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供求商機(jī)
SUNX神視晶片定位傳感器 M-DW1
- 發(fā)布日期：
- 有效日期：
- 所 在 地：
- 產(chǎn) 地：
- 已獲點(diǎn)擊：
- 2024年11月1日
- 2025年5月1日
- 上海上海市
- 日本
- 188次
【產(chǎn)品簡(jiǎn)介】
【詳細(xì)說(shuō)明】
SUNX神視晶片定位傳感器 M-DW1
SUNX神視晶片定位傳感器 M-DW1特點(diǎn)：可檢測(cè)涂氮晶片,！
可檢測(cè)涂氮晶片
· 激光定位傳感器具有危險(xiǎn),，由于當(dāng)從內(nèi)部負(fù)載孔定位時(shí),，激光光軸未達(dá)到FOUP直接射向操作員,。使用LED光源的M-DW1比原先的激光光軸定位傳感器更安全,。
· 涂氮晶片根據(jù)涂層厚度以一定波長(zhǎng)吸收光線,。如果傳感器使用具有單個(gè)波長(zhǎng)的傳感器，光軸可能被*吸收,，導(dǎo)致晶片檢測(cè)錯(cuò)誤,。M-DW1使用的LED光源的波長(zhǎng)帶比較寬，所以可始終成功地檢測(cè)涂氮晶片,。
· 根據(jù)反射光線的數(shù)量進(jìn)行的晶片檢測(cè)可能有時(shí)會(huì)由于晶片邊緣的形狀而發(fā)生錯(cuò)誤,。M-DW1在受光部分使用2個(gè)分隔的受光二極體，通過(guò)反射光線的位置而不是數(shù)量檢測(cè)晶片,。因此,，傳感器受晶片厚度或反射光線數(shù)量的影響較小。
晶片定位檢測(cè)
 | ·中心測(cè)量距離：45mm ·電源電壓：12～24V DC±10% ·檢測(cè)物體：3英寸以上半導(dǎo)體晶片 ·輸出： NPN開路集電極晶體管（zui大100mA）或PNP開路集電極晶體管（zui大100mA）通過(guò)切換開關(guān)選擇 |