一、光刻機是掩模對準曝光機，曝光系統,，光刻系統等,，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術,，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上,。
二、分類：
手動：指的是對準的調節(jié)方式,，是通過手調旋鈕改變它的X軸,，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了,；
半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧,；
自動：指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制,，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要,。
三、技術指標：
(1)支持基片的尺寸范圍,，分辨率,、對準精度、曝光方式,、光源波長,、光強均勻性、生產效率等,。
(2)分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式,。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統,、光刻膠和工藝等各方面的限制,。
(3)對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
(4)曝光方式分為接觸接近式,、投影式和直寫式,。
(5)曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域,，光源有汞燈,，準分子激光器等。
四,、光刻機種類：
(1)接觸式曝光：掩膜板直接與光刻膠層接觸,。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單,。接觸式,，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸,，硬接觸和真空接觸。
(2)接近式曝光：掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙(Gap),，Gap大約為0～200μm,。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用,；掩模壽命長(可提高10倍以上)，圖形缺陷少,。接近式在現代光刻工藝中應用最為廣泛,。
(3)投影式曝光：在掩膜板與光刻膠之間使用光學系統聚集光實現曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作,。優(yōu)點：提高了分辨率,；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小,。
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