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SB120線圈平臺及SB120/1樣品平臺可分別對磁電阻薄膜的磁電阻及導體/半導體電阻率進行測試及研究,。
該實驗平臺由帶360º刻度的底盤,,安裝在底盤內(nèi)可旋轉360º的襯盤,安裝在底盤上的樣品平臺(高低可調(diào))以及安裝在樣品平臺上的四探針等組成SB100/1樣品平臺,。
SB120線圈平臺主要增加了二個相同類型的亥姆霍茲磁場線圈,,分別安置在樣品平臺的兩側,且固定在可旋轉360º的襯盤兩邊上,,樣品平臺位于磁場的中心,,在其通電0-60V/5A的情況下,可確保產(chǎn)生磁場0-150奧斯特,。
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