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FERA3雙束掃描電鏡離子束流高達 2 µA,，因此其濺射速度是傳統(tǒng) Ga 離子源的 50 倍以上,，這使得 FERA3 成為完成耗時過長或幾乎不可能實現(xiàn)的大體積銑削任務(wù)的理想設(shè)備,。

在 FIB-SEM 系統(tǒng)中,，電子和離子束的焦點可以重合,，從而可以對多種實際應(yīng)用進行優(yōu)化,。這一特征使得其在 FIB 銑削任務(wù)期間能夠同時進行 SEM 成像——這使得在完成*精度要求的 FIB 操作時，性能和吞吐量都有了巨大飛躍,。同時,，F(xiàn)ERA3 配備有高性能的電路系統(tǒng)以用于更快的圖像采集，超快速的靜態(tài)和動態(tài)圖像畸變補償掃描系統(tǒng)以及用戶自定義內(nèi)置應(yīng)用程序腳本等,。

FERA3雙束掃描電鏡

突出特點

現(xiàn)代電子光學(xué)系統(tǒng)

• Wide Field Optics™設(shè)計,，利用中間鏡 ( IML) 技術(shù)使掃描電鏡具有多種操作和顯示模式，如大視野模式,、景深增強模式等,；
• 實時電子束追蹤技術(shù)(In-Flight Beam Tracing™)，可實現(xiàn)性能及電子束的優(yōu)化,，同時直接連續(xù)調(diào)節(jié)控制電子束參數(shù),；
• 全自動電子光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)置與對中；
• 極快速的圖像采集速率,，高達 20 ns,；
• 應(yīng)用3D 電子束技術(shù)可實現(xiàn)*的實時立體成像觀察，開啟驚奇的 3D 體驗及 3D 導(dǎo)航微納世界之旅,；

極其強大的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒

高電子回旋共振（High-ECR）產(chǎn)生的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒,，可完成 Ga 離子源 FIB 在納米工程領(lǐng)域不能完成的任務(wù)

• 濺射速率比 Ga 液態(tài)金屬離子源快 50 倍；
• 離子束流范圍：1 pA ~ 2 µA, 分辨率：< 25 nm,；
• 新研發(fā)的高分辨率 Xe 等離子體 FIB 鏡筒（選配）,，分辨率優(yōu)于15nm，進一步增強刻蝕能力,；
• 大重量的 Xe 等離子具備更大的 FIB 電流范圍,，在無氣體輔助增強的條件下也可實現(xiàn)超快濺射
• 相較于 Ga 液態(tài)金屬離子源，離子注入效應(yīng)顯著減少,；
• Xe 惰性氣體原子不會改變圖樣區(qū)域附近的電學(xué)性能,；
• 銑削過程中無金屬間化合物形成。