光電激發(fā)與弛豫過程
當(dāng)高能X射線（或γ射線）轟擊樣品時(shí),，其能量若超過原子內(nèi)層電子結(jié)合能（如K層、L層）,，將導(dǎo)致電子電離并形成空位,。激發(fā)態(tài)原子通過外層電子躍遷填補(bǔ)空位時(shí)，釋放特征X射線（熒光輻射）,，其能量等于兩電子軌道能級(jí)差（ΔE=hv）,，遵循莫塞萊定律：
（λ為特征X射線波長(zhǎng)，Z為原子序數(shù),，k,、σ為修正系數(shù)）
元素指紋識(shí)別
每種元素形成元素指紋譜，實(shí)現(xiàn)ppm級(jí)（0.0001%）至百分含量范圍的精準(zhǔn)定性/定量分析,。
| 核心組件 | 功能描述 |
|---|---|
| 激發(fā)源 | 高壓X射線管（Rh靶/Ag靶,，功率50-100 W）或放射性同位素源（如??Fe、1??Cd） |
| 樣品室 | 多軸可調(diào)樣品臺(tái),，支持直徑1-50 mm樣品,，配備He氣吹掃系統(tǒng)降低輕元素吸收 |
| 探測(cè)系統(tǒng) | 硅漂移探測(cè)器（SDD，能量分辨率＜130 eV）或比例計(jì)數(shù)器 |
| 數(shù)據(jù)處理系統(tǒng) | 多道脈沖高度分析器（MCA）結(jié)合FP法/經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法解譜 |
| 參數(shù) | 能量色散型XRF（ED-XRF） | 波長(zhǎng)色散型XRF（WD-XRF） |
|---|---|---|
| 分光原理 | 直接測(cè)量X射線能量 | 晶體分光測(cè)量X射線波長(zhǎng) |
| 探測(cè)器 | 半導(dǎo)體探測(cè)器（SDD） | 流氣式正比計(jì)數(shù)器+分光晶體 |
| 分辨率 | 中等（~150 eV） | 高（~5 eV） |
| 檢測(cè)速度 | 快速（秒級(jí)） | 較慢（分鐘級(jí)） |
| 典型應(yīng)用 | 現(xiàn)場(chǎng)快速篩查、多元素同時(shí)分析 | 實(shí)驗(yàn)室高精度分析,、重元素檢測(cè) |
| 領(lǐng)域 | 典型檢測(cè)對(duì)象 | 關(guān)鍵指標(biāo) |
|---|---|---|
| 冶金工業(yè) | 304/316不銹鋼Cr/Ni/Mo含量 | 牌號(hào)鑒別 誤差小于0.5 wt% |
| 環(huán)境監(jiān)測(cè) | 土壤中Pb/Cd/As污染濃度 | 檢出限：2-10 ppm（重金屬） |
| 電子制造 | 焊料Sn-Ag-Cu合金比例 | 厚度分析精度±0.1 μm |
| 考古鑒定 | 青銅器Cu-Sn-Pb三元組分 | 非破壞檢測(cè),，支持μ-XRF微區(qū)分析 |
| 珠寶檢測(cè) | 貴金屬純度（Au750/Au916） | 表層鍍層識(shí)別能力達(dá)10 nm |
核心優(yōu)勢(shì)
非破壞性檢測(cè)（NDT），樣品形態(tài)兼容性強(qiáng)
多元素同步分析（Na-U全元素覆蓋）
快速檢測(cè)（5-300秒/樣品）
無需復(fù)雜前處理（支持原位檢測(cè)）
技術(shù)局限
輕元素（Z＜11）檢測(cè)靈敏度低
對(duì)樣品均質(zhì)性敏感（需研磨至＜50 μm）
基體效應(yīng)需通過標(biāo)準(zhǔn)樣品校正
樣品制備
金屬塊體：碳化鎢砂紙打磨至Ra＜0.8 μm
粉末樣品：硼酸鑲邊壓片（壓力＞20噸）
液體樣品：6 μm聚酯膜密封防揮發(fā)
儀器校準(zhǔn)
每日開機(jī)執(zhí)行能量校準(zhǔn)（Cu-Kα=8.04 keV）
每周驗(yàn)證檢出限（NIST SRM 610標(biāo)樣）
每季度檢查重復(fù)性（RSD＜1.5%）
輻射安全
鉛屏蔽體（≥2 mm鉛當(dāng)量）
實(shí)時(shí)劑量監(jiān)控（工作區(qū)＜2.5 μSv/h）
操作員佩戴TLD個(gè)人劑量計(jì)
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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