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光器件的可靠性你可以這樣測試

閱讀:2138          發(fā)布時間:2019-10-25

光器件的可靠性你可以這樣測試

光器件在Telcordia可靠性標準中,,對我們*具有參考意義的應(yīng)該就是GR-468和GR-1209/1221了。GR-468重點講了有源器件的可靠性標準,,而GR-1209/1221重點講無源器件的可靠性,。雖然涵蓋的產(chǎn)品種類不同,但是可靠性測試包含的項目大體相同,。

下面就以GR-468為主線,,盤點一下有源器件可靠性測試項目:

因為可靠性測試項目與器件類型、器件應(yīng)用場景關(guān)系很大,,所以有必要先對器件和應(yīng)用場景進行分類,。

按照封裝層次,有源器件可以分為5個層級:

1. wafer level: 晶圓級,,芯片還未解理的狀態(tài),。

2.diode level:芯片被解理/切割成一顆顆,或者芯片貼裝在熱沉上的狀態(tài),。

3.submodule level:芯片被初步組裝,,但還不具備完整的光/電接口,比如比如TO組件,。

4.module level:芯片擁有了完整的光電接口,,可以進行一系列指標測試,比如TOSA器件,。

5.Integrated Module:多個光電組件組成一起,,形成更上等封裝,比如光模塊,。

按道理來講,,越初級的封裝,做可靠性的成本越低,。比如已經(jīng)在晶圓上完成了老化(burn in),,那么就可以省去芯片級的老化步驟,可以節(jié)省不少工時和物料,;如果提前完成了芯片非氣密可靠性,,那么器件或者模塊的非氣密可靠性更容易得到保證。

但是考慮到實際情況(主要是測試),,在晶圓上不可能測出DFB的PIV或者眼圖,;在TO級別,沒有耦合連接器,,也不可能測出耦合效率,。既然無法測出某些關(guān)鍵指標,,也就無從判斷是否合格,因此一般可靠性都是建立在芯片級,、器件級以及模塊級的封裝上,。

按照應(yīng)用場景分類,可分為室內(nèi)/室外環(huán)境:

1.溫度長期處于5~40℃,,低溫偶爾到-5℃或高溫偶爾到50℃的環(huán)境,,比如室內(nèi)環(huán)境。用于室內(nèi)的模塊,,工作范圍處于0-70℃/-5-70℃就夠了,。

2.溫度不受控制,低可以到-40℃(比如東北),,高可以到65℃(比如中東),,后面全部以室外環(huán)境代替。用于室外的模塊,,工作溫度范圍一般為-40~85℃,。

下面開始盤點光器件要做的可靠性驗證項目

1. 機械完整性

1.1 機械沖擊與振動

產(chǎn)品運輸中難免被拋來拋去,使用時難免磕磕碰碰,,即使被安裝在設(shè)備上了,,也極有可能遇到風(fēng)扇引起的振動。機械沖擊和振動就是針對產(chǎn)品可能碰到的各種不佳情況,,提前做好預(yù)防與篩選工作,。

1.2 熱沖擊

當(dāng)一個冷玻璃杯突然倒入開水的時候,由于劇烈的熱脹冷縮,,引起應(yīng)力來不及釋放,,使得玻璃杯破裂。氣密封裝的光器件雖然不至于破碎,,但內(nèi)部氣體縮脹,、各材質(zhì)熱脹系數(shù)不一致引起的引力,也可能導(dǎo)致氣密失效,。

熱沖擊主要針對氣密性封裝的器件,,需要將器件來回浸泡在0℃的冰水混合物和100℃的開水中。浸泡時間要求不小于2分鐘,,且5分鐘之內(nèi)達到水的溫,,然后10秒鐘之內(nèi)轉(zhuǎn)移到另一個水槽內(nèi)。做15個循環(huán)就完成了熱沖擊過程,。

