408361   

MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù),,MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性)。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度,、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有關(guān)系,。 利用實際測量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較,可求得氧化硅層厚度,、襯底摻雜濃度,、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù),。

另外作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)(勢壘電容),。加正向偏壓時,,PN結(jié)勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大,;加反向偏壓時,PN結(jié)勢壘區(qū)變寬,,勢壘電容變小,。

CV-5000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的數(shù)字的電容測試儀器,既可用于測試半導(dǎo)體器件PN結(jié)的勢壘電容在不同偏壓下的電容量,,也可進行Mos電容的外加電壓掃描測試,,還可測試其它MIS電容。

該電容電壓特性測試系統(tǒng)由主機和上位機(PC)組成,,并在軟件控制下完成校準及測試等功能,,同時顯示C-V電容電壓特性曲線。主機面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài),,用數(shù)碼管組成的顯示板,,將被測元件的數(shù)值,小數(shù)點清晰地顯示出來,。儀器有分辨率,,電容量是五位讀數(shù),可分辮到0.001pF,,偏置電壓分辨力為0.1V,,漏電流分辨力為0.01uA。

儀器配有CV-5000型測量座,,接插元件方便,。

本儀器測量操作簡便??蓱?yīng)用于元件廠,,科研部門,高等院校等各個部門,。

CV-5000型電容電壓特性測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有測試界面的用戶程序,,程序操作易用。測試程序在計算機與CV-5000型電容電壓特性測試測試儀連接的狀態(tài)下,,通過計算機的USB口實現(xiàn)通訊,。

測試程序控制電容電壓特性測試測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù),把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析,,然后把測試數(shù)據(jù)以表格,,圖形記錄、顯示出來,。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在計算機中保存或者打印以備日后參考和查看,,還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中,,讓用戶對數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)分析。

技 術(shù) 指 標 :

測試信號頻率  1.000MHz±0.01%,;

測試信號電壓 小于或等于100mVrms,;

電容測量范圍 1.000pF~5000.0pF;

工作誤差 ±3.0%±2字,;

直流偏壓 -35V~+35V(可擴展),,由軟件按設(shè)定步進電壓值輸出偏置電壓;

軟件功能 由軟件控制電壓的掃描輸出,,讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線,;軟件可記錄、保存,、打印每一點的測試數(shù)據(jù),,也可把測試數(shù)據(jù)輸出到Excel中,對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析,。

電腦通訊接口 USB通訊接口,;

應(yīng)用 應(yīng)用于MOS摻雜和PN結(jié)摻雜的C-V特性測量,也可測試其它MIS電容等,。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù),,MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性)。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度,、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關(guān)系,。 利用實際測量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較,可求得氧化硅層厚度,、襯底摻雜濃度,、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)

附送實驗樣品 P型MOS實驗樣品,、N型MOS實驗樣品,、PN摻雜實驗樣品

供電電源 交流電壓:220V±5%;

頻率: 50Hz±5%,;

消耗功率:不大于40W,;

工作環(huán)境 溫度:0—40℃;

濕度:20%~90%RH 40℃



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