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各向異性對高取向Bi2Te3電沉積薄膜熱電性能的影響

閱讀:3219      發(fā)布時間:2019-11-28
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【引言】

    由于開發(fā)替代能源的必要性,,相比于那些依賴化石燃料的能源,熱電材料已經(jīng)引起了人們的極大關(guān)注,。Bi2Te3基合金就是一種熱電材料,非常適合在室溫至100℃的溫度范圍內(nèi)工作,。Antonova等人的工作中,,強調(diào)了平行和垂直于C軸的單晶體碲化鉍的室溫各向異性熱電性能。因此,,可以利用Bi2Te3薄膜的各向異性特性來獲得大性能,。

【成果介紹】

Cristina V. Manzano等人采用脈沖電沉積法,制備了沿[110]晶相的高取向Bi2Te3薄膜,。對這些薄膜的結(jié)構(gòu),、組成和形貌進行了表征。通過使用商用LSR-3 Linseis系統(tǒng)測量塞貝克系數(shù),、各方向的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率,,確定了平行和垂直于襯底表面的熱電性能品質(zhì)因數(shù)(zT),。在300K時,Bi2Te3薄膜的面內(nèi)和面外品質(zhì)因數(shù)分別為(5.6±1.2)·10-2和(10.4±2.6)·10-2,。

【圖文導(dǎo)讀】

圖1:(A)Bi2Te3的晶體結(jié)構(gòu),。(B)在本工作中測量的電沉積膜的方向。

 

圖2: Bi2Te3脈沖電沉積薄膜的X射線衍射圖,。衍射圖y軸使用對數(shù)標尺,,以強調(diào)薄膜中沒有其他方向。

 

圖3:Bi2Te3薄膜的SEM圖像,。(A)俯視圖,,(B)橫截面。

 

圖4:面內(nèi)測量電阻率,、塞貝克系數(shù)和功率因數(shù)隨溫度的變化,。

 

圖5:室溫下的面外塞貝克系數(shù)。(a)塞貝克系數(shù)分布,,和(b)由商業(yè)系統(tǒng)塞貝克微探針測量的塞貝克系數(shù)圖,。

 

圖6:平面外導(dǎo)電設(shè)置方案。

 

 

【結(jié)論】

通過改變生長周期中無電流部分的持續(xù)時間得到了脈沖電流,,再利用脈沖電沉積工藝得到沿[110]方向高取向的Bi2Te3薄膜,。在300 K時,平面內(nèi)的品質(zhì)因數(shù)約為(5.6±1.2)·10-2,,而平面外的品質(zhì)因數(shù)為(10.4±2.6)·10-2,。通過這些測量,揭示了Bi2Te3電沉積薄膜的電,、熱導(dǎo)率各向異性和塞貝克系數(shù)各向同性,。垂直于c軸的電導(dǎo)率幾乎是平行于c軸的電導(dǎo)率的5(4.8)倍。垂直于c軸的塞貝克系數(shù)在沿c軸的塞貝克系數(shù)的實驗不確定度范圍內(nèi),,表明電沉積膜的該特性具有各向同性,。從平面內(nèi)到平面外的導(dǎo)熱率增加了兩倍。由300K時的面內(nèi)和面外測量值,,分別得到zT// c =(5.6±1.2)·10-2和zT⊥c =(10.4±2.6) ·10-2的品質(zhì)因數(shù),,從而使面內(nèi)和面外熱電性能增加了1.8倍。

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