此測試僅針對氣密封裝器件,。

1.3 光纖可靠性

對于有尾纖的器件或模塊,比如尾纖式TOSA,,還要進行尾纖受力測試:

根據(jù)尾纖受力形式不同,,分為軸向扭轉(zhuǎn),、側(cè)向拉力,、軸向拉力,。主要參數(shù)就是施加力的大小和施加力的次數(shù)或時間。力的大小和受力次數(shù)(時間)是根據(jù)光纖是025帶涂覆層光纖,、松套光纖(如09松套),、緊套光纖(09緊套),還是加強型光纖(如3mm中間填絲線保護光纖)而定,。

1.4 連接器可靠性

對于有連接器的器件和模塊,,需要對連接器的可靠性進行檢查。

主要包括

插拔可靠性:和外接連接器拔插200次,,監(jiān)控光功率,。

抗非軸向扭擺(wiggle):Cisco 認定光學(xué)設(shè)備中光纖光纜受非軸向力時會明顯導(dǎo)致光功率變化,這就是wiggle,,還沒找到標準,。

抗拉托特:要求10次測試中,小于30%的概率被拉出,。

2. 不帶電環(huán)境(存儲/運輸)的壓力可靠性

2.1 高溫/低溫存儲

器件存儲環(huán)境千差萬別,,有些器件可能放在東北,零下幾十度,;有些器件可能被運往中東,,環(huán)境溫度五十多度,車內(nèi)甚至可以到70多度,。因此很有必要在發(fā)貨前,,就驗證器件是否能抗的住這些溫度。由于只是運輸存儲,,所以不帶電,。

一般有低溫存儲和高溫存儲。經(jīng)大量試驗發(fā)現(xiàn),,有源器件在低溫下,,不太可能失效,所以低溫存儲時間只有72小時,,甚至可以不用做,。而高溫存儲一般在85℃下存儲2000h,如果器件的*高工作溫度高于85℃,,那么在器件*高工作溫度下存儲,。

相比有源器件,無源器件里面用的膠比較多,,膠有個很重要的參數(shù)就是T**,,T**是膠的力學(xué)特性改變溫度點,。因此一般無源器件在-40℃低溫存儲1000h。

2.2 高低溫循環(huán)

幾乎所有光器件在出廠前都要經(jīng)歷高低溫循環(huán)考驗,。

每種材料的熱膨脹系數(shù)不一樣,,只有在劇烈的溫度變化下,才能考驗不同材料是否存在失效風(fēng)險,。

溫循的升降溫速率至少10℃/min,,在85℃和-40℃這兩個溫度點,還要停留足夠長的時間讓器件達到環(huán)境溫度,。對于室內(nèi)應(yīng)用的光模塊,,溫循100次就OK,對于室外應(yīng)用光模塊,,需要溫循500次,。對于有TEC控溫的模塊,溫循的時候,,需要把TEC開著,。

2.3 濕熱

濕熱不一定是85℃/85%RH,也可以是其它溫度和濕度的組合(75℃/90%RH),,只是85℃/85%是*常用的濕熱條件,。濕熱可以測試氣密性器件的氣密特性,也可以考驗非氣密器件的可靠性,。GR-468上不分室內(nèi)室外應(yīng)用,,推薦的85℃/85%RH時間是500h,而GR-1221推薦室外應(yīng)用雙85可靠性要做到至少2000h,。需要注意的是,,這些標準推薦的時間只是一個*低參考,具體時間可以根據(jù)產(chǎn)品特點而選定,,也可以和后面更嚴格的帶電雙85合并,。

3. 帶電(工作狀態(tài))可靠性

3.1 高溫可靠性:

芯片/器件/模塊開足馬力,以*大電流或者*大功率條件下工作,,這樣做是為了加速失效,。對于室外應(yīng)用,溫度設(shè)定在85℃,,對于室內(nèi)應(yīng)用,,溫度設(shè)定在70℃。對于芯片級可靠性,,持續(xù)時間5000h,;對于器件或模塊級可靠性,持續(xù)時間2000h。特別對于PD,,溫度一般設(shè)定在175℃,,時間2000h。

