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200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號BX-Y1245

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時間:2024-05-15 09:42:58瀏覽次數(shù):1271次

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 類型 數(shù)字式電阻測試儀
應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,綜合
200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校,、科研部門對導(dǎo)電陶瓷,、硅,、鍺單晶(棒料,、晶片)電阻率,、測定硅外延層,、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻,、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準,。

關(guān)鍵詞:
電阻率儀   電阻率儀器   四探針電阻率測量儀   電阻率測試儀   探針電阻率測試儀   四探針法測電阻率

Y1245-200.png

產(chǎn)品用途:200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

用于:企業(yè),、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷,、硅,、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率,、測定硅外延層,、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).

雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量,。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準,。

儀器特點:200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

采用四探針雙電組合測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測試探針治具與PC軟件對數(shù)據(jù)的處理和測量控制,解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對溫度變化測量要求,,軟件實時繪制出溫度與電阻,,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,及過程數(shù)據(jù)值的報表分析.

技術(shù)參數(shù):

1.方塊電阻范圍

10^-5~2×10^5Ω/□

2.電阻率范圍

10^-6~2×10^6Ω-cm

3.測試電流范圍

0.1μA.μA.0μA,,100μA,,1mA,10mA,,100 mA

4.電流精度

±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度

≤0.3%

PC軟件界面

顯示:電阻,、電阻率、方阻,、溫度,、單位換算、溫度系數(shù),、電流,、電壓、探針形狀,、探針間距,、厚度 、電導(dǎo)率

7.測試方式

雙電測量

8.四探針儀工作電源

AC 220V±10%.50Hz  <30W

9.誤差

≤3%(標準樣片結(jié)果

10.溫度(選購)

常溫 --200,;400℃,;600℃;800℃,;1000℃,;1200℃;1400℃,;1600℃

11.氣氛保護(氣體客戶自備)

常用氣體如下:氦(He),、氖(Ne)、氬(Ar),、氪(Kr),、氙(Xe)、氡(Rn),,均為無色,、無臭、氣態(tài)的單原子分子

12.溫度精度

沖溫值:≤1-3℃,;控溫精度:±1°C

13.升溫速度:

常溫開始400℃--800℃需要15分鐘,;800℃-1200℃需要30分鐘;1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘

14.高溫材料

采用復(fù)合陶瓷纖維材料,,具有真空成型,,高溫不掉粉的特征

15.PC軟件

測試PC軟件一套,USB通訊接口,,軟件界面同步顯示,、分析,、保存和打印數(shù)據(jù)!

16.電極(探針)材料標配 

鎢電極或鉬電極+電極(探針)陶瓷管 +高溫陶瓷樣品臺,,1套.

17.探針間距

直線型探針,,探針間距:4mm;

18.樣品要求

樣品長度要求13mm  樣品寬2mm或直徑13mm

19.高溫電源:

供電:400-1200℃ 電源220V,,功率2-4KW,;380V;1400℃-1600℃電源380V;功率4-6KW:

20.標配外(選購):

a電腦和打印機1套,;b.標準電阻1-5個,;

c.S型鉑銠探針電極(溫度范圍:200-1300度);

d.B型鉑銠探針電極(溫度范圍:1400-1600度)


 

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