關于氦氖激光器與半導體激光器的對比

波長越短測量精度越高。氦氖激光波長632.8納米,，顯然優(yōu)于半導體激光635納米和650納米,。

氦氖激光線寬窄穩(wěn)定性高在諸多激光器中是的，這已經(jīng)是光學界的共識,。

半導體激光器的線寬在各種激光器中是zui寬的,，可以達到幾十至幾百cm-1，也就是說半導體激光器的單色性是zui差的,。

從激光原理看,，激光發(fā)光與躍遷能級差有關，發(fā)光的波長與能級差的關系可以描述為  ΔΕ=hν=hс/λ  式中h為普朗克常數(shù),，ν為波數(shù),，c為光速，λ為波長,，ΔΕ=E2-E1 是上下能級之差,。

氦氖激光受激發(fā)射是在原子的能級之間躍遷是一個定值，因此波長λ也是一定的,。

但是,，半導體激光是電子在能帶之間躍遷，能帶本身有一個寬度,，設電子低能態(tài)的能量為E1—E1+ΔE1之間,，電子高能態(tài)E2—E2+ΔE2之間，躍遷能量ΔΕzui大值為E2-E1+ΔE2躍遷能量zui小值 E2-E1-ΔE1,。在此能量范圍之內,，發(fā)出的光波長當然也是不確定的。因此,，半導體激光發(fā)出的波長是在一個范圍之內的多種波長的光的集合,。

半導體激光除了波長長，線寬寬,，單色性差以外還有溫度穩(wěn)定性差的突出缺點,，所以很少用于計量與測試。它的優(yōu)點是工作電壓低,、體積小,、轉換效率高,。因此可以廣泛用于對單色性要求不高的工業(yè)與民用場合。