3.2 耐周期濕度可靠性

濕度和溫度同時變化條件下的可靠性實驗,,有可能會產(chǎn)生水汽凝結(jié)或者結(jié)霜,。這個實驗僅僅針對室外應(yīng)用的器件和模塊。該實驗的溫濕度控制曲線如下圖,,要做20個循環(huán),,一個循環(huán)下來要24小時,;至少有一半的循環(huán),,*后一步要降到-10℃,停留不少于3h,。

3.3 濕熱可靠性:

這項實驗針對非氣密封裝的器件,,85℃/85%RH,持續(xù)1000小時或2000h(視具體產(chǎn)品和應(yīng)用而定),。需要特別注意的是,,并不是工作電流/出光功率越大越好,因為這樣會產(chǎn)生大量的熱,,從而改變器件周圍的環(huán)境,。對于激光器,工作電流保持在閾值電流1.2倍就行了,。

以上測試,,基本上包含了可靠性認證絕大多數(shù)項目。對于上面所有項目,,凡是需要拿模塊做實驗的,,數(shù)量一般選11個;凡是拿器件或者芯片做驗證的,,數(shù)量一般都是22個,。沒有失效情況,才算通過可靠性,。否則,,就要再做一次。但是再做一次就沒必要拿這么多器件/模塊出來了,。

那么,,具體怎么操作呢?比如進行LD的高溫帶電(85℃/5000h),,要求LTPD為10%,,投入22只樣品,有1只失效了,,顯然這個實驗沒通過,。那么我們按下面這個表查找,,**列為失效個數(shù),失效1個,,LTPD為10,,對應(yīng)的數(shù)字是38,那么只需要再拿38-22=16只芯片做一次高溫帶電,,沒有失效芯片,,那么這項可靠性驗證就通過了!

光器件的可靠性其實是一個很復(fù)雜的系統(tǒng)工程,,需要研發(fā),、生產(chǎn)、采購,、質(zhì)保,、體系管理等多方面的參與,才能實現(xiàn)較上等別的可靠性保障,。

參照下面光器件可靠性地圖可以看到,,上面對光器件可靠性測試條件做的盤點,只是光器件可靠性認證中的很小一部分,,是作為研發(fā)工程師比較關(guān)注的部分,。

而且上面的盤點僅列舉了壓力測試條件,對具體什么樣的器件,,應(yīng)該做哪些可靠性項目說明的不充分,,這次僅僅針對環(huán)境壓力測試條件。

芯片級的環(huán)境壓力可靠性條件:

這里的芯片指的是已經(jīng)貼裝在熱沉上,,完成金絲鍵合的LD/PD芯片,。

芯片級*重要的可靠性測試條件就是高溫帶電老化,特別值得注意的是由于PD失效模式對溫度不太敏感,,所以采用了很高的帶電老化溫度,!如果是用于非氣密封裝的芯片,還要增加濕熱帶電老化,。

器件級的環(huán)境壓力可靠性條件:

器件相對于芯片,,有了更復(fù)雜的結(jié)構(gòu),所以增加溫度循環(huán),,以驗證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性很有必要,。氣密的器件無須做濕熱條件下的帶電老化,但是有必要做濕熱存儲,。做濕熱存儲僅僅是為了驗證其密封性(水氣滲透)是否過關(guān),。

模塊級別的環(huán)境壓力可靠性條件:

模塊基本都是非氣密封裝的,所以濕熱存儲和濕熱帶電老化是必做項目。

模塊有更復(fù)雜的結(jié)構(gòu),,所以溫度循環(huán)驗證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,,也是基礎(chǔ)可靠性項目。

