本文研究了在鍍Mo膜鈉鈣玻璃(SLG)上共濺射和共蒸發(fā)工藝制備的CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)吸收膜中主要和次要化學成分的LIBS光譜的影響,。結(jié)果表明,，共濺射技術(shù)制備的CIGS層的單脈沖剝燒蝕率高于共蒸發(fā)技術(shù)制備的CIGS層,，從而導致各組分的LIBS信號強度較高,。通過對輻照表面形貌和LIBS信號強度變化的研究，發(fā)現(xiàn)共濺射技術(shù)制備的CIGS薄膜存在元素分餾現(xiàn)象,，而共蒸發(fā)技術(shù)制備的CIGS薄膜沒有元素分餾現(xiàn)象,。通過x射線衍射檢測，證實了兩種不同類型CIGS吸收膜的剝蝕和光譜特性的差異是導致其結(jié)晶性能差異的原因,。此外,，LIBS可以有效地測定從SLG擴散而來的CIGS薄膜中鈉濃度的深度剖析。

圖2. 用共蒸發(fā)和共濺射制備CIGS吸收膜的典型LIBS譜（門延遲=0.5μs）

圖2中較高的光譜強度和圖5中較高的計算電子數(shù)密度證實了濺射膜上發(fā)生了更強的原子化和離子化作用,。由于兩種薄膜的激光剝蝕條件相同,，所觀察到的濺射薄膜中CIGS元素的高發(fā)射線強度與剝蝕速率增強有關(guān)。為驗證濺射膜和蒸發(fā)膜的剝蝕速率差異,，研究了濺射膜和蒸發(fā)膜的光譜隨激光脈沖數(shù)的變化,。具體來說，兩種樣品的LIBS光譜記錄如圖6(a)和圖6(b)所示,，利用在386.411nm和390.296 nm處檢測Mo發(fā)射譜線來確定Mo層的激光剝蝕開始的點,。注意，兩種類型的CIGS薄膜厚度是相同的,，均為1.23μm,。In、Ga,、Mo強度的變化按10個脈沖的大值歸一化,，總結(jié)為激光脈沖數(shù)的函數(shù)，如圖7所示,。在濺射膜的情況下(圖7 (a)),， Mo峰的強度在第4次脈沖時急劇增加,，說明需要4次激光脈沖才能去除整個CIGS層,。相反，Ga和In的峰強在第4次脈沖后迅速下降,。對于蒸發(fā)膜,，在第8次脈沖時觀察到Mo峰強度的增加和In和Ga強度的下降（圖7 (b)）。對這兩種類型的CIGS薄膜剝蝕表面的觀察發(fā)現(xiàn),，剝蝕和剝蝕坑形態(tài)特征*不同,，如圖8所示。注意,，兩個樣品的表面在激光照射前有相似的結(jié)構(gòu),。首先，圖8(a)和圖8(b)中剝蝕坑的低放大率(x250)圖像顯示，兩種樣品的CIGS薄膜幾乎被整個激光點均勻地剝蝕了,，直到脈沖數(shù)增加時出現(xiàn)了一些不均勻的剝蝕坑底部輪廓,。然而,，*脈沖之后,，濺射膜的表面開始出現(xiàn)多孔的外觀(圖8(a)),，這可能是由于不同組成元素的部分剝蝕造成的,。隨著脈沖數(shù)的增加,，由于剝蝕表面的熔化和隨后的再凝固,，表面的多孔外觀變得不那么明顯,。在第4次脈沖時，中間的CIGS層破裂,，顯露出底層(Mo),，這標志著圖7(a)中第4次脈沖時Mo信號強度急劇增加。注意圖7(a)中濺射膜的Ga線強度在第四次激光脈沖時增大,，而In峰則呈連續(xù)下降趨勢,，這就表示不同組成元素的優(yōu)先汽化。如果進行LIBS分析時,，假設(shè)峰值強度與樣品的原始成分成正比,，那么觀察到的濺射薄膜的元素分餾可能成為CIGS層元素成分測量誤差的來源,。另一方面,，蒸發(fā)膜在*脈沖剝蝕后呈現(xiàn)出*不同的表面形貌，即表面均勻熔化,，沒有氣孔(圖8(b)),。隨著脈沖數(shù)的增加，蒸發(fā)膜的表面形貌幾乎保持不變,，直到第七次脈沖剝蝕時,，膜的中部發(fā)生破裂，這也標志著圖7(b)中Mo信號強度的突然增加,。通過激光脈沖2到6觀察到的蒸發(fā)膜燒蝕表面形態(tài)的一致性可能表示是減少元素分餾來去除質(zhì)量,，使得圖7(b)中Ga和In峰的強度比更加一致。這些結(jié)果表明,，僅考慮蒸發(fā)膜的LIBS強度測量就可以得到更準確的元素濃度估計值,。

圖6. (a)濺射膜和(b)蒸發(fā)膜中在386.411 nm和390.296 nm處Mo譜線的LIBS譜

圖7. (a)濺射膜和(b)蒸發(fā)膜的In、Ga,、Mo峰的歸一化強度隨激光脈沖數(shù)的變化

在本研究中,，使用LIBS對應(yīng)用共濺射法和共蒸發(fā)法制備的兩種CIGS薄膜太陽能電池的吸收層進行了元素分析，研究了制備工藝對LIBS光譜的影響,。結(jié)果表明,，濺射膜中各組成元素的LIBS強度明顯高于相同組成、相同厚度的蒸發(fā)膜,。相反,，濺射膜揭示了不同元素可能優(yōu)先汽化的證據(jù)，通過LIBS對元素組成進行精確計算這是必須要考慮到的,。另一方面,，蒸發(fā)膜在單線強度上表現(xiàn)出高度的一致性。兩種不同方法制備的CIGS薄膜在LIBS信號特性上的差異是由兩種方法制備的CIGS層的晶體特性的根本差異引起的,。這些結(jié)果證實了CIGS太陽能電池的LIBS元素分析的關(guān)鍵參數(shù)應(yīng)該包括制造工藝和所得到的材料特性,。