一般無源器件(主要是功率分配,,波長分配器件)環(huán)境壓力可靠性條件:

無源器件與有源器件*大的不同在于,,無源器件沒有光電轉(zhuǎn)換過程,無源器件封裝過程采用了大量膠水,。相應(yīng)地,,在可靠性條件上,沒有帶電,,增加了低溫存儲時間,。

針對不同應(yīng)用,不同封裝類型器件,,總結(jié)如下:

以上的環(huán)境壓力可靠性測試只是標準推薦的條件,,實際可靠性也可以不按照標準執(zhí)行,比如采用等價的測試條件,,或者采用更嚴格的測試條件。各個可靠性測試標準之間也可以相互結(jié)合使用,,因為光器件越來越復(fù)雜,,可以同時包含有源和無源,裸芯片與封裝好的器件,,所以必然涉及到多個標準的結(jié)合使用,;各可靠性項目也可以合并,只做其中更嚴格的條件,,比如做了高溫帶電老化,,可以不用做高溫存儲。

以上所述所有可靠性認證項目都是定性分析,,得到的數(shù)據(jù)只有合格與不合格,。如果可靠性認證合格,只能定性地說產(chǎn)品的早期失效被篩除了,,同時保證了一定的使用時間,。至于器件壽命到底是多少,經(jīng)過一定時間之后失效概率是多大,,并不能得到,。

為了得到產(chǎn)品的使用壽命,*簡單準確的方法就是把產(chǎn)品放在實際的使用環(huán)境中,。記錄失效發(fā)生的時間和累計失效數(shù)目,,然后求出產(chǎn)品平均壽命。

可是一般電信級光器件的設(shè)計壽命是20年,為了得到產(chǎn)品的壽命數(shù)據(jù),,做20年的掛機實驗顯然不切實際,。

跟人的相貌一樣,風(fēng)吹日曬1個月后的樣子可能跟你長大5歲后的樣子一樣,。風(fēng)吹日曬使臉蛋老化過程加速了 60倍,!

同樣的道理,我們可以利用各種高溫,、低溫,、濕氣、大電流,、電壓來折磨光器件,,加速光器件的失效,使幾十年甚至上百年才失效的器件,,在幾十上百天內(nèi)失效,。

得到了加速老化的失效曲線,乘以加速因子,,就得到了正常工作條件下的失效曲線,,從而算出正常工作條件下的壽命。

不同環(huán)境壓力的失效機理不一樣,,也有不同的加速因子,。

溫度加速失效:

溫度越高,原子平均能量就越大,,原子離開自己原有位置,,形成缺陷的概率就越大。一切與溫度相關(guān)的加速失效都滿足方程Arrhenius方程,。

濕度加速失效:

一方面,,濕氣相當(dāng)于溶液,會促進有害離子的運輸,,引起腐蝕反應(yīng),;另一方面,濕氣進入產(chǎn)品內(nèi)部,,會形成氣泡,,溫度變化時會產(chǎn)生應(yīng)力,對器件結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷,。

溫度循環(huán)加速失效:

溫度循環(huán)會導(dǎo)致不同膨脹系數(shù)的材料受到循環(huán)應(yīng)力,,溫差越大,循環(huán)應(yīng)力的峰值越大,,對結(jié)構(gòu)的疲勞損傷就越強烈,。因此溫度加速因子實際上是循環(huán)應(yīng)力引起的加速失效,。

其它加速失效:

電流、電壓,,光功率也是常用的加速條件,,它們的加速因子與濕度和溫度類似,滿足指數(shù)關(guān)系,。 如果有多個加速條件存在,,總加速因子就是各個條件加速因子的乘積。

有了加速因子,,各種不同的壓力測試條件就有了定量的可比性,,甚至可以根據(jù)實際情況,調(diào)整環(huán)境壓力條件,,只要不同環(huán)境壓力下,,同樣失效模式的加速因子相當(dāng)即可